Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 24 » Статья стр. 3
>>>
Влияние давления при эпитаксии на свойства слоев GaN
DOI: 10.21883/PJTF.2020.24.50418.18517
Переводная версия: 10.1134/S1063785020120263
Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation , RFMEFI62119X0021
Сахаров А.В. 1, Лундин В.В. 1, Заварин Е.Е. 1, Усов С.О. 2, Брунков П.Н. 1, Цацульников А.Ф. 2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: val.beam@mail.ioffe.ru, Lundin@vpegroup.ioffe.ru, Ezavarin@mail.ioffe.ru, S.Usov@mail.ioffe.ru, Brunkov@mail.ioffe.ru, andrew.beam@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 августа 2020 г.
В окончательной редакции: 3 сентября 2020 г.
Принята к печати: 3 сентября 2020 г.
Выставление онлайн: 15 октября 2020 г.
PDF версия
Проведено исследование выращивания слоев GaN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на сапфировых подложках при различных давлениях в реакторе, в том числе выше атмосферного. Показано, что эпитаксиальный рост при более высоком давлении не изменяет кристаллическое совершенство слоев, подвижность электронов и фоновое вхождение примесей, но приводит к формированию поверхности с меньшим латеральным масштабом неоднородностей. Давление при эпитаксии также влияет на соотношение интенсивностей краевых и примесных линий в спектре фотолюминесценции и токи утечки в обратносмещенном барьере Шоттки. Ключевые слова: МОС-гидридная эпитаксия, нитриды III группы, морфология, люминесценция.
  1. Kusakabe K., Hirako A., Tanaka S., Ohkawa K. // Phys. Status Solidi C. 2004. V. 10. P. 2569--2572
  2. Fini P., Wu X., Tarsa E.J., Golan Y., Srikant V., Keller S., Denbaars S.P., Speck J.S. // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. V. 37. P. 4460--4466
  3. Chen J., Zhang S.M., Zhang B.S., Zhu J.J., Feng G., Shen X.M., Wang Y.T., Yang H., Zheng W.C. // J. Cryst. Growth. 2003. V. 254. P. 348--352
  4. Yanashima K., Hashimoto S., Hino T., Funato K., Kobayashi T., Naganuma K., Tojyo T., Asano T., Asatsuma T., Miyajima T., Ikeda M. // J. Electron. Mater. 1999. V. 28. P. 287--289
  5. Uchida K., Gotoh J., Goto S., Yang T., Niwa A., Kasai J.-I., Mishima T. // Jpn. J. Appl. Phys. 2000. V. 39. P. 1635--1641
  6. Лундин В.В., Николаев А.Е., Сахаров А.В., Усов С.О., Заварин Е.Е., Брунков П.Н., Яговкина М.А., Черкашин Н.А., Цацульников А.Ф. // ФТП. 2014. Т. 48. В. 1. С. 55--60
  7. Lundin W.V., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Kazantsev D.Yu., Ber B.Ya., Yagovkina M.A., Brunkov P.N., Tsatsulnikov A.F. // J. Cryst. Growth. 2016. V. 449. P. 108--113
  8. Parish G., Keller S., Denbaars S.P., Mishra U.K. // J. Electron. Mater. 2000. V. 29. P. 15--21
  9. Torkhov N.A., Babak L.I., Kokolov A.A. // Symmetry. 2019. V. 11. P. 1495
  10. Shmidt N.M., Emtsev V.V., Kolmakov A.G., Kryzhanovsky A.D., Lundin W.V., Poloskin D.S., Ratnikov V.V., Titkov A.N., Usikov A.S., Zavarin E.E. // Nanotechnology. 2001. V. 12. P. 471--474
  11. Shalish I., Kronik L., Segal G., Rosenwaks Y., Shapira Y., Tisch U., Salzman J. // Phys. Rev. B. 1999. V. 59. P. 9748--9751
  12. Jang C.H., Sheu J.K., Chang S.J., Lee M.L., Yang C.C., Tu S.J., Huang F.W., Hsu C.K. // IEEE Photon. Technol. Lett. 2011. V. 23. P. 968--970

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme