Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2022, выпуск 3 » Статья стр. 10
<<<>>>
Особенности роста слоев в напряженных сверхрешетках InAs/GaSb
DOI: 10.21883/PJTF.2022.03.51974.18966
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.02.52835.18966
Левин Р.В.1, Неведомский В.Н. 1, Сокура Л.А. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Lev@vpegroup.ioffe.ru, nevedom@mail.ioffe.ru, sokuraliliy@mail.ru
Поступила в редакцию: 20 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 4 октября 2021 г.
Принята к печати: 18 октября 2021 г.
Выставление онлайн: 30 ноября 2021 г.
PDF версия
Представлены результаты исследования факторов, влияющих на толщину переходных слоев в напряженных сверхрешетках InAs/GaSb при их выращивании методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Показано, что толщины интерфейсных слоев между InAs и GaSb практически не зависят от температуры роста. Регистрируемое влияние на толщину интерфейсных слоев оказывает направление переключения роста слоев. Наименьшая толщина 1.2-1.4 nm интерфейсного слоя была получена для направления переключения роста с GaSb на InAs. Ключевые слова: газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, напряженная сверхрешетка, InAs/GaSb, интерфейсный слой, просвечивающая электронная микроскопия.
  1. C.H. Grein, P.M. Young, H. Ehrenreich, Appl. Phys. Lett., 61 (24), 2905 (1992). DOI: 10.1063/1.108480
  2. D.L. Smith, C. Mailhiot, J. Appl. Phys., 62 (6), 2545 (1987). DOI: 10.1063/1.339468
  3. M. Razeghi, B.-M. Nguyen, Rep. Prog. Phys., 77, 082401 (2014). DOI: 10.1088/0034-4885/77/8/082401
  4. A. Rogalski, P. Martyniuk, M. Kopytko, Appl. Phys. Rev., 4 (3), 031304 (2017). DOI: 10.1063/1.4999077
  5. J. Wu, Z. Xu, J. Chen, L. He, Infrared Phys. Technol., 92, 18 (2018). DOI: 10.1016/j.infrared.2018.05.004
  6. M.K. Hudait, M. Clavel, P.S. Goley, Y. Xie, J.J. Heremans, Y. Jiang, Z. Jiang, D. Smirnov, G.D. Sanders, C.J. Stanton, Mater. Adv., 1 (5), 1099 (2020). DOI: 10.1039/D0MA00046A
  7. X. Li, J. Cui, Y. Zhao, Q. Wu, Y. Teng, X. Hao, Y. Chen, J. Liu, H. Zhu, Y. Huang, Y. Yao, J. Appl. Phys., 127 (4), 045305 (2020). DOI: 10.1063/1.5115269
  8. G.B. Stringfellow, Organometallic vapor-phase epitaxy, 2nd ed. (Academic Press, London-N.Y., 1999), p. 260

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme