Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Покрытие наноструктурированной профилированной поверхности Si слоем SiC
Переводная версия: 10.1134/S1063785020100235 
Гращенко А.С.1, Кукушкин С.А.
1,2, Осипов А.В.
1
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 30 июня 2020 г.
В окончательной редакции: 15 июля 2020 г.
Принята к печати: 15 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 14 августа 2020 г.
Разработан метод покрытия профилированной поверхности Si слоем SiC, полностью сохраняющим исходную морфологию поверхности Si. Определены условия синтеза SiC, при которых исходный профиль поверхности Si трансформируется в профиль, покрытый слоем SiC без геометрических искажений. Экспериментально доказано, что критической температурой синтеза, при которой происходит формирование данного покрытия, является температура, равная 1050oC. Ключевые слова: карбид кремния, метод замещения атомов, профилированный кремний, полуполярный нитрид алюминия, полуполярный нитрид галлия, защитные покрытия.
- Smirnov V.K., Kibalov D.S., Orlov O.M., Graboshnikov V.V. // Nanotechnology. 2003. V. 14. P. 709-715
- Smirnov V.K., Kibalov D.S. // Proc. of the XXI Int. Conf. "Ion-surface interactions". Yaroslavl, Russia, 2013. V. 1. P. 62--66
- Huang C.C., Chang S.J., Kuo C.H., Wu C.H., Ko C.H., Wann C.H., Cheng Y.C., Lind W.J. // J. Electrochem. Soc. 2011. V. 158. P. H626-H629
- Бессолов В.Н., Коненкова Е.В., Орлова Т.А., Родин С.Н., Щеглов М.П., Кибалов Д.С., Смирнов В.К. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. В. 12. С. 45-51
- Bessolov V.N., Konenkova E.V., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Rodin S.N. // Rev. Adv. Mater. Sci. 2014. V. 38. P. 75-93
- Кукушкин С.А., Осипов А.В. // ФТТ. 2008. Т. 50. В. 7. С. 1188-1195
- Kukushkin S.A., Osipov A.V. // J. Appl. Phys. 2013. V. 113. P. 024909 (1-7)
- Kukushkin S.A., Osipov A.V. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2014. V. 47. P. 313001 (1-41)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
