Вышедшие номера
Исследование квантовых точек в мультизеренном слое планарно-торцевой микроструктуры
Переводная версия: 10.1134/S1063785020110152
РФФИ, 19-07-00595-а
Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере, Старт-1, 6823/С3-48354
Жуков Н.Д.1, Ягудин И.Т.1, Абаньшин Н.П.1, Мосияш Д.С.1
1Общество с ограниченной ответственностью "НПП Волга", Саратов, Россия
Email: ndzhukov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 22 мая 2020 г.
В окончательной редакции: 22 мая 2020 г.
Принята к печати: 28 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 27 августа 2020 г.

Исследованы квантовые точки (КТ) полупроводников CdSe, PbS, InSb в мультизеренном слое планарно-торцевой микроструктуры. Рассмотрена модель упорядоченного расположения КТ в микронном зазоре структуры и протекания тока по линиям их последовательно-параллельного расположения. Электронный транспорт при малых величинах напряжения (менее 8 V) определяется термо- и туннельной эмиссией из КТ в зазор, при больших - зарядовым ограничением в КТ по модели кулоновской блокады. Обнаружено сильное влияние на вольт-амперные характеристики излучения ИК- и УФ-спектров. Ключевые слова: квантовая точка, мультизеренный слой, планарно-торцевая микроструктура, электронный транспорт, туннельная эмиссия, кулоновская блокада.