Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2021, выпуск 18 » Статья стр. 15
<<<>>>
Исследование ионной имплантации азота через слой нитрида кремния для межприборной изоляции силовых GaN/Si-транзисторов
DOI: 10.21883/PJTF.2021.18.51465.18805
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.13.53550.18805
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации , Научно-технологическое развитие Российской Федерации, 075-11-2019-068
Егоркин В.И. 1, Оболенский С.В. 2, Земляков В.Е. 1, Зайцев А.А. 1, Гармаш В.И.1
1Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: egorkinvi1962@mail.ru, obolensk@rf.unn.ru, vzml@rambler.ru, Ziko27@yandex.ru, garmashvalentine@gmail.com
Поступила в редакцию: 5 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 27 мая 2021 г.
Принята к печати: 4 июня 2021 г.
Выставление онлайн: 12 июля 2021 г.
PDF версия
Представлены результаты исследования и разработки метода ионной имплантации азота через пассивирующий слой плазмохимического нитрида кремния для гетероструктуры AlGaN/GaN на подложке кремния в сравнении с традиционным плазмохимическим травлением. Использование такого слоя упрощает изготовление транзисторов и получение изоляции благодаря возможности смещения максимума распределения имплантированных ионов к поверхности полупроводника. За счет использования легированных углеродом буферных слоев и ионной имплантации азота получено увеличение пробивного напряжения транзисторов до 650 V. Ключевые слова: ионная имплантация, пробивное напряжение, нитрид галлия, силовой транзистор.
  1. I.B. Rowena, S.L. Selvaraj, T. Egawa, IEEE Electron Dev. Lett., 32 (11), 1534 (2011). DOI: 10.1109/LED.2011.2166052
  2. В.И. Егоркин, В.А. Беспалов, А.А. Зайцев, В.Е. Земляков, В.В. Капаев, О.Б. Кухтяева, Изв. вузов. Электроника, 25 (5), 391 (2020). DOI: 10.24151/1561-5405-2020-25-5-391-401
  3. W.M. Waller, M. Gajda, S. Pandey, J.J.T.M. Donkers, D. Calton, J. Croon, S. Karboyan, J. vSonsky, M.J. Uren, M. Kubal, IEEE Trans Electron Dev., 64 (3), 1197 (2017). DOI: 10.1109/TED.2017.2654800
  4. S.R. Bahl, J.A. Delalamo, IEEE Electron Dev. Lett., 13 (2), 195 (1992). DOI: 10.1109/55.144979
  5. H. Kasai, H. Ogawa, T. Nishimura, T. Nakamura, Phys. Status Solidi C, 11 (3-4), 914 (2014). DOI: 10.1002/pssc.201300436
  6. A. Taube, E. Kaminska, M. Kozubal, J. Kaczmarski, W. Wojtasiak, J. Jasinski, M.A. Borysiewicz, M. Ekielski, M. Juchniewicz, J. Grochowski, M. Mysliwiec, E. Dynowska, A. Barcz, P. Prystawko, M. Zajac, R. Kucharski, A. Piotrowska, Phys. Status Solidi A, 212 (5), 1162 (2015). DOI: 10.1002/pssa.201431724
  7. H. Huang, K.J. Winchester, A. Suvorova, B.R. Lawn, Y. Liu, X.Z. Hu, J.M. Dell, L. Faraone, Mater. Sci. Eng. A, 435- 436, 453 (2006). DOI: 10.1016/j.msea.2006.07.015
  8. Е.А. Тарасова, Е.С. Оболенская, А.В. Хананова, С.В. Оболенский, В.Е. Земляков, В.И. Егоркин, А.В. Неженцев, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, Г.В. Медведев, ФТП, 50 (12), 1599 (2016). DOI: 10.21883/ftp.2016.12.43883.29
  9. D.S. Arteev, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, D.A. Zakheim, A.F. Tsatsulnikov, M.I. Gindina, P.N. Brunkov, J. Phys.: Conf. Ser., 1697, 012206 (2020). DOI: 10.1088/1742-6596/1697/1/012206
  10. В.И. Гармаш, В.Е. Земляков, В.И. Егоркин, А.В. Ковальчук, С.Ю. Шаповал, ФТП, 54 (8), 748 (2020). DOI: 10.21883/FTP.2020.08.49646.9398

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme