Вышедшие номера
Низкотемпературный рост кубической фазы CdS методом атомно-слоевого осаждения на гибридных подложках SiC/Si
Переводная версия: 10.1134/S1063785020110085
Российский научный фонд, 20-12-00193
Кукушкин С.А. 1,2, Осипов А.В. 1, Романычев А.И.3, Касаткин И.А.3, Лошаченко А.С.3
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: andrey.v.osipov@gmail.com
Поступила в редакцию: 14 июля 2020 г.
В окончательной редакции: 14 июля 2020 г.
Принята к печати: 22 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 27 августа 2020 г.

Разработан новый метод эпитаксиального роста пленок сульфида кадмия (CdS) в метастабильной кубической фазе на подложках кремния с буферным слоем эпитаксиального карбида кремния путем атомно-слоевого осаждения. Данная фаза CdS достигается за счет низкой температуры роста (~180oC). Идентификация кубической фазы выполнена как с помощью дифракции рентгеновских лучей, так и методом спектральной эллипсометрии за счет того, что основной пик поглощения света CdS в гексагональной фазе расщеплен на два пика: 4.9 и 5.4 eV, а в кубической фазе является нерасщепленным (вырожденным): 5.1 eV. Ключевые слова: cульфид кадмия, карбид кремния, гетероструктуры, метод атомно-слоевого осаждения, диэлектрическая проницаемость, эллипсометрия.