Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2021, выпуск 21 » Статья стр. 36
<<<>>>
Грибовидная меза-структура для лавинных фотодиодов на гетероструктурах InAlAs/InGaAs
DOI: 10.21883/PJTF.2021.21.51627.18939
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.14.52106.18939
Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation, 2019-1442
Малеев Н.А. 1,2, Кузьменков А.Г. 3, Кулагина М.М. 1, Васильев А.П. 3, Блохин С.А. 1,2, Трошков С.И. 1, Нащекин А.В. 1, Бобров М.А. 1, Блохин А.А. 1, Воропаев К.О.4, Бугров В.Е. 2, Устинов В.М. 3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4АО «ОКБ-Планета», Великий Новгород, Россия
Email: maleev@beam.ioffe.ru, kuzmenkov@mail.ioffe.ru, marina.kulagina@mail.ioffe.ru, vasiljev@mail.ioffe.ru, blokh@mail.ioffe.ru, S.Troshkov@mail.ioffe.ru, Nashchekin@mail.ioffe.ru, bobrov.mikh@gmail.com, bloalex91@yandex.ru, voropaevko@okbplaneta.ru, vladislav.bougrov@niuitmo.ru, vmust@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 июня 2021 г.
В окончательной редакции: 28 июня 2021 г.
Принята к печати: 19 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 27 августа 2021 г.
PDF версия
Предложен и исследован вариант грибовидной конструкции меза-структуры для лавинных фотодиодов на основе InAlAs/InGaAs, формируемой с использованием селективного травления. Гетероструктуры для лавинных фотодиодов выращивались методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Изготовленные образцы тестовых лавинных фотодиодов с диаметром фоточувствительной области ~ 30 μm после пассивации поверхности слоем SiN демонстрируют пробивные напряжения в диапазоне 70-80 V, уровень темновых токов 75-200 nA при величине приложенного напряжения 90% от пробивного и величину фотоотклика в линейном режиме более 0.5 A/W при стыковке с одномодовым волокном.
  1. J.C. Campbell, IEEE J. Lightwave Techol., 34 (2), 278 (2016). DOI: 10.1109/JLT.2015.2453092
  2. F. Capasso, A.Y. Cho, P.W. Foy, Electron. Lett., 20 (15), 635 (1984). DOI: 10.1049/el:19840437
  3. Y. Liu, S.R. Forrest, J. Hladky, M.J. Lange, G.H. Orsen, D.E. Ackley, J. Lightwave Techol., 10 (2), 182 (1992). DOI: 10.1109/50.120573
  4. Y.L. Goh, A.R.J. Marshall, D.J. Massey, J.S. Ng, C.H. Tan, M. Hopkinson, J.P.R. David, S.K. Jones, C.C. Button, S.M. Pinches, IEEE J. Quant. Electron., 43 (6), 503 (2007). DOI: 0.1109/JQE.2007.897900
  5. L.J.J. Tan, D.S.G. Ong, J.S. Ng, C.H. Tan, S.K. Jones, Y. Qian, J.P.R. David, IEEE J. Quant. Electron., 46 (8), 1153 (2010). DOI: 10.1109/JQE.2010.2044370
  6. B.F. Levine, R.N. Sacks, J. Ko, M. Jazwiecki, J.A. Valdmanis, D. Gunther, J.H. Meier, IEEE Photon. Technol. Lett., 18 (18), 1898 (2006). DOI: 10.1109/LPT.2006.881684
  7. J.-J. Liu, W.-J. Ho, J.-Y. Chen, J.-N. Lin, C.-J. Teng, C.-C. Yu, Y.-C. Li, M.-J. Chang, Sensors, 19 (15), 3399 (2019). DOI: 10.3390/s19153399
  8. A. Rouvie, D. Carpentier, N. Lagay, J. Decobert, F. Pommereau, M. Achouche, IEEE Photon. Technol. Lett., 20 (6), 455 (2008). DOI: 10.1109/LPT.2008.918229
  9. Y. Yuan, Y. Li, J. Abell, J. Zheng, K. Sun, C. Pinzone, J.C. Campbell, Opt. Express, 27 (16), 22923 (2019). DOI: 10.1364/OE.27.022923
  10. X. Meng, S. Xie, X. Zhou, N. Calandri, M. Sanzaro, A. Tosi, C.H. Tan, J.S. Ng, R. Soc. Open Sci., 3 (3), 150584 (2016). DOI: 10.1098/rsos.150584

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme