Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2022, выпуск 19 » Статья стр. 35
<<<>>>
Получение толстых слоев ε(kappa)-Ga2O3 методом хлоридной эпитаксии
DOI: 10.21883/PJTF.2022.19.53594.19169
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.10.54794.19169
Степанов С.И.1, Печников А.И.1, Щеглов М.П.1, Чикиряка А.В.1, Николаев В.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: s.i.stepanov@gmail.com
Поступила в редакцию: 16 февраля 2022 г.
В окончательной редакции: 16 февраля 2022 г.
Принята к печати: 23 августа 2022 г.
Выставление онлайн: 20 сентября 2022 г.
PDF версия
Впервые методом хлоридной эпитаксии выращены толстые эпитаксиальные пленки орторомбического оксида галлия ε(kappa)-Ga2O3 высокого кристаллического качества толщиной более 20 μm. В качестве подложек использовались сапфировые пластины с предварительно осажденным слоем GaN. Исследованы свойства полученных слоев методами рентгеновской дифракции и электронной микроскопии. Полученные результаты рассматриваются как важный шаг для получения толстых слоев и квазиобъемных кристаллов ε(kappa)-Ga2O3 для практического применения в электронной и сенсорной технике. Ключевые слова: оксид галлия, хлоридная эпитаксия, полиморф, рентгеновская дифракция.
  1. F. Mezzadri, G. Calestani, F. Boschi, D. Delmonte, M. Bosi, R. Fornari, Inorg. Chem., 55, 12079 (2016). DOI: 10.1021/acs.inorgchem.6b02244
  2. M.B. Maccioni, V. Fiorentini, Appl. Phys. Express, 9, 041102 (2016). DOI: 10.7567/APEX.9.041102
  3. S.B. Cho, R. Mishra, Appl. Phys. Lett., 112, 162101 (2018). DOI: 10.1063/1.5019721
  4. Y. Oshima, E.G. Vi llora, Y. Matsushita, S. Yamamoto, K. Shimamura, J. Appl. Phys., 118, 085301 (2015). DOI: 10.1063/1.4929417
  5. F. Boschi, M. Bosi, T. Berzina, E. Buffagni, C. Ferrari, R. Fornari, J. Cryst. Growth, 443, 25 (2016). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.03.013
  6. D. Tahara, H. Nishinaka, S. Morimoto, M. Yoshimoto, Jpn. J. Appl. Phys., 56, 078004 (2017). DOI: 10.7567/JJAP.56.078004
  7. M. Kracht, A. Karg, J. Schormann, M. Weinhold, D. Zink, F. Michel, M. Rohnke, M. Schowalter, B. Gerken, A. Rosenauer, P.J. Klar, J. Janek, M. Eickhoff, Phys. Rev. Appl., 8, 054002 (2017). DOI: 10.1103/PhysRevApplied.8.054002
  8. Y. Cai, K. Zhang, Q. Feng, Y. Zuo, Z. Hu, Z. Feng, H. Zhou, X. Lu, C. Zhang, W. Tang, J. Zhang, Y. Hao, Opt. Mater. Express, 8, 3506 (2018). DOI: 10.1364/OME.8.003506
  9. H.Y. Playford, A.C. Hannon, E.R. Barney, R.I. Walton, Chemistry --- A Eur. J., 19, 2803 (2013). DOI: 10.1002/chem.201203359
  10. I. Cora, F. Mezzadri, F. Boschi, M. Bosi, M. vCaplovivcovva, G. Calestani, I. Dodony, B. Pecz, R. Fornari, CrystEngComm, 19, 1509 (2017). DOI: 10.1039/C7CE00123A
  11. R. Fornari, M. Pavesi, V. Montedoro, D. Klimm, F. Mezzadri, I. Cora, B. Pecz, F. Boschi, A. Parisini, A. Baraldi, C. Ferrari, E. Gombia, M. Bosi, Acta Mater., 140, 411 (2017). DOI: 10.1016/j.actamat.2017.08.062
  12. Y. Li, X. Xiu, W. Xu, L. Zhang, H. Zhao, Z. Xie, T. Tao, P. Chen, B. Liu, R. Zhang, Y. Zheng, Superlatt. Microstruct., 152, 106845 (2021). DOI: 10.1016/j.spmi.2021.106845
  13. H. Sun, K.H. Li, C.G.T. Castanedo, S. Okur, G.S. Tompa, T. Salagaj, S. Lopatin, A. Genovese, X. Li, Cryst. Growth Des., 18, 2370 (2018). DOI: 10.1021/acs.cgd.7b01791
  14. V.I. Nikolaev, S.I. Stepanov, A.I. Pechnikov, S.V. Shapenkov, M.P. Scheglov, A.V. Chikiryaka, O.F. Vyvenko, ECS J. Solid State Sci. Technol., 9, 045014 (2020). DOI: 10.1149/2162-8777/ab8b4c
  15. S.H. Park, H.S. Lee, H.S. Ahn, M. Yang, J. Korean Phys. Soc., 74, 502 (2019). DOI: 10.3938/jkps.74.502

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme