Вышедшие номера
Применение селективного контакта MoOx/p-Si для оценки деградации приповерхностной области кремния
Переводная версия: 10.1134/S1063785020120202
Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation, №075-00306-20-01, №0788-2020-0008
Кудряшов Д.А.1, Гудовских А.С.1,2, Максимова А.А.1,2, Баранов А.И.1, Уваров А.В.1, Морозов И.А.1
1Alferov University, St. Petersburg, Russia
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: gudovskikh@spbau.ru, deer.blackgreen@yandex.ru, baranov_art@spbau.ru, lumenlight@mail.ru, morivan@mail.ru
Поступила в редакцию: 22 июля 2020 г.
В окончательной редакции: 16 сентября 2020 г.
Принята к печати: 16 сентября 2020 г.
Выставление онлайн: 15 октября 2020 г.

Показана возможность оценки степени повреждения приповерхностного слоя кремния p-типа с помощью селективного контакта на основе MoOx/p-Si. Продемонстрирована сильная чувствительность вольт-амперных характеристик к состояниям на поверхности кремния, образованным в процессе нанесения оксида кремния методом магнетронного распыления. Ключевые слова: кремний, селективный контакт, плазменная деградация.