Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2022, выпуск 11 » Статья стр. 12
<<<>>>
Роль эффекта затенения в кинетике роста III-V нитевидных нанокристаллов методом молекулярно-пучковой эпитаксии
DOI: 10.21883/PJTF.2022.11.52606.19202
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.06.53455.19202
РНФ, 19-72-30004
Дубровский В.Г.1, Рылькова М.В.1, Соколовский А.С.1, Соколова Ж.В.1,2, Микушев С.В.1
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный экономический университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: dubrovskii@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 8 апреля 2022 г.
Принята к печати: 11 апреля 2022 г.
Выставление онлайн: 2 мая 2022 г.
PDF версия
Предложена модель роста нитевидных нанокристаллов (ННК) полупроводниковых соединений III-V методом молекулярно-пучковой эпитаксии за счет диффузии адатомов элемента III группы с учетом эффекта затенения. Показано, что данный эффект оказывает существенное влияние на кинетику роста в плотных ансамблях ННК. Получено новое решение для длины ННК как функции их радиуса и эффективной толщины осаждения. Проведено сравнение расчетных и экспериментальных длин ННК InP. Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы, диффузия адатомов, эффект затенения.
  1. Y. Zhang, A.V. Velichko, H. Aruni Fonseka, P. Parkinson, J.A. Gott, G. Davis, M. Aagesen, A.M. Sanchez, D. Mowbray, H. Liu, Nano Lett., 21, 5722 (2021). DOI: 10.1021/acs.nanolett.1c01461
  2. V. Khayrudinov, M. Remennyi, V. Raj, P. Alekseev, B. Matveev, H. Lipsanen, T. Haggre, ACS Nano, 14, 7484 (2020). DOI: 10.1021/acsnano.0c03184
  3. L. Leandro, C.P. Gunnarsson, R. Reznik, K.D. Jons, I. Shtrom, A. Khrebtov, T. Kasama, V. Zwiller, G. Cirlin, N. Akopian, Nano Lett., 18, 7217 (2018). DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b03363
  4. J. Sun, X. Zhuang, Y. Fan, S. Guo, Z. Cheng, D. Liu, Y. Yin, Y. Tian, Z. Pang, Z. Wei, X. Song, L. Liao, F. Chen, J.C. Ho, Z. Yang, Small, 17, 2170190 (2021). DOI: 10.1002/smll.202170190
  5. F. Glas, Phys. Rev. B, 74, 121302(R) (2006). DOI: 10.1103/PhysRevB.74.121302
  6. L.C. Chuang, M. Moewe, C. Chase, N.P. Kobayashi, C. Chang-Hasnain, Appl. Phys. Lett., 90, 043115 (2007). DOI: 10.1063/1.2436655
  7. G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, V.N. Petrov, N.K. Polyakov, N.P. Korneeva, V.N. Demidov, A.O. Golubok, S.A. Masalov, D.V. Kurochkin, O.M. Gorbenko, N.I. Komyak, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, A.F. Tsatusul'nikov, B.V. Volovik, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, Semicond. Sci. Technol., 13, 1262 (1998). DOI: 10.1088/0268-1242/13/11/005
  8. V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, Yu.B. Samsonenko, N.V. Sibirev, V.M. Ustinov, Phys. Status Solidi B, 241, R30 (2004). DOI: 10.1002/pssb.200409042
  9. C. Colombo, D. Spirkoska, M. Frimmer, G. Abstreiter, A. Fontcuberta i Morral, Phys. Rev. B, 77, 155326 (2008). DOI: 10.1103/PhysRevB.77.155326
  10. S. Hertenberger, D. Rudolph, M. Bichler, J.J. Finley, G. Abstreiter, G. Koblmuller, J. Appl. Phys., 108, 114316 (2010). DOI: 10.1063/1.3525610
  11. Q. Gao, V.G. Dubrovskii, P. Caroff, J. Wong-Leung, L. Li, Y. Guo, L. Fu, H.H. Tan, C. Jagadish, Nano Lett., 16, 4361 (2016). DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b01461
  12. J. Johansson, M.H. Magnusson, J. Cryst. Growth, 525, 125192 (2019). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.125192
  13. V.G. Dubrovskii, Yu.Yu. Hervieu, J. Cryst. Growth, 401, 431 (2014). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.01.015
  14. M.C. Plante, R.R. LaPierre, J. Appl. Phys., 105, 114304 (2009). DOI: 10.1063/1.3131676
  15. J.C. Harmand, F. Glas, G. Patriarche, Phys. Rev. B, 81, 235436 (2010). DOI: 10.1103/PhysRevB.81.235436
  16. F. Oehler, A. Cattoni, A. Scaccabarozzi, J. Patriarche, F. Glas, J.C. Harmand, Nano Lett., 18, 701 (2018). DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b03695
  17. D. Dalacu, A. Kam, D.G. Austing, X. Wu, J. Lapointe, G.C. Aers, P.J. Poole, Nanotechnology, 20, 395602 (2009). DOI: 10.1088/0957-4484/20/39/395602
  18. V.G. Dubrovskii, Nanomaterials, 12, 253 (2022). DOI: 10.3390/nano12020253
  19. N.V. Sibirev, M. Tchernycheva, M.A. Timofeeva, J.C. Harmand, G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, J. Appl. Phys., 111, 104317 (2012). DOI: 10.1063/1.4718434
  20. F. Glas, Phys. Status Solidi B, 247, 254 (2010). DOI: 10.1002/pssb.200945456

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme