Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2022, выпуск 7 » Статья стр. 20
<<<>>>
Изучение эффективности теплоотвода композитных подложек "кремний на алмазе" для устройств на основе нитрида галлия
DOI: 10.21883/PJTF.2022.07.52287.19111
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.04.53163.19111
Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт», приказ № 2753 от 28.10.2021
Езубченко И.С. 1, Черных М.Я. 1, Черных И.А. 1, Андреев А.А.1, Майборода И.О. 1, Колобкова Е.М. 1, Храповицкая Ю.В.1, Грищенко Ю.В. 1, Перминов П.А.1, Занавескин М.Л. 1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: ezivan9@gmail.com, garaeva-maria@yandex.ru, igor.chernykh@gmail.com, alan.andreev@gmail.com, mrlbr@mail.ru, kolobkovaevg@gmail.com, khrapovitskaya.julia@mail.ru, grishchenko.jv@gmail.com, pavlikap@mail.ru, zanaveskin.maxim@gmail.com
Поступила в редакцию: 21 декабря 2021 г.
В окончательной редакции: 12 января 2022 г.
Принята к печати: 19 января 2022 г.
Выставление онлайн: 20 февраля 2022 г.
PDF версия
Выполнены термометрические измерения встречно-штыревых структур на основе нитрида галлия, созданных на композитных подложках "кремний на алмазе". Проведено сравнение эффективности теплоотвода с аналогичной характеристикой в случае использования стандартной технологии "нитрид галлия на карбиде кремния". Показано, что использование нового типа композитных подложек "кремний на алмазе" позволяет понизить температуру поверхности более чем на 50oC по сравнению со случаем применения подложек карбида кремния при рассеиваемой мощности выше 7 W. Предложенный подход является перспективным для увеличения выходной мощности устройств на основе нитрида галлия, а также для увеличения их надежности. Ключевые слова: нитрид галлия, теплоотвод, алмаз, рассеиваемая мощность.
  1. P. Fay, D. Jena, P. Maki, High-frequency GaN electronic devices (Springer, Cham, 2020), p. 1-40. DOI: 10.1007/978-3-030-20208-8
  2. MACOM --- RF Power Amplifier --- GaN [Электронный ресурс]. URL: https://www.macom.com/products/rf-power-amplifiers- 5w/rf-power-amplifier---gan (дата обращения 15.10.2021)
  3. A.V. Inyushkin, A.N. Taldenkov, V.G. Ralchenko, A.P. Bolshakov, A.V. Koliadin, A.N. Katrusha, Phys. Rev. B, 97 (14), 144305 (2018). DOI: 10.1103/PhysRevB.97.144305
  4. S. Hiza, M. Fujikawa, Y. Takiguchi, K. Nishimura, E. Yagyu, T. Matsumae, Y. Kurashima, H. Takagi, M. Yamamuka, in 2019 Int. Conf. on solid state devices and materials (Nagoya University, Japan, 2019), p. 467. DOI: 10.7567/SSDM.2019.K-4-04
  5. Y. Minoura, T. Ohki, N. Okamoto, A. Yamada, K. Makiyama, J. Kotani, S. Ozaki, M. Sato, N. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., 59 (SG), SGGD03 (2020). DOI: 10.7567/1347-4065/ab5b68
  6. Y. Zhou, R. Ramaneti, J. Anaya, S. Korneychuk, J. Derluyn, H. Sun, J. Pomeroy, J. Verbeeck, K. Haenen, M. Kuball, Appl. Phys. Lett., 111 (4), 041901 (2017). DOI: 10.1063/1.4995407
  7. М.Я. Черных, И.С. Езубченко, И.О. Майборода, И.А. Черных, Е.М. Колобкова, П.А. Перминов, В.С. Седов, А.С. Алтахов, А.А. Андреев, Ю.В. Грищенко, А.К. Мартьянов, В.И. Конов, М.Л. Занавескин, Рос. нанотехнологии, 15 (6), 820 (2020). DOI: 10.1134/S1992722320060072
  8. И.О. Майборода, И.А. Черных, В.С. Седов, А.С. Алтахов, А.А. Андреев, Ю.В. Грищенко, Е.М. Колобкова, А.К. Мартьянов, В.И. Конов, М.Л. Занавескин, Письма в ЖТФ, 47 (7), 13 (2021). DOI: 10.21883/PJTF.2021.07.50792.18630 [I.O. Maiboroda, I.A. Chernykh, V.S. Sedov, A.S. Altakhov, A.A. Andreev, Yu.V. Grishchenko, E.M. Kolobkova, A.K. Mart'yanov, V.I. Konov, M.L. Zanaveskin, Tech. Phys. Lett. (2021). DOI: 10.1134/S1063785021040118]
  9. S. Lee, R. Vetury, J.D. Brown, S.R. Gibb, W.Z. Cai, J. Sun, D.S. Green, J. Shealy, in 2008 IEEE Int. Reliability Physics Symp. (Phoenix, USA, 2008), p. 446. DOI: 10.1109/RELPHY.2008.4558926

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme