Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2022, выпуск 5 » Статья стр. 20
<<<>>>
Нелинейные эффекты при распылении арсенида галлия и кремния кластерными ионами висмута
DOI: 10.21883/PJTF.2022.05.52150.19071
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.03.52875.19071
Министерство науки и высшего образования РФ , Базовая часть государственного задания, FSSN-2020-0003
Толстогузов А.Б. 1,2,3, Мажаров П.А.4, Иешкин А.Е. 5, Meyer F.4, Fu D.J.3
1Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
2Centre for Physics and Technological Research, Universidade Nova de Lisboa, Caparica, Portugal
3Key Laboratory of Artificial Micro- and Nanostructures of Ministry of Education and Hubei Key Laboratory of Nuclear Solid Physics, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan, China
4Raith GmbH, Dortmund, Germany
5Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: a.tolstoguzov@fct.unl.pt, Paul.Mazarov@raith.de, ieshkin@physics.msu.ru, fabian.meyer@raith.de, djfu@whu.edu.cn
Поступила в редакцию: 8 ноября 2021 г.
В окончательной редакции: 1 декабря 2021 г.
Принята к печати: 2 декабря 2021 г.
Выставление онлайн: 7 января 2022 г.
PDF версия
Проведено экспериментальное исследование влияния энергии и количества атомов в бомбардирующих ионах Bin+ (n=1-4) на коэффициент распыления GaAs. Показано, что удельный коэффициент распыления Ysp неаддитивно увеличивается с ростом n и кинетической энергии Esp, приходящейся на один атом в бомбардирующем ионе, и эффективность передачи энергии от бомбардирующих ионов к атомам мишени также возрастает с ростом n. Проведено сравнение с полученными ранее результатами для Si-мишеней. Ключевые слова: ионное распыление, коэффициент неаддитивности, кластерные ионы, висмут.
  1. П.А. Мажаров, В.Г. Дудников, А.Б. Толстогузов, УФН, 190 (12), 1293 (2020). DOI: 10.3367/UFNr.2020.09.038845 [P.A. Mazarov, V.G. Dudnikov, A.B. Tolstoguzov, Phys. Usp., 63 (12), 1219 (2020). DOI: 10.3367/UFNe.2020.09.038845]
  2. A.E. Ieshkin, A.V. Nazarov, A.A. Tatarintsev, D.S. Kireev, A.D. Zavilgelsky, A.A. Shemukhin, V.S. Chernysh, Surf. Coat. Technol., 404, 126505 (2020). DOI: 10.1016/j.surfcoat.2020.126505
  3. Д.С. Мелузова, П.Ю. Бабенко, А.Н. Зиновьев, А.П. Шергин, Письма в ЖТФ, 46 (24), 19 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.24.50422.18487 [D.S. Meluzova, P.Yu. Babenko, A.N. Zinoviev, A.P. Shergin, Tech. Phys. Lett., 46 (12), 1227 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020120226]
  4. V.N. Popok, J. Samela, K. Nordlund, V.P. Popov, Phys. Rev. B, 85 (3), 033405 (2012). DOI: 10.1103/PhysRevB.85.033405
  5. M. Lindenblatt, R. Heinrich, A. Wucher, B.J. Garrison, J. Chem. Phys., 115 (18), 8643 (2001). DOI: 10.1063/1.1404982
  6. C. Anders, K.-H. Heinig, H.M. Urbassek, Phys. Rev. B, 87 (24), 245434 (2013). DOI: 10.1103/PhysRevB.87.245434
  7. R.J. Paruch, Z. Postawa, B.J. Garrison, J. Vac. Sci. Technol. B, 34 (3), 03H105 (2016). DOI: 10.1116/1.4940153
  8. P.A. Karaseov, K.V. Karabeshkin, A.I. Titov, M.W. Ullah, A. Kuronen, F. Djurabekova, K. Nordlund, G.M. Ermolaeva, V.B. Shilov, J. Phys. D: Appl. Phys., 50 (50), 505110 (2017). DOI: 10.1088/1361-6463/aa97ab
  9. A.V. Samartsev, A. Duvenbeck, A. Wucher, Phys. Rev. B, 72 (11), 115417 (2005). DOI: 10.1103/PhysRevB.72.115417
  10. L. Bischoff, W. Pilz, P. Mazarov, A.D. Wieck, Appl. Phys. A, 99 (1), 145 (2010). DOI: 10.1007/s00339-010-5597-0
  11. A. Tolstogouzov, P. Mazarov, A.E. Ieshkin, S.F. Belykh, N.G. Korobeishchikov, V.O. Pelenovich, D.J. Fu, Vacuum, 188, 110188 (2021). DOI: 10.1016/j.vacuum.2021.110188
  12. https://www.raith.com/ (12/2021)
  13. W. Pilz, N. Klingner, L. Bischoff, P. Mazarov, S. Bauerdick, J. Vac. Sci. Technol. B, 37 (2), 021802 (2019). DOI: 10.1116/1.5086271
  14. P. Schneider, L. Bischoff, J. Teichert, E. Hesse, Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 117 (1-2), 77 (1996). DOI: 10.1016/0168-583X(96)00273-X
  15. http://www.srim.org/ (12/2021)
  16. P. Sigmund, C. Claussen, J. Appl. Phys., 52 (2), 990 (1981). DOI: 10.1063/1.328790
  17. Yu. Kudriavtsev, R. Asomoza, A. Hernandez, D.Yu. Kazantsev, B.Ya. Ber, A.N. Gorokhodv, J. Vac. Sci. Technol., 38 (5), 053203 (2020). DOI: 10.1116/6.0000262
  18. Physics of semiconductor devices, 3rd ed., ed by S.M. Sze, K.K. Ng (Wiley, Hoboken, 2007)
  19. C.Y. Lou, G.A. Somorjai, J. Chem. Phys., 55 (9), 4554 (1971). DOI: 10.1063/1.167678
  20. V.I. Shulga, P. Sigmund, Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 47 (3), 236 (1990). DOI: 10.1016/0168-583X(90)90751-F
  21. S. Bouneau, A. Brunelle, S. Della-Negra, J. Depauw, D. Jacquet, Y. Le Beyec, M. Pautrat, M. Fallavier, J.C. Poizat, H.H. Andersen, Phys. Rev. B, 65 (14), 144106 (2002). DOI: 10.1103/PhysRevB.65.144106

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme