Для получения упорядоченно расположенных нанофаз Со и CoSi₂ на поверхности Si предварительно созданы зародыши методом бомбардировки ионами Ar⁺ с энергией E₀=0.5 keV и дозой облучения D=8· 10¹³ cm^-2. Установлено, что при толщине слоя Со менее 3 ML в зонной структуре появляется узкая запрещенная зона (E_g~ 0.3 eV). Металлические свойства пленки Со проявляются при толщине более 4-5 ML. Прогрев системы Co/Si(111) при T=900 K приводит к образованию нанофаз и нанопленок CoSi₂. Величина E_g для нанофаз CoSi₂ с theta~ 3 ML составляет ~ 0.8 eV, а для пленки CoSi₂ - 0.6 eV. Ключевые слова: нанофаза, эпитаксия, низкоэнергетическая бомбардировка, поверхность, монокристалл, островковый рост, доза ионов, степень покрытия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.