Особенности эпитаксиального роста III-N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si
Министерства науки и высшего образования РФ , Работа выполнена в рамках госзадания ФГУП ИПМаш РАН № FFNF-2021-0001
Министерства науки и высшего образования РФ , Работа выполнена в рамках госзадания СПбГУ № 61520973
Черкашин Н.А.
1, Сахаров А.В.
2, Николаев А.Е.
2,3, Лундин В.В.
3, Усов С.О.
2, Устинов В.М.
2, Гращенко А.С.
4, Кукушкин С.А.
4, Осипов А.В.
5, Цацульников А.Ф.
21CEMES−CNRS and Universit´e de Toulouse, Toulouse, France
2НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: nikolay.cherkashin@cemes.fr, val@beam.ioffe.rssi.ru, aen@mail.ioffe.ru, lundin.vpegroup@mail.ioffe.ru, s.usov@mail.ioffe.ru, Vmust@beam.ioffe.ru, asgrashchenko@bk.ru, sergey.a.kukushkin@gmail.com, andrey.v.osipov@gmail.com, andrew@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 29 апреля 2021 г.
Принята к печати: 29 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 1 июня 2021 г.
Светоизлучающие III-N гетероструктуры выращены методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на темплейтах (подложках) SiC/Si (111), сформированных методом согласованного замещения атомов. Проведены исследования оптических и структурных свойств гетероструктур с целью выявления формирования дефектов в структурах. Показано, что в таких гетероструктурах наблюдаются особенности роста буферного слоя (Al,Ga)N, связанные с наличием пор в Si под интерфейсом SiC/Si. Использование оптимизированного дизайна буферного слоя позволяет значительно уменьшить плотность дислокаций и сформировать активную область с хорошим структурным качеством. Ключевые слова: нитрид галлия, карбид кремния, кремний, III-N гетероструктура, газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений.
- A. Dadgar, M. Poschenrieder, J. Blasing, K. Fehse, A. Diez, A. Krost, Appl. Phys. Lett., 80 (20), 3670 (2002). DOI: 10.1063/1.1479455
- T. Egawa, T. Moku, H. Ishikawa, K. Ohtsuka, T. Jimbo, Jpn. J. Appl. Phys., 41 (6B), L663 (2002). DOI: 10.1143/JJAP.41.L663
- B. Zhang, H. Liang, Y. Wang, Z. Feng, K.W. Ng, K.M. Lau, J. Cryst. Growth., 298, 725 (2007). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.10.170
- W.E. Fenwick, A. Melton, T. Xu, N. Li, C. Summers, M. Jamil, I.T. Ferguson, Appl. Phys. Lett., 94 (22), 222105 (2009). DOI: 10.1063/1.3148328
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, ФТТ, 50 (7), 1188 (2008). [Пер. версия: 10.1134/S10637834080 70081]
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов, ФТТ, 56 (8), 1457 (2014). [Пер. версия: 10.1134/S1063783414080137]
- S.A. Kukushkin, Sh.Sh. Sharofidinov, A.V. Osipov, A.V. Redkov, V.V. Kidalov, A.S. Grashchenko, I.P. Soshnikov, A.F. Dydenchuk, ECS J. Solid State Sci. Technol., 7 (9), 480 (2018). DOI: 10.1149/2.0191809jss
- V.S. Kopp, V.M. Kaganer, M.V. Baidakova, W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, E.V. Verkhovtceva, M.A. Yagovkina, N. Cherkashin, J. Appl. Phys., 115 (7), 073507 (2014). DOI: doi.org/10.1063/1.4865502
- Я.Е. Гегузин, Диффузионная зона (Наука, М., 1979)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
