Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2021, выпуск 11 » Статья стр. 37
<<<>>>
Барьер Шоттки на контакте магнитного 3d-металла с полупроводником
DOI: 10.21883/PJTF.2021.11.51006.18650
Давыдов С.Ю.1, Посредник О.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Поступила в редакцию: 9 декабря 2020 г.
В окончательной редакции: 9 марта 2021 г.
Принята к печати: 10 марта 2021 г.
Выставление онлайн: 7 апреля 2021 г.
PDF версия
С помощью модели Фриделя для d-зоны переходного металла и модели локального дефекта для полупроводника получены аналитические выражения для перехода заряда (электронов или дырок) между металлом и полупроводником и высоты барьера Шоттки. Показано, что учет намагниченности металла ведет к увеличению перехода заряда и связанного с этим вклада в высоту барьера Шоттки. Численные оценки представлены для контактов Со и Ni с 6H- и 4H-политипами SiC. Ключевые слова: магнитный металл, полупроводник, локальный дефект, переход заряда, высота барьера Шоттки.
  1. Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн, Поверхности и границы раздела полупроводников (Мир, М., 1990), гл. 4
  2. W. Monch, Rep. Prog. Phys., 53, 221 (1990). https://doi.org/10.1088/0034-4885/53/3/001
  3. R.T. Tung, Appl. Phys. Rev., 1, 011304 (2014). https://doi.org/10.1063/1.4858400
  4. R. Ludeke, G. Jezequel, A. Taleb-Ibrahimi, Phys. Rev. Lett., 61, 601 (1988). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.61.601
  5. R. Ludeke, Phys. Rev. B., 40, 1947 (1989). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.40.1947
  6. С.Ю. Давыдов, С.В. Трошин, ФТТ, 49 (8), 1508 (2007). [Пер. версия: https://doi.org/10.1134/S1063783407080318]
  7. С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник, Элементарное введение в теорию наносистем (Лань, СПб., 2014), гл. 8, 9
  8. С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник, Ю.М. Таиров, ФТП, 35 (12), 1437 (2001). [Пер. версия: https://doi.org/10.1134/1.1427974]
  9. С.Ю. Давыдов, ФТТ, 46 (12), 2135 (2004). [Пер. версия: https://doi.org/10.1134/1.1841381]
  10. В.Ю. Ирхин, Ю.П. Ирхин, Электронная структура, физические свойства и корреляционные эффекты в d- и f-металлах и их соединениях (УрО РАН, Екатеринбург, 2004), гл. 2
  11. Дж. Займан, Принципы теории твердого тела (Мир, М., 1974), гл. 10
  12. У. Харрисон, Электронная структура и свойства твердых тел (Мир, М., 1983), т. 2
  13. W.A. Harrison, Phys. Rev. B, 27, 3592 (1983). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.27.3592
  14. G. Bertoni, L. Calmels, A. Altibelli, V. Serin, Phys. Rev. B, 71, 075402 (2004). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.71.075402
  15. Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (Энергоатомиздат, М., 1991)
  16. А.А. Лебедев, ФТП, 33 (7), 769 (1999). [Пер. версия: https://doi.org/10.1134/1.1187764]
  17. С.Ю. Давыдов, ФТП, 53 (5), 706 (2019). [Пер. версия: 10.1134/S106378261905004X]
  18. М. Ланно, Ж. Бургуэн, Точечные дефекты в полупроводниках: Теория (Мир, М., 1984), гл. 3
  19. A. Hirohata, K. Yamada, Y. Nakatani, I.-L. Prejbeanu, B. Dieny, P. Pirro, B. Hillebrands, J. Magn. Magn. Mater., 509, 166711 (2020). https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2020.166711
  20. J. Puebla, J. Kim, K. Kondou, Y. Otani, Commun. Mater., 1, 24 (2020). https://doi.org/10.1038/s43246-020-0022-5

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme