Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2022, выпуск 21 » Статья стр. 21
<<<>>>
Анизотропная фотопроводимость, возбуждаемая в полупроводнике двухчастотным оптическим излучением
DOI: 10.21883/PJTF.2022.21.53707.19313
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.11.54881.19313
Зезюля П.А. 1, Малевич В.Л.2,3
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
3Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Email: zezyulya@bsu.by, v.malevich@ifanbel.bas-net.by
Поступила в редакцию: 19 июля 2022 г.
В окончательной редакции: 1 сентября 2022 г.
Принята к печати: 14 сентября 2022 г.
Выставление онлайн: 16 октября 2022 г.
PDF версия
Рассмотрена анизотропная фотопроводимость на разностной частоте, возбуждаемая в полупроводнике линейно поляризованным двухчастотным оптическим излучением. Анизотропия фотопроводимости возникает вследствие оптического выстраивания импульсов фотовозбужденных электронов и зависимости от энергии их эффективной массы и времени импульсной релаксации. Показано, что вклад анизотропной фотопроводимости в фототок на разностной частоте, лежащей в терагерцевом диапазоне частот, может быть сравним с вкладом обычной изотропной фотопроводимости. Данный эффект может проявляться в фотопроводящих антеннах - устройствах, используемых для генерации терагерцевого излучения. Ключевые слова: анизотропная фотопроводимость, фотосмешение, терагерцевое излучение, фотопроводящая антенна.
  1. E. Peytavit, G. Ducournau, J.-F. Lampin, in Fundamentals of terahertz devices and applications, ed. by D. Pavlidis (John Wiley \& Sons, Hoboken, N.J., 2021), p. 137--186. DOI: 10.1002/9781119460749
  2. N. Burford, M. El-Shenawee, Opt. Eng., 56 (1), 010901 (2017). DOI: 10.1117/1.OE.56.1.010901
  3. В.И. Белиничер, В.Н. Новиков, ФТП, 15 (10), 1957 (1981). [V.I. Belinicher, V.N. Novikov, Sov. Phys. Semicond., 15 (10), 1138 (1981).]
  4. М.И. Караман, В.П. Мушинский, Г.М. Шмелев, ЖТФ, 53 (6), 1198 (1983). [M.I. Karaman, V.P. Mushinskii, G.M. Shmelev, Sov. Phys. Tech. Phys., 28, 730 (1983).]
  5. С.Х. Есаян, Е.Л. Ивченко, В.В. Леманов, А.Ю. Максимов, Письма в ЖЭТФ, 40 (11), 462 (1984). [S.Kh. Esayan, E.L. Ivchenko, V.V. Lemanov, A.Yu. Maksimov, JETP Lett., 40 (11), 1290 (1984).]
  6. И.М. Дыкман, П.М. Томчук, Явления переноса и флуктуации в полупроводниках (Наук. думка, Киев, 1981)
  7. Y.V. Malevich, R. Adomavivcius, A. Krotkus, V.L. Malevich, J. Appl. Phys., 115 (7), 073103 (2014). DOI: 10.1063/1.4865961

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme