Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Стимулированная электрическим полем фотопроводимость в области 3-8 μm в кремнии с нанокластерами атомов марганца
Переводная версия: 10.1134/S1063785020120020 
Бахадирханов М.К.1, Исамов С.Б.1, Ибодуллаев Ш.Н.1, Ковешников С.В.1, Норкулов Н.2
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан 
2Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан
2Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан
Email: sobir-i@mail.ru
Поступила в редакцию: 2 июля 2020 г.
В окончательной редакции: 1 августа 2020 г.
Принята к печати: 21 августа 2020 г.
Выставление онлайн: 30 сентября 2020 г.
Показано, что, изменяя электрическое поле в материале фоторезистора на основе кремния, легированного атомами марганца с образованием нанокластеров Mn4B, в диапазоне 0.1-30 V/cm, можно изменять красную границу фотоответа и фоточувствительность. Установлено, что, меняя значение электрического поля, удается смещать красную границу фотоответа образцов при T=100 K от 4.6 до 8 μm. Величина монохроматической фоточувствительности при hν=0.4 eV возрастает на 2.5 порядка при изменении поля с 1 до 3 V/cm. Ключевые слова: кремний, кластер марганца, фоточувствительность.
- Якушев М.В., Варавин В.С., Ремесник В.Г., Марин Д.В. // ФТП. 2014. Т. 48. В. 6. С. 788--792
- Rao G., Wang X., Wang Y., Wangyang P., Yan C., Chu J., Xue L., Gong C., Huang J., Xiong J., Li Y. // InfoMat. 2019. V. 1. N 3. P. 272--288
- Chen M., Lu H., Abdelazim N.M., Zhu Y., Wang Z., Ren W., Kershaw S.V., Rogach A.L., Zhao N. // ACS Nano. 2017. V. 11. N 6. P. 5614--5622
- Rogalski A. // J. Appl. Phys. 2003. V. 93. N 8. P. 4355--4391
- Yunusov Z.A., Yuldashev Sh.U., Igamberdiev Kh.T., Kwon Y.H., Kang T.W., Bakhadyrkhanov M.K., Isamov S.B., Zikrillaev N.F. // J. Korean Phys. Soc. 2014. V. 64. N 10. P. 1461--1465
- Бахадырханов М.К., Исамов С.Б. // ЖТФ. 2016. Т. 86. В. 3. С. 140--142
- Бахадырханов М.К., Илиев Х.М., Мавлонов Г.Х., Аюпов К.С., Исамов С.Б., Тачилин С.А. // ЖТФ. 2019. Т. 89. В. 3. С. 421--425
- Бахадырханов М.К., Аюпов К.С., Мавлянов Г.Х., Илиев Х.М., Исамов С.Б. // Микроэлектроника. 2010. Т. 39. N 6. С. 426--429
- Бахадырханов М.К., Аюпов К.С., Илиев Х.М., Мавлонов Г.Х., Саттаров О.Э. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 16. С. 11--18
- Czaputa R., Feichtinger H., Oswald J. // Solid State Commun. 1983. V. 47. N 4. P. 223--226
- Ludwig G.W., Woodbury H.H., Carlson R.O. // J. Phys. Chem. Solids. 1959. V. 8. P. 490
- Бахадырханов М.К., Мавлонов Г.Х., Исамов С.Б., Илиев Х.М., Аюпов К.С., Сапарниязова З.М., Тачилин С.А. // Неорган. материалы. 2011. Т. 47. N 5. С. 545--550
- Роуз А. Основы теории фотопроводимости. М.: ИИЛ, 1962. С. 67
- Бахадырханов М.К., Исамов С.Б., Зикриллаев Н.Ф. // Неорган. материалы. 2014. Т. 50. N 4. С. 353--357
- Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М.: ИИЛ, 1962. 559 с.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
