Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние окисления пористого кремния на формирование нанокомпозитов пористый кремний/индий электрохимическим методом
Российский научный фонд, 20-19-00720
Гревцов Н.Л.1, Чубенко Е.Б.1, Бондаренко В.П.1, Гаврилин И.М.2, Дронов А.А.2, Гаврилов С.А.2
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь 
2Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
2Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
Email: hrautsou@gmail.com
Поступила в редакцию: 27 октября 2020 г.
В окончательной редакции: 29 декабря 2020 г.
Принята к печати: 29 декабря 2020 г.
Выставление онлайн: 3 февраля 2021 г.
Установлено, что окисление скелета пористого кремния в воздушной атмосфере при 300oC или в водном растворе HNO3 (50 vol.%) позволяет улучшить заполнение пор индием при его осаждении электрохимическим методом. Благодаря частичному окислению скелета пористого кремния максимум концентрации индия в нем смещается от поверхности в глубину пористого слоя. Наибольший эффект проявляется при окислении пористого кремния в растворе HNO3, в этом случае обнаружена максимальная концентрация индия в каналах пор. Ключевые слова: пористый кремний, индий, электрохимическое осаждение, окисление, наночастицы, нанонити.
- L. Canham, in Handbook of porous silicon (Springer, Switzerland, 2014), p. 629--635
- G. Korotcenkov, in Porous silicon: from formation to application (CRC Press, N.Y., 2016), vol. 3, p. 183--210
- M. Jeske, J.W. Schultze, M. Thonissen, H. Munder, Thin Solid Films, 255 (1-2), 63 (1995). DOI: 10.1016/0040-6090(94)05605-D
- L. Canham, in Handbook of porous silicon (Springer, Switzerland, 2014), p. 599--610
- S. Prischepa, A. Dolgiy, S. Redko, H. Bandarenka, K. Yanushkevich, P. Nenzi, M. Balucani, V. Bondarenko, J. Electrochem. Soc., 159 (10), 623 (2012). DOI: 10.1149/2.050210jes
- P. Granitzer, K. Rumpf, M. Reissner, M. Morales, P. Poelt, T. Uusimaki, M. Albu, ECS Trans., 41 (35), 59 (2012). DOI: 10.1149/1.3699381
- E.B. Chubenko, A.A. Klyshko, V.A. Petrovich, V.P. Bondarenko, Thin Solid Films, 517 (21), 5981 (2009). DOI: 10.1016/j.tsf.2009.03.134
- Е.Б. Чубенко, С.В. Редько, А.И. Шерстнев, В.А. Петрович, Д.А. Котов, В.П. Бондаренко, ФТП, 50 (3), 377 (2016). [Пер. версия: 10.1134/S1063782616030040]
- P. Steiner, F. Kozlowski, M. Wielunski, W. Lang, Jpn. J. Appl. Phys., 33 (11), 6075 (1994). DOI: 10.1143/JJAP.33.6075
- T. Ito., T. Yoneda, K. Furuta, A. Hatta, A. Hiraki, Jpn. J. Appl. Phys., 34 (6A), 649 (1995). DOI: 10.1143/JJAP.34.L649
- S. Abdullah, M. Muhamad, K. Sekak, Mater. Sci. Forum, 517, 267 (2006). DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.517.267
- И.М. Гаврилин, Д.Г. Громов, А.А. Дронов, С.В. Дубков, Р.Л. Волков, А.Ю. Трифонов, Н.И. Боргардт, С.А. Гаврилов, ФТП, 51 (8), 1100 (2017). DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44799.8482 [Пер. версия: 10.1134/S1063782617080115]
- Q. Cheek, E. Fahrenkrug, S. Hlynchuk, D. Hein Alsem, N. Salmon, S. Maldonado, ACS Nano, 14 (3), 2869 (2020). DOI: 10.1021/acsnano.9b06468
- V.I. Talanin, in New research on silicon ---- structure, properties, technology (IntechOpen, Croatia, 2017), p. 183--206.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
