Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2021, выпуск 9 » Статья стр. 37
<<<>>>
Зависимость скорости роста и структуры III-V нитевидных нанокристаллов от площади сбора адатомов на поверхности подложки
DOI: 10.21883/PJTF.2021.09.50906.18727
Санкт-Петербургский государственный университет, 61520973
Дубровский В.Г.1
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: dubrovskii@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 5 февраля 2021 г.
В окончательной редакции: 5 февраля 2021 г.
Принята к печати: 10 февраля 2021 г.
Выставление онлайн: 8 марта 2021 г.
PDF версия
Проведено теоретическое исследование зависимости скорости роста и структуры нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III-V от площади диффузионного сбора адатомов на поверхности подложки. Получено выражение для максимальной скорости роста нитевидных нанокристаллов. Проанализированы причины ее уменьшения в различных технологиях. Показано, что скорость роста пропорциональна площади сбора и обратно пропорциональна квадрату радиуса нанокристалла. Продемонстрировано, что автокаталитические нитевидные нанокристаллы GaAs расширяются при больших и сужаются при малых значениях площади сбора и при этом в обоих случаях обладают кубической структурой. Вюрцитная фаза формируется в области промежуточных значений площади сбора. Ключевые слова: нитевидный нанокристалл, полупроводниковые соединения III-V, механизм роста пар-жидкость-кристалл, скорость роста, площадь сбора адатомов.
  1. A. Zhang, G. Zheng, C.M. Lieber, Nanowires: building blocks for nanoscience and nanotechnology(Springer, 2016)
  2. F. Glas, Phys. Rev. B, 74, 121302(R) (2006). DOI: 10.1103/PhysRevB.74.121302
  3. G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, V.N. Petrov, N.K. Polyakov, N.P. Korneeva, V.N. Demidov, A.O. Golubok, S.A. Masalov, D.V. Kurochkin, O.M. Gorbenko, N.I. Komyak, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, A.F. Tsatusul'nikov, B.V. Volovik, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, Semicond. Sci. Technol., 13, 1262 (1998). DOI: 10.1088/0268-1242/13/11/005
  4. R.S. Wagner, W.C. Ellis, Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964). DOI: 10.1063/1.1753975
  5. V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, Yu.B. Samsonenko, N.V. Sibirev, V.M. Ustinov, Phys. Status Solidi B, 241, R30 (2004). DOI: 10.1002/pssb.200409042
  6. V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, R.A. Suris, G.E. Cirlin, J.C. Harmand, V.M. Ustinov, Surf. Sci., 601, 4395 (2007). DOI: 10.1016/j.susc.2007.04.122
  7. C. Colombo, D. Spirkoska, M. Frimmer, G. Abstreiter, A. Fontcuberta i Morral, Phys. Rev. B, 77, 155326 (2008). DOI: 10.1103/PhysRevB.77.155326
  8. V.G. Dubrovskii, T. Xu, A. Diaz Alvarez, G. Larrieu, S.R. Plissard, P. Caroff, F. Glas, B. Grandidier, Nano Lett., 15, 5580 (2015). DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b02226
  9. S. Plissard, G. Larrieu, X. Wallart, P. Caroff, Nanotechnology, 22, 275602 (2011). DOI: 10.1088/0957-4484/22/27/275602
  10. J.C. Harmand, F. Glas, G. Patriarche, Phys. Rev. B, 81, 235436 (2010). DOI: 10.1103/PhysRevB.81.235436
  11. V.G. Dubrovskii, J. Grecenkov, Cryst. Growth Design, 15, 340 (2015). DOI: 10.1021/cg5014208
  12. F. Glas, M.R. Ramdani, G. Patriarche, J.C. Harmand, Phys. Rev. B, 88, 195304 (2013). DOI: 10.1103/PhysRevB.88.195304
  13. M.R. Ramdani, J.C. Harmand, F. Glas, G. Patriarche, L. Travers, Cryst. Growth Design, 13, 91 (2013). DOI: 10.1021/cg301167g
  14. B.M. Borg, J. Johansson, K. Storm, K. Deppert, J. Cryst. Growth, 366, 15 (2013). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.142
  15. J. Johansson, M.H. Magnusson, J. Cryst. Growth, 525, 125192 (2019). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.125192
  16. R.J. Yee, S.J. Gibson, V.G. Dubrovskii, R.R. LaPierre, Appl. Phys. Lett., 101, 263106 (2012). DOI: 10.1063/1.4773206
  17. J. Tersoff, Nano Lett., 15, 6609 (2015). DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b02386
  18. F. Glas, Phys. Status Solidi B, 247, 254 (2010). DOI: 10.1002/pssb.200945456
  19. F. Panciera, Z. Baraissov, G. Patriarche, V.G. Dubrovskii, F. Glas, L. Travers, U. Mirsaidov, J.C. Harmand, Nano Lett., 20, 1669 (2020). DOI: 10.1021/acs.nanolett.9b04808
  20. W. Kim, V.G. Dubrovskii, J. Vukajlovic-Plestina, G. Tutuncuoglu, L. Francaviglia, L. Guniat, H. Potts, M. Friedl, J.-B. Leran, A. Fontcuberta i Morral, Nano Lett., 18, 49 (2018). DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b03126

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme