Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2022, выпуск 5 » Статья стр. 27
<<<>>>
Влияние предварительной ионной бомбардировки на формирование нанопленок Co и CoSi2 на поверхности Si при твердофазном осаждении
DOI: 10.21883/PJTF.2022.05.52152.19043
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.03.52877.19043
Турапов И.Х.1, Бекпулатов И.Р. 1, Ташатов А.К.2, Умирзаков Б.Е.1
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
2Каршинский государственный университет, Карши, Узбекистан
Email: turapov_19_86@mail.ru, bekpulatov85@rambler.ru, atashatov@mail.ru, be.umirzakov@gmail.com
Поступила в редакцию: 1 октября 2021 г.
В окончательной редакции: 1 октября 2021 г.
Принята к печати: 6 декабря 2021 г.
Выставление онлайн: 7 января 2022 г.
PDF версия
Для получения упорядоченно расположенных нанофаз Со и CoSi2 на поверхности Si предварительно созданы зародыши методом бомбардировки ионами Ar+ с энергией E0=0.5 keV и дозой облучения D=8· 1013 cm-2. Установлено, что при толщине слоя Со менее 3 ML в зонной структуре появляется узкая запрещенная зона (Eg~ 0.3 eV). Металлические свойства пленки Со проявляются при толщине более 4-5 ML. Прогрев системы Co/Si(111) при T=900 K приводит к образованию нанофаз и нанопленок CoSi2. Величина Eg для нанофаз CoSi2 с theta~ 3 ML составляет ~ 0.8 eV, а для пленки CoSi2 - 0.6 eV. Ключевые слова: нанофаза, эпитаксия, низкоэнергетическая бомбардировка, поверхность, монокристалл, островковый рост, доза ионов, степень покрытия.
  1. J.S. Pan, R.S. Liu, Z. Zhang, S.W. Poon, W.J. Ong, E.S. Tok, Surf. Sсi., 600 (6), 1308 (2006). DOI: 10.1016/j.susc.2006.01.029
  2. S.P. Dash, D. Goll, H.D. Сarstanjen, Appl. Phys. Lett., 90 (13), 132109 (2007). DOI: 10.1063/1.2717525
  3. J.S. Tsay, С.S. Yang, Y. Liou, Y.D. Yao, J. Appl. Phys., 85 (8), 4967 (1999). DOI: 10.1063/1.370060
  4. H.W. Сhang, J.S. Tsay, Y.С. Hung, F.T. Yuan, W.Y. Сhan, W.B. Su, С.S. Сhang, Y.D. Yao, J. Appl. Phys., 101 (9), 09D124 (2007). DOI: 10.1063/1.2712532
  5. М.В. Гомоюнова, Г.С. Гребенюк, И.И. Пронин, ЖТФ, 81 (6), 120 (2011). [M.V. Gomoyunova, G.S. Grebenyuk, I.I. Pronin, Tech. Phys.,  56 (6), 865 (2011). DOI: 10.1134/S1063784211060077]
  6. K.O. Hara, Ch.T. Trinh, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, Y. Kurokawa, T. Suemasu, N. Usami, in IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conf. (PVSC) (IEEE, 2016), p. 25. DOI: 10.1109/PVSC.2016.7750159
  7. T. Nemoto, S. Matsuno, T. Sato, K. Gotoh, M. Mesuda, H. Kuramochi, K. Toko, N. Usami, T. Suemasu, Jpn. J. Appl. Phys.,  59 (SF), SFFA06 (2020). DOI: 10.35848/1347-4065/ab69dc
  8. В.Л. Дубов, Д.В. Фомин, Успехи прикл. физики, 4 (6), 599 (2016). https://www.advance.orion-ir.ru/UPF-16/6/UPF-4-6-599.pdf
  9. B.E. Umirzakov, D.A. Tashmukhamedova, A. Dzhurakhalov, E.U. Boltaev, Mater. Sci. Eng., 101 (1), 124 (2003). DOI: 10.1016/S0921-5107(02)00677-3
  10. А.С. Рысбаев, А.К. Ташатов, Ш.Х. Джураев, Ж.Б. Хужаниязов, Г. Арзикулов, С.С. Насриддинов, Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 12, 72 (2011). [A.S. Rysbaev, A.K. Tashatov, Sh.X. Dzhuraev, Zh.B. Khuzhaniyazov, G. Arzikulov, S.S. Nasriddinov, J. Synch. Investig., 5 (6), 1193 (2011). DOI: 10.1134/S1027451011100193]
  11. А.А. Алексеев, Д.А. Олянич, Т.В. Утас, В.Г. Котляр, А.В. Зотов, А.А. Саранин, ЖТФ, 85 (10), 94 (2015). http://journals.ioffe.ru/ articles/viewPDF/42337 [A.A. Alekseev, D.A. Olyanich, T.V. Utas, V.G. Kotlyar, A.V. Zotov, A.A. Saranin, Tech. Phys., 60 (10), 1508 (2015). DOI: 10.1134/S1063784215100023]
  12. Е.С. Эргашов, Д.А. Ташмухамедова, Б.Е. Умирзаков, Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 4, 104 (2017). [Y.S. Ergashov, D.A. Tashmukhamedova, B.E. Umirzakov, J. Synch. Investig., 11 (2), 480 (2017). DOI: 10.1134/S1027451017020252]
  13. Ё.С. Эргашов, Б.Е. Умирзаков, ЖТФ, 88 (12), 1859 (2018). DOI: 10.21883/JTF.2018.12.46788.12-18 [Y.S. Ergashov, B.E. Umirzakov, Tech. Phys., 63 (12), 1820 (2018). DOI: 10.1134/S1063784218120058]
  14. В.И. Рудаков, Ю.И. Денисенко, В.В. Наумов, С.Г. Симакин, Письма в ЖТФ, 37 (3), 36 (2011). [V.I. Rudakov, Yu.I. Denisenko, V.V. Naumov, S.G. Simakin, Tech. Phys. Lett., 37 (2), 112 (2011). DOI: 10.1134/S106378501102012X]
  15. В.С. Вавилов, УФН,  145 (2), 329 (1985). DOI: 10.3367/UFNr.0145.198502e.0329 [V.S. Vavilov, Sov. Phys. Usp., 28 (2), 196 (1985). DOI: 10.1070/PU1985v028n02ABEH003854]
  16. R. Ayache, M. Sidoumou, A. Kolitsch, Int. J. Thin Films Sci. Technol., 4 (3), 211 (2015). DOI: 10.12785/ijtfst/040309
  17. Н.Н. Герасименко, Рос. хим. журн., 46 (5), 30 (2002). http://www.chemnet.ru/rus/journals /jvho/2002-5/30.pdf
  18. Б.Е. Умирзаков, С.Б. Донаев, Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 7, 70 (2017). [B.E. Umirzakov, S.B. Donaev, J. Synch. Investig., 11 (4), 746 (2017). DOI: 10.1134/S1027451017040139].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme