Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2022, выпуск 21 » Статья стр. 3
>>>
Получение анизотипных гетероструктур для фотоэлектрического преобразователя на основе GaSb за счет твердофазных реакций замещения
DOI: 10.21883/PJTF.2022.21.53702.19304
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.11.54876.19304
Гагис Г.С.1, Кучинский В.И.1, Казанцев Д.Ю.1, Бер Б.Я.1, Токарев М.В.1, Хвостиков В.П.1, Нахимович М.В.1, Власов А.C.1, Васильев В.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: galina.gagis@gmail.com
Поступила в редакцию: 12 июля 2022 г.
В окончательной редакции: 12 июля 2022 г.
Принята к печати: 29 августа 2022 г.
Выставление онлайн: 16 октября 2022 г.
PDF версия
Продемонстрирована возможность изготовления структур фотоэлектрического преобразователя за счет твердофазных реакций замещения атомов Sb в полупроводниковых пластинах GaSb атомами As или P с одновременной диффузией Zn. Ключевые слова: твердофазные реакции замещения, фотоэлектрические преобразователи, широкозонное окно, p-n-переход, легирование.
  1. M. Razeghi, MOCVD challenge. Survey of GaInAsP-InP \& GaInAsP-GaAs for photonic and electronic device applications, 2nd ed. (Taylor and Francis/CRC Press, 2010), p. 773. DOI: 10.1201/9781439807002
  2. В.П. Хвостиков, С.В. Сорокина, О.А. Хвостикова, М.В. Нахимович, М.З. Шварц, ФТП, 55 (10), 956 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.10.51454.9686 [V.P. Khvostikov, S.V. Sorokina, O.A. Khvostikova, M.V. Nakhimovich, M.Z. Shvarts, Semiconductors, 55, 840 (2021). DOI: 10.1134/S1063782621100134]
  3. В.И. Васильев, Г.С. Гагис, В.И. Кучинский, В.Г. Данильченко, ФТП, 49 (7), 984 (2015). https://journals.ioffe.ru/articles/41976 [V.I. Vasil'ev, G.S. Gagis, V.I. Kuchinskii, V.G. Danil'chenko, Semiconductors, 49, 962 (2015). DOI: 10.1134/S1063782615070234]
  4. D.W. Green, R.H. Perry, Perry's chemical engineer's handbook. Section 2. Physical and chemical data, 8th ed. (The McGraw-Hill Companies, Inc., N.Y., 2008)
  5. A. Smits, S.C. Bokhorst, Z. Phys. Chem., 91U (1), 249 (1916). DOI: 10.1515/zpch-1916-9114
  6. Н.Д. Роенков, Неорган. материалы, 11 (6), 985 (1975)
  7. R.N. Hall, J. Electrochem. Soc., 110 (5), 385 (1963). DOI: 10.1149/1.2425770
  8. H. Borchers, B.G. Maier, Metall., 17 (8), 775 (1963)
  9. А.С. Борщевский, М.Г. Высотина, Неорган. материалы, 12 (4), 615 (1976)
  10. O. Pages, J. Souhabi, A.V. Postnikov, A. Chafi, Phys. Rev. B, 80 (3), 035204 (2009). DOI: 10.1103/PhysRevB.80.035204
  11. В.М. Андреев, А.А. Воднев, В.Р. Ларионов, Т.П. Пруцких, В.Д. Румянцев, К.Я. Расулов, В.П. Хвостиков, ФТП, 23 (4), 597 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme