Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 23 » Статья стр. 37
<<<>>>
Стимулированная электрическим полем фотопроводимость в области 3-8 μm в кремнии с нанокластерами атомов марганца
DOI: 10.21883/PJTF.2020.23.50347.18449
Переводная версия: 10.1134/S1063785020120020
Бахадирханов М.К.1, Исамов С.Б.1, Ибодуллаев Ш.Н.1, Ковешников С.В.1, Норкулов Н.2
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
2Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан
Email: sobir-i@mail.ru
Поступила в редакцию: 2 июля 2020 г.
В окончательной редакции: 1 августа 2020 г.
Принята к печати: 21 августа 2020 г.
Выставление онлайн: 30 сентября 2020 г.
PDF версия
Показано, что, изменяя электрическое поле в материале фоторезистора на основе кремния, легированного атомами марганца с образованием нанокластеров Mn4B, в диапазоне 0.1-30 V/cm, можно изменять красную границу фотоответа и фоточувствительность. Установлено, что, меняя значение электрического поля, удается смещать красную границу фотоответа образцов при T=100 K от 4.6 до 8 μm. Величина монохроматической фоточувствительности при hν=0.4 eV возрастает на 2.5 порядка при изменении поля с 1 до 3 V/cm. Ключевые слова: кремний, кластер марганца, фоточувствительность.
  1. Якушев М.В., Варавин В.С., Ремесник В.Г., Марин Д.В. // ФТП. 2014. Т. 48. В. 6. С. 788--792
  2. Rao G., Wang X., Wang Y., Wangyang P., Yan C., Chu J., Xue L., Gong C., Huang J., Xiong J., Li Y. // InfoMat. 2019. V. 1. N 3. P. 272--288
  3. Chen M., Lu H., Abdelazim N.M., Zhu Y., Wang Z., Ren W., Kershaw S.V., Rogach A.L., Zhao N. // ACS Nano. 2017. V. 11. N 6. P. 5614--5622
  4. Rogalski A. // J. Appl. Phys. 2003. V. 93. N 8. P. 4355--4391
  5. Yunusov Z.A., Yuldashev Sh.U., Igamberdiev Kh.T., Kwon Y.H., Kang T.W., Bakhadyrkhanov M.K., Isamov S.B., Zikrillaev N.F. // J. Korean Phys. Soc. 2014. V. 64. N 10. P. 1461--1465
  6. Бахадырханов М.К., Исамов С.Б. // ЖТФ. 2016. Т. 86. В. 3. С. 140--142
  7. Бахадырханов М.К., Илиев Х.М., Мавлонов Г.Х., Аюпов К.С., Исамов С.Б., Тачилин С.А. // ЖТФ. 2019. Т. 89. В. 3. С. 421--425
  8. Бахадырханов М.К., Аюпов К.С., Мавлянов Г.Х., Илиев Х.М., Исамов С.Б. // Микроэлектроника. 2010. Т. 39. N 6. С. 426--429
  9. Бахадырханов М.К., Аюпов К.С., Илиев Х.М., Мавлонов Г.Х., Саттаров О.Э. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 16. С. 11--18
  10. Czaputa R., Feichtinger H., Oswald J. // Solid State Commun. 1983. V. 47. N 4. P. 223--226
  11. Ludwig G.W., Woodbury H.H., Carlson R.O. // J. Phys. Chem. Solids. 1959. V. 8. P. 490
  12. Бахадырханов М.К., Мавлонов Г.Х., Исамов С.Б., Илиев Х.М., Аюпов К.С., Сапарниязова З.М., Тачилин С.А. // Неорган. материалы. 2011. Т. 47. N 5. С. 545--550
  13. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. М.: ИИЛ, 1962. С. 67
  14. Бахадырханов М.К., Исамов С.Б., Зикриллаев Н.Ф. // Неорган. материалы. 2014. Т. 50. N 4. С. 353--357
  15. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М.: ИИЛ, 1962. 559 с.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme