Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Низкотемпературный рост кубической фазы CdS методом атомно-слоевого осаждения на гибридных подложках SiC/Si
Переводная версия: 10.1134/S1063785020110085 
Российский научный фонд, 20-12-00193
Кукушкин С.А.
1,2, Осипов А.В.
1, Романычев А.И.3, Касаткин И.А.3, Лошаченко А.С.3
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: andrey.v.osipov@gmail.com
Поступила в редакцию: 14 июля 2020 г.
В окончательной редакции: 14 июля 2020 г.
Принята к печати: 22 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 27 августа 2020 г.
Разработан новый метод эпитаксиального роста пленок сульфида кадмия (CdS) в метастабильной кубической фазе на подложках кремния с буферным слоем эпитаксиального карбида кремния путем атомно-слоевого осаждения. Данная фаза CdS достигается за счет низкой температуры роста (~180oC). Идентификация кубической фазы выполнена как с помощью дифракции рентгеновских лучей, так и методом спектральной эллипсометрии за счет того, что основной пик поглощения света CdS в гексагональной фазе расщеплен на два пика: 4.9 и 5.4 eV, а в кубической фазе является нерасщепленным (вырожденным): 5.1 eV. Ключевые слова: cульфид кадмия, карбид кремния, гетероструктуры, метод атомно-слоевого осаждения, диэлектрическая проницаемость, эллипсометрия.
- Handbook of photovoltaic science and engineering / Eds A. Luque, S. Hegedus. Chichester: John Wiley and Sons, 2003. 1165 p
- Антипов В.В., Кукушкин С.А., Осипов А.В. // ФТТ. 2016. Т. 58. В. 3. С. 612--615. http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/42829
- Cardona M. // Phys. Rev. 1965. V. 140. P. A633--A637. DOI: 10.1103/PhysRev.140.A633
- Rossow U., Werninghaus T., Zahn D.R.T., Richter W., Horn K. // Thin Solid Films. 1993. V. 233. P. 176--179. DOI: 10.1016/0040-6090(93)90084-3
- Nagai T., Kanemitsu Y., Ando M., Kushida T., Nakamura S., Yamada Y., Taguchi T. // Phys. Status Solidi B. 2002. V. 229. P. 611--614. DOI: 10.1002/1521-3951 (200201)229:1<611::AID-PSSB611>3.0.CO;2-3
- Малыгин А.А., Малков А.А., Соснов Е.А. // Изв. АН. Сер. хим. 2017. N 11. С. 1939--1962. DOI: 10.1007/s11172-017-1971-9
- Kukushkin S.A., Osipov A.V. // J. Phys. D.: Appl. Phys. 2014. V. 47. P. 313001. DOI: 10.1088/0022-3727/47/31/313001
- Кукушкин С.А., Осипов А.В., Феоктистов Н.А. // ФТТ. 2014. Т. 56. В. 8. С. 1457--1485. http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/40674
- Spectroscopic ellipsometry for photovoltaics. V. 1. Fundamental principles and solar cell characterization / Eds H. Fujiwara, R.W. Collins. Cham: Springer, 2018. 594 p. DOI: 10.1007/978-3-319-75377-5
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
