Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Повышение эффективности фотопьезоэлектрического индуцирования акустических волн в полуизолирующих монокристаллах арсенида галлия
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.05.53484.19167 
1Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия 
2Международный институт компьютерных технологий, Воронеж, Россия
3Военно-воздушная академия им. профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина, Воронеж, Россия
4Воронежский институт МВД России, Воронеж, Россия
2Международный институт компьютерных технологий, Воронеж, Россия
3Военно-воздушная академия им. профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина, Воронеж, Россия
4Воронежский институт МВД России, Воронеж, Россия
Email: mitro4@yandex.ru, krivenko_nadin@mail.ru
Поступила в редакцию: 15 февраля 2022 г.
В окончательной редакции: 15 февраля 2022 г.
Принята к печати: 5 апреля 2022 г.
Выставление онлайн: 27 апреля 2022 г.
Проведен анализ влияния акустических потерь на эффективность индуцирования резонансных акустических волн в монокристаллических пластинах арсенида галлия с помощью световых импульсов инфракрасного диапазона. Установлено, что амплитуда возбуждаемых механических колебаний зависит от величины и положения на температурной шкале внутреннего трения в кристалле, обусловленного акустоэлектронной релаксацией. Сформулированы рекомендации по выбору элемента легирующей примеси арсенида галлия. Ключевые слова: оптическое поглощение, пьезоэлектрический эффект, релаксация, оптические импульсы.
- В.И. Митрохин, С.И. Рембеза, Р.Н. Антонов, ФТП, 45 (12), 1611 (2011). [V.I. Mitrokhin, S.I. Rembeza, R.N. Antonov, Semiconductors, 45 (12), 1550 (2011). DOI: 10.1134/S1063782611120098]
- В.И. Митрохин, С.И. Рембеза, Вестн. Воронеж. гос. техн. ун-та, 7 (10), 9 (2011)
- С.С. Хлудков, О.П. Толбанов, М.Д. Вилисова, И.А. Прудаев, Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами (Изд. дом Томск. гос. ун-та, Томск, 2016)
- В.И. Фистуль, Атомы легирующих примесей в полупроводниках (Физматлит, М., 2004)
- О.П. Толбанов, Электронная промышленность, N 1, 108 (2014)
- С.Г. Алексеев, Ю.В. Гуляев, И.М. Котелянский, Г.Д. Мансфельд, УФН, 175 (8), 895 (2005). DOI: 10.3367/UFNr.0175.200508i.0895 [S.G. Alekseev, Yu.V. Gulyaev, I.M. Kotelyanskii, G.D. Mansfel'd, Phys. Usp., 48 (8), 855 (2005). DOI: 10.1070/PU2005v048n08ABEH002841]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
