Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 20 » Статья стр. 7
<<<>>>
Cвойства пленок на основе наноразмерных и субмикронных частиц InSb, пассивированных CdS
DOI: 10.21883/PJTF.2020.20.50147.18255
Переводная версия: 10.1134/S1063785020100296
Шишкин М.И.1, Никулин Ю.В.1, Прихожденко Е.С.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: shishkin1mikhail@gmail.com
Поступила в редакцию: 20 февраля 2020 г.
В окончательной редакции: 10 июля 2020 г.
Принята к печати: 15 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 14 августа 2020 г.
PDF версия
В пленке InSb, полученной термическим испарением на монокристалле CdS, наблюдается рост отражения в инфракрасной области спектра, типичный для плазменного резонанса в монокристаллах. Спектры комбинационного рассеяния показывают примерно постоянное соотношение аморфной и кристаллической фаз для пленок InSb на подложке CdS, что не характерно для пленки InSb на галлий-гадолиниевом гранате. Вольт-амперные характеристики пленки InSb на CdS, так же как и отожженного слоя квантовых точек InSb (ядро)-CdS (оболочка), линейны и, кроме того, становятся чувствительны к освещению. Ключевые слова: полупроводниковые пленки, коллоидные квантовые точки, пассивация, спектроскопия комбинационного рассеяния.
  1. Simchi H., Sareminia Gh., Shafiekhani A., Valizadeh Gh. // Infrared Phys. Technol. 2008. V. 51. N 3. P. 263--269
  2. Львова Т.В., Дунаевский М.С., Лебедев М.В., Шахмин А.Л., Седова И.В., Иванов С.В. // ФТП. 2013. Т. 47. В. 5. С. 710--716
  3. Fang X., Wei Z., Fang D., Chu X., Tang J., Wang D., Wang X., Li J., Li Y., Yao B., Wang X., Chen R. // ACS Omega. 2018. V. 3. N 4. P. 4412--4417
  4. Park S., Choi D., Park H., Moon D., Yoon E., Park Y., Bae D.K. // Int. J. Nanotechnol. 2016. V. 13. N 4. P. 392--401
  5. Ghita R.V., Negrila C.C., Cotirlan C., Logofatu C. // Digest J. Nanomater. Biostruct. 2013. V. 8. N 3. P. 1335--1344
  6. Клевков Ю.В., Колосов С.А., Плотников А.Ф. // ФТП. 2006. Т. 40. В. 9. С. 1074--1078
  7. Zhang Y., Hellebusch D.J., Bronstein N.D., Ko C., Ogletree D.F., Salmeron M., Alivisatos A.P. // Nature Commun. 2016. V. 7. P. 11924 (1--8)
  8. Liu W., Chang A.Y., Schaller R.D., Talapin D.V. // J. Am. Chem. Soc. 2012. V. 134. N 50. P. 20258--20261
  9. Kirovskaya I.A., Nor P.E., Filatova T.N. // J. Phys.: Conf. Ser. 2019. V. 1210. P. 012065 (1--9)
  10. Koswathage C., Okada T., Noguchi T., Taniguchi S., Yoshitome S. // AIP Adv. 2016. V. 6. N 11. P. 115303
  11. Роках А.Г., Шишкин М.И., Скапцов А.А., Пузыня В.А. // Прикладная физика. 2014. N 5. C. 58--60
  12. Yang X., Wang G., Slattery P., Zhang J.Z., Li Y. // Cryst. Growth Design. 2010. V. 10. N 6. P. 2479--2482
  13. Algarni Z., Singh A., Philipose U. // Nanomaterials. 2018. V. 8. N 8. P. 607 (1--14)
  14. Роках А.Г., Шишкин М.И., Аткин В.С. // ФТП. 2018. Т. 52. В. 8. С. 853--859

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme