Вышедшие номера
Изопериодические гетероструктуры GaxIn1-xSbyAszP1-y-z/InP для планарных p-n-фотодиодов
Переводная версия: 10.1134/S1063785020100077
Министерство образования и науки Российской Федераци, Государственное задание на 2020, 01201354240
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 20- 08-00108 А
Лунина М.Л.1, Лунин Л.С.1, Алфимова Д.Л.1, Пащенко А.С.1, Пащенко О.С.1
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 15 мая 2020 г.
В окончательной редакции: 6 июля 2020 г.
Принята к печати: 6 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 29 июля 2020 г.

Методом зонной перекристаллизации градиентом температуры получены изопериодические гетероструктуры GaxIn1-xSbyAszP1-y-z/InP на длину волны 1.06-1.60 μm. Достигнуты абсолютная спектральная чувствительность ~ 0.59 A/W и быстродействие ~ 10 ns. Пороговая чувствительность для изготовленных фотодиодов находится в диапазоне 2· 10-10-5· 10-11 W при соотношении сигнал/шум 10. Ключевые слова: изопериодические гетероструктуры, фотоприемники, фотодиоды, абсолютная спектральная чувствительность, пороговая чувствительность, быстродействие, вольт-амперная характеристика.