Выполнен теоретико-групповой анализ твердых растворов нитридов индия и галлия In_xGa_1-xN (0<x<1) и найдены все основные группы симметрии для данных растворов с составом x, представимым в виде рациональной дроби. Методом функционала плотности рассчитаны термодинамические потенциалы основных фаз. Показано, что при малых и больших x, т. е. при 0<x<0.2 и 0.8<x<1, имеется большое количество моноклинных фаз Pm и P2₁, которые являются стабильными по отношению к распаду на InN и GaN при комнатной температуре. В интервале 0.2<x<0.8 имеются лишь две стабильные орторомбические фазы Cmc2₁ с составами x=1/3 и 2/3. Рассчитаны все основные геометрические и термодинамические свойства различных фаз In_xGa_1-xN. Установлено, что стабильность эпитаксиальных пленок In_xGa_1-xN повышается при росте на InN и уменьшается при росте на GaN. Ключевые слова: метод функционала плотности, полупроводники, твердые растворы, гетероструктуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.