Для улучшения параметров ключевых СВЧ-транзисторов оптимизированы гетероструктуры pHEMT. Оптимизированные гетероструктуры имеют одностороннее delta-легирование на уровне 6· 10¹² cm^-2 и спейсер AlAs/GaAs. На их основе изготовлены интегральные схемы двухпозиционных pHEMT-переключателей с длиной и шириной затвора 0.5 и 100 μm соответственно. Полученные транзисторы имеют следующие параметры: g_max=400 mS/mm, ток насыщения I_D=380 mA/mm, сопротивление во включенном состоянии 1.0 Ω· mm, емкость в выключенном состоянии 0.37 pF/mm. Параметры переключателей на частоте 20 GHz следующие: вносимые потери -2.2 dB, потери запирания -56 dB, возвратные потери -11.7 dB, линейность P_{1 dB}=21 dBm и IIP₃=40 dBm. Ключевые слова: pHEMT, одностороннее легирование, конструкция спейсера, минимальное сопротивление, ключевой транзистор.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.