Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Геометрическая форма областей разрушения в ходе скользящей наноиндентации тонких пленок Si-C-N, применяемых для Н/МЭМС
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.08.55113.19132 
1Dept. of Nano Science and Technology, Central University of Jharkhand, Brambe, India 
2Centre of Excellence in Green and Efficient Energy Technology (CoE GEET), Central University of Jharkhand, Brambe, India
2Centre of Excellence in Green and Efficient Energy Technology (CoE GEET), Central University of Jharkhand, Brambe, India
Email: arnab.bhattacharya@cuj.ac.in
Поступила в редакцию: 11 января 2022 г.
В окончательной редакции: 11 января 2022 г.
Принята к печати: 3 июня 2022 г.
Выставление онлайн: 14 июля 2022 г.
Области разрушения, возникающие в ходе скользящей наноиндентации такого технологически важного материала, как тонкие пленки SiCN, по геометрической форме напоминают лемнискату и кардиоиду. Оценочное значение прочности адгезии составило 9 GPa. Разрушение могло быть следствием двух различных режимов напряжений: один, касательный (тангенциальный), отвечает за разрушение материала в форме износа, а другой, аксиальный, отвечает за нарушение адгезии между пленкой и подложкой. Измерения по методу энергодисперсионной спектроскопии на участках с нанесенными царапинами показали полное разрушение адгезии. Ключевые слова: скользящая наноиндентация, тонкие пленки SiCN, прочность адгезии.
- A.S. Bhattacharyya, Surf. Topogr.: Metrol. Prop., 9, 035052 (2021). DOI: 10.1088/2051-672X/ac28aa
- J. Minming, X. Ke, L. Ningbo, Z. Beirong, Ceram. Int., 48, 2112 (2022). DOI: 10.1016/j.ceramint.2021.09.299
- I. Tanaka, S. Matuoka, Y. Harada, Diamond Relat. Mater., 121, 108732 (2022). DOI: 10.1016/j.diamond.2021.108732
- C. Jung, S. Song, H. Park, Y. Kim, E.J. Lee, S.G Lee, H. Jeon, J. Vac. Sci. Technol. A, 39, 042404 (2021). DOI: 10.1116/6.0000887
- N. Singh, K. Singh, D. Kaur, Ceram. Int., 43, 8970 (2017). DOI: 10.1016/j.ceramint.2017.04.037
- N. Singh, D. Kaur, Appl. Phys. Lett., 113, 162103 (2018). DOI: 10.1063/1.5045723
- Y.-J. Choi, J.-H. Lee, J.-S. Choi, S.-J. An, Y.-M. Hwang, J.-S. Roh, K.-S. Im, Crystals, 11, 489 (2021). DOI: 10.3390/cryst11050489
- J.-H. Lee, K.-S. Im, J.-H. Lee, IEEE J. Electron Dev. Soc., 9, 728 (2021). DOI: 10.1109/JEDS.2021.3100760
- Q. Li, C. Chen, M. Wang, Y. Lv, Y. Mao, M. Xu, Y. Wang, X. Wang, Z. Zhang, S. Wang, W. Zhao, J. Stiens, J. Mater. Res. Technol., 15, 460 (2021). DOI: 10.1016/j.jmrt.2021.08.043
- Q. Li, C. Chen, M. Xu, Y Wang, X Wang, Z Zhang, W. Zhao, J. Stiens, Appl. Surf. Sci., 546, 149121 (2021). DOI: 10.1016/j.apsusc.2021.149121
- S. Wang, H. Gong, Y. Zhang, M.Z. Ashfaq, Ceram. Int., 47, 1302 (2021). DOI: 10.1016/j.ceramint.2020.08.250
- R. Riedal, H.-J. Kleebe, H. Schonfelder, F. Aldinger, Nature, 374, 526 (1995). DOI: 10.1038/374526a0
- S.J. Bull, E.G. Berasetegui, Tribol. Int., 39, 99 (2006). DOI: 10.1016/j.triboint.2005.04.013
- S.K. Mishra, A.S. Bhattacharyya, Mater. Lett., 62, 398 (2008). DOI: 10.1016/j.matlet.2007.05.043
- A.S. Bhattacharyya, R.P. Kumar, S. Priyadarshi, Sonu, S. Shivam, S. Anshu, J. Mater. Eng. Perform., 27, 2719 (2018). DOI: 10.1007/s11665-018-3289-7
- A.S. Bhattacharyya, R.P. Kumar, G. Acharya, V. Ranjan, Current Smart Mater., 2, 39 (2017). DOI: 10.2174/2405465801666161130154515
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
