Проведено теоретическое исследование зависимости скорости роста и структуры нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III-V от площади диффузионного сбора адатомов на поверхности подложки. Получено выражение для максимальной скорости роста нитевидных нанокристаллов. Проанализированы причины ее уменьшения в различных технологиях. Показано, что скорость роста пропорциональна площади сбора и обратно пропорциональна квадрату радиуса нанокристалла. Продемонстрировано, что автокаталитические нитевидные нанокристаллы GaAs расширяются при больших и сужаются при малых значениях площади сбора и при этом в обоих случаях обладают кубической структурой. Вюрцитная фаза формируется в области промежуточных значений площади сбора. Ключевые слова: нитевидный нанокристалл, полупроводниковые соединения III-V, механизм роста пар-жидкость-кристалл, скорость роста, площадь сбора адатомов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.