Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 17 » Статья стр. 33
<<<>>>
Свойства резистивных структур на основе полиморфных фаз оксида галлия
DOI: 10.21883/PJTF.2020.17.49891.18341
Переводная версия: 10.1134/S1063785020090060
Калыгина В.М.1, Николаев В.И.2, Алмаев А.В.1, Цымбалов А.В.1, Петрова Ю.С.1, Печников И.А.3, Бутенко П.Н.3
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: kalygina@ngs.ru, nkvlad@inbox.ru, almaev_alex@mail.ru, zoldmine@gmail.com, petrovays@mail.ru, alpechn@yandex.ru, pavel@butneko.info
Поступила в редакцию: 16 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 30 мая 2020 г.
Принята к печати: 30 мая 2020 г.
Выставление онлайн: 29 июня 2020 г.
PDF версия
Рассмотрено влияние УФ-излучения и сильного электрического поля на вольт-амперные характеристики резистивных структур на основе полиморфных пленок оксида галлия (Ga2O3). Пленки Ga2O3 осаждались методом хлоридной газофазной эпитаксии (HVPE) на гладкие и структурированные сапфировые подложки с базисной ориентацией (0001). На гладких подложках растут пленки α-Ga2O3, а на структурированных - пленки оксида галлия, содержащие α- и ε-фазы. В структурах металл/Ga2O3/металл на основе двухфазных пленок обнаружен эффект переключения. При воздействии излучения с λ=254 nm и сильного электрического поля структуры переходят из состояния с низким сопротивлением в состояние с высоким сопротивлением. Ключевые слова: оксид галлия, пленки, HVPE, полиморфизм, ультрафиолет, солнечно-слепые структуры.
  1. Lee S.-D., Ito Y., Kaneko K., Fujita S. // Jpn. J. Appl. Phys. 2015. V. 54. P. 030301. https://doi.org/10.7567/JJAP.54.030301
  2. Dakhel A.A. // Solid State Sci. 2013. V. 20. P. 54--58. https://doi.org/10.1016/j.solidstatesciences.2013.03.009
  3. Stepanov S.I., Nikolaev V.I., Bougrov V.E., Romanov A.E. // Rev. Adv. Mater. Sci. 2015. V. 44. P. 63--86
  4. Cora I., Mezzadri F., Boschi F., Bosi M., Caplovicova M., Calestani G., Dodony I., Pecza B., Fornari R. // CrystEngComm. 2017. V. 19. P. 1509--1516. https://doi.org/10.1039/C7CE00123A
  5. Guo D., Qin X., Lv M., Shi H., Su Y., Yao G., Wang S., Li C., Li P., Tang W. // Electron. Mater. Lett. 2017. V. 13. P. 483--488. https://doi.org/10.1007/s13391-017-7072-y
  6. Qian L., Wu Z., Zhang Y., Lai P., Liu X., Li Y. // ACS Photon. 2017. V. 4. P. 2203--2211. https://doi.org/10.1021/acsphotonics.7b00359
  7. Roberts J.W., Chalker P.R., Ding B., Oliver R.A., Gibbon J.T., Jones L.A.H., Dhanak V.R., Phillips L.J., Major L.J., Massabuau F.C. // J. Cryst. Growth. 2019. V. 528. P. 125254. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2019.125254
  8. Xia X., Chen Y., Feng Q., Liang H., Tao P., Xu M., Du G. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 108. P. 202103. https://doi.org/10.1063/1.4950867
  9. Son H., Choi Y., Hwang J., Jeon D. // ECS J. Solid State Sci. Technol. 2019. V. 8. P. Q3024-Q3027. https://doi.org/10.1149/2.0051907jss
  10. Xu Y., Zhang C., Cheng Y., Li Z., Cheng Y., Feng Q., Chen D., Zhang J., Hao Y. // Materials. 2019. V. 12. P. 3670. https://doi.org/10.3390/ma12223670
  11. Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Nikolaev V.V., Scheglov M.P., Chikiryaka A.V., Stepanov S.I., Medvedev O.S., Shapenkov S.V., Ubyivovk E.V., Vyvenko O.F. // J. Phys.: Conf. Ser. 2019. V. 1400. P. 055049. https://doi:10.1088/1742-6596/1400/5/055049
  12. Shapenkov S., Vyvenko O., Ubyivovk E., Medvedev O., Varygin G., Chikiryaka A., Pechnikov A., Scheglov M., Stepanov S., Nikolaev V. // Phys. Status Solidi A. First published: 14 February 2020. P. 1900892. https://doi.org/10.1002/pssa.201900892
  13. Cho S.B., Mishra R. // Appl. Phys. Lett. 2018. V. 112. P. 162101. https://doi.org/10.1063/1.5019721
  14. Mezzadri F., Calestani G., Boschi F., Delmonte D., Bosi M., Fornari R. // Inorgan. Chem. 2016. V. 55. P. 12079--12084. https://doi.org/10.1021/acs.inorgchem.6b02244

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme