Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Изопериодические гетероструктуры GaxIn1-xSbyAszP1-y-z/InP для планарных p-n-фотодиодов
Переводная версия: 10.1134/S1063785020100077 
Министерство образования и науки Российской Федераци, Государственное задание на 2020, 01201354240
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 20- 08-00108 А
Лунина М.Л.1, Лунин Л.С.1, Алфимова Д.Л.1, Пащенко А.С.1, Пащенко О.С.1
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия 
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 15 мая 2020 г.
В окончательной редакции: 6 июля 2020 г.
Принята к печати: 6 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 29 июля 2020 г.
Методом зонной перекристаллизации градиентом температуры получены изопериодические гетероструктуры GaxIn1-xSbyAszP1-y-z/InP на длину волны 1.06-1.60 μm. Достигнуты абсолютная спектральная чувствительность ~ 0.59 A/W и быстродействие ~ 10 ns. Пороговая чувствительность для изготовленных фотодиодов находится в диапазоне 2· 10-10-5· 10-11 W при соотношении сигнал/шум 10. Ключевые слова: изопериодические гетероструктуры, фотоприемники, фотодиоды, абсолютная спектральная чувствительность, пороговая чувствительность, быстродействие, вольт-амперная характеристика.
- Beling A., Campbell J.C. Photodetectors // Fibre optic communication / Eds H. Venghaus, N. Grote. Springer Ser. in Optical Sciences. Cham: Springer, 2017. V. 161. P. 249--290. https://doi.org/10.1007/978-3-319-42367-8\_6
- Гагис Г.С., Левин Р.В., Маричев А.Е., Пушный Б.В., Щеглов М.П., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю., Кудрявцев Ю.А., Власов А.С., Попова Т.Б., Чистяков Д.В., Кучинский В.И., Васильев В.И. // ФТП. 2019. Т. 53. В. 11. С. 1512--1518. DOI: 10.21883/PJTF.2020.19.50044.18379 [Пер. версия: 10.1134/S106378261911006X]
- Watanabe K., Baba T. // Opt. Express. 2019. V. 27. N 18. P. 24978--24988. https://doi.org/10.1364/OE.27.024978
- Sugiyama H., Uchida K., Han X., Periyanayagam G.K., Aikawa M., Hayasaka N., Shimomura K. // J. Cryst. Growth. 2019. V. 507. P. 93--97. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.10.024
- Jain N., Simon J., Schulte K.L., Friedman D.J., Diercks D.R., Packard C.E., Young D.L., Ptak A.J. // IEEE J. Photovolt. 2018. V. 8. N 6. P. 1577--1583. https://doi.org/10.1109/JPHOTOV.2018.2865172
- Watanabe K., Nomoto M., Nakamura F., Hachuda S., Sakata A., Watanabe T., Goshima Y., Baba T. // Biosens. Bioelectron. 2018. V. 117. P. 161--167. https://doi.org/10.1016/j.bios.2018.05.059
- Kuchinskii V.I., Vasil'ev V.I., Gagis G.S., Deryagin A.G., Dudelev V.V. // Proc. of the 5th Int. Workshop on laser and fiber-optical networks modeling. Alushta, 2003. P. 76--78
- Gagis G.S., Vasil'ev V.I., Deryagin A.G., Dudelev V.V., Maslov A.S., Levin R.V., Pushnyi B.V., Smirnov V.M., Sokolovskii G.S., Zegrya G.G., Kuchinskii V.I. // Semicond. Sci. Technol. 2008. V. 23. N 12. P. 125026. https://doi.org/10.1088/0268-1242/23/12/125026
- Cheetham K.J., Carrington P.J., Krier A., Patel I.I., Martin F.L. // Semicond. Sci. Technol. 2012. V. 27. N 1. P. 015004. https://doi.org/10.1088/0268-1242/27/1/015004
- Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Попов В.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1987. 232 с
- Кузнецов В.В., Когновицкая Е.А., Лунина М.Л., Рубцов Э.Р. // ЖФХ. 2011. Т. 85. N 12. С. 2210--2215. [Пер. версия: https://doi.org/10.1134/S003602441112020X]
- Алфимова Д.Л., Лунин Л.С., Лунина М.Л., Казакова А.Е., Пащенко А.С., Чеботарев С.Н. // Неорган. материалы. 2017. Т. 53. N 12. С. 1245--1256. https://doi.org/10.7868/S0002337X17120016 [Пер. версия: https://doi.org/10.1134/S0020168517120019]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
