Влияние водорода на электрические и фотоэлектрические свойства тонкопленочных структур InP/Pd, полученных золь-гель методом
Гребенщикова Е.А.1, Шутаев В.А.1, Матвеев В.А.2, Губанова Н.Н.2,3, Шилова О.А.3,4, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
3Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: lot160@mail.ru, vadimshutaev@mail.ru, matveev_va@pnpi.nrcki.ru, gubanova_nn@pnpi.nrcki.ru, olgashilova@bk.ru, Yakovlev@iropto.ioffe.ru
Выставление онлайн: 27 апреля 2022 г.
Исследованы вольт-амперные характеристики и фотоэлектрические свойства полупроводниковых структур, содержащих наночастицы Pd в составе тонких пленок, синтезированных золь-гель методом на подложке n-InP. Показано, что в присутствии водорода изменяется напряжение отсечки, и при освещении структуры светодиодом (λ=0.9 μm) и импульсном воздействии водородом изменяются фотоэдс и фототок, что наблюдалось нами ранее для чувствительных к водороду диодов Шоттки Pd/n-InP. Обсуждается перспективность использования исследуемых структур в качестве чувствительных элементов для сенсора водорода. Ключевые слова: наночастицы палладия, золь-гель метод, водород, диоды Шоттки, сенсор водорода.
- C.C. Ndaya, N. Javahiraly, A. Brioude, Sensors, 19, 4478 (2019). DOI: 10.3390/s19204478
- A. Salomonsson, M. Eriksson, H. Dannetun, J. Appl. Phys., 98, 014505 (2005). DOI: 10.1063/1.1953866
- B. Podlepetsky, M. Nikiforova, A. Kovalenko, Sensors Actuators B, 254, 1200 (2018). DOI: 10.1016/j.snb.2017.07.156
- Е.А. Гребенщикова, Х.М. Салихов, В.Г. Сидоров, В.А. Шутаев, Ю.П. Яковлев, ФТП, 52 (10), 1183 (2018). DOI: 10.21883/FTP.2018.10.46458.8854 [E.A. Grebenshchikova, Kh.M. Salikhov, V.G. Sidorov, V.A. Shutaev, Yu.P. Yakovlev, Semiconductors, 52 (10), 1303 (2018). DOI: 10.1134/S1063782618100044]
- В.А. Шутаев, В.Г. Сидоров, Е.А. Гребенщикова, Л.К. Власов, А.А. Пивоварова, Ю.П. Яковлев, ФТП, 53 (10), 1427 (2019). DOI: 10.21883/FTP.2019.10.48302.9152 [V.A. Shutaev, V.G. Sidorov, E.A. Grebenshchikova, L.K. Vlasov, A.A. Pivovarova, Yu.P. Yakovlev, Semiconductors, 53 (10), 1389 (2019). DOI: 10.1134/S106378261910018X]
- С.В. Тихов, Е.Л. Шоболов, В.В. Подольский, С.Б. Левичев, ЖТФ, 73 (2), 87 (2003). http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/7910 [S.V. Tikhov, E.L. Shobolov, V.V. Podol'skiy, S.B. Levichev, Tech. Phys., 48 (2), 219 (2003). DOI: 10.1134/1.1553564]
- C.J. Brinker, G.W. Scherer, Sol-gel science, the physics and chemistry of sol-gel processing (Academic Press, Inc., San Diego, 1990). https://www.researchgate.net/publication/334139961
- E. Negishi, D. Choueiry, in Handbook of organopalladium chemistry for organic synthesis, ed. by E. Negishi (Wiley, N.Y., 2002), vol. 1, ch. II.2.3. https://doi.org/10.1002/0471212466.ch6
- T. Shimizu, K. Kanamori, K. Nakanishi, Chemistry --- A Eur. J., 23, 5176 (2017). DOI: 10.1002/chem.201782261
- N.N. Gubanova, V.A. Matveev, O.A. Shilova, J. Sol-Gel Sci. Technol., 92, 367 (2019). DOI: 10.1007/s10971-019-04971-y
- O.A. Shilova, N.N. Gubanova, V.A. Matveev, A.G. Ivanova, M.Y. Arsentiev, К.E. Pugachev, Е.М. Ivankova, I.Yu. Kruchinina, J. Mol. Liq., 288, 110996 (2019). DOI: 10.1016/j.molliq.2019.110996
- A. Taylor, H. Sinclair, Proc. Phys. Soc., 57, 126 (1945). https://en.wikipedia.org/wiki/Proceedings_of_the_Physical_ Society
- B.D. Cullity, Elements of X-ray diffraction (Addison-Wesley, San Franciso, 1978). https://www.worldcat.org/title/elements-of-x-ray-diffraction/oclc/3672627
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
