Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электронная структура ультратонких интерфейсов Cs/Bi2Se3
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.12.54951.19236 
Бенеманская Г.В.
1, Тимошнев С.Н.
2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: galina.benemanskaya@mail.ioffe.ru, timoshnev@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 24 октября 2022 г.
Принята к печати: 25 октября 2022 г.
Выставление онлайн: 27 ноября 2022 г.
Проведены исследования электронной структуры ультратонких интерфейсов Cs/Bi2Se3 методом фотоэлектронной спектроскопии с использованием синхротронного излучения. Эксперименты проведены in situ в сверхвысоком вакууме при субмонослойных покрытиях Cs на образцах Bi2Se3. Обнаружено, что адсорбция Cs вызывает изменения в спектрах остовных уровней Bi 4f, Bi 5d, Se 3d. Установлено, что атомы Cs адсорбируются преимущественно на атомы Bi в верхнем поверхностном слое. Исследованы состояния валентной зоны как для чистой поверхности Bi2Se3, так и для интерфейса Cs/Bi2Se3. Вблизи уровня Ферми обнаружены 2D-топологические состояния. При адсорбции Cs в области валентной зоны появляются два индуцированных поверхностных состояния. Ключевые слова: топологические изоляторы, электронная структура, ультратонкие интерфейсы, фотоэлектронная спектроскопия.
- J. Moore, Nat. Phys., 5, 378 (2009). DOI: 10.1038/nphys1294
- A.R. Mellnik, J.S. Lee, A. Richardella, J.L. Grab, P.J. Mintun, M.H. Fischer, A. Vaezi, A. Manchon, E.-A. Kim, N. Samarth, D.C. Ralph, Nature, 511, 449 (2014). DOI: 10.1038/nature13534
- C.-T. Kuo, S.-C. Lin, J.-P. Rueff, Z. Chen, I. Aguilera, G. Bihlmayer, L. Plucinski, I.L. Graff, G. Conti, I.A. Vartanyants, C.M. Schneider, C.S. Fadley, Phys. Rev. B, 104 (24), 245105 (2021). DOI: 10.1103/PhysRevB.104.245105
- G. Tse, D. Yu, Comput. Condens. Matter, 4, 59 (2015). DOI: 10.1016/j.cocom.2015.09.001
- M. Bianchi, R.C. Hatch, Z. Li, P. Hofmann, F. Song, J. Mi, B.B. Iversen, Z.M. Abd El-Fattah, P. Loptien, L. Zhou, A.A. Khajetoorians, J. Wiebe, R. Wiesendanger, J.W. Wells, ACS Nano, 6 (8), 7009 (2012). DOI: 10.1021/nn3021822
- А.Г. Рябищенкова, М.М. Отроков, В.М. Кузнецов, Е.В. Чулков, ЖЭТФ, 148 (3), 535 (2015). DOI: 10.7868/S0044451015090114 [A.G. Ryabishchenkova, M.M. Otrokov, V.M. Kuznetsov, E.V. Chulkov, JETP, 121 (3), 465 (2015). DOI: 10.1134/S1063776115090186]
- T. Valla, Z.-H. Pan, D. Gardner, Y.S. Lee, S. Chu, Phys. Rev. Lett., 108 (11), 117601 (2012). DOI: 10.1103/PhysRevLett.108.117601
- M.M. Otrokov, A. Ernst, K. Mohseni, H. Fulara, S. Roy, G.R. Castro, J. Rubio-Zuazo, A.G. Ryabishchenkova, K.A. Kokh, O.E. Tereshchenko, Z.S. Aliev, M.B. Babanly, E.V. Chulkov, H.L. Meyerheim, S.S.P. Parkin, Phys. Rev. B, 95 (20), 205429 (2017). DOI: 10.1103/PhysRevB.95.205429
- H. Zhu, W. Zhou, J.A. Yarmoff, Surf. Sci., 683, 17 (2019). DOI: 10.1016/j.susc.2019.01.006
- O.O. Shvetsov, V.A. Kostarev, A. Kononov, V.A. Golyashov, K.A. Kokh, O.E. Tereshchenko, E.V. Deviatov, Europhys. Lett., 119 (5), 57009 (2017). DOI: 10.1209/0295-5075/119/57009
- D. Biswas, S. Thakur, G. Balakrishnan, K. Maiti, Sci. Rep., 5, 17351 (2015). DOI: 10.1038/srep17351
- I.A. Nechaev, R.C. Hatch, M. Bianchi, D. Guan, C. Friedrich, I. Aguilera, J.L. Mi, B.B. Iversen, S. Blugel, Ph. Hofmann, E.V.Chulkov, Phys. Rev. B, 87 (12), 121111 (2013). DOI: 10.1103/PhysRevB.87.121111
- L.V. Yashina, J. Sanchez-Barriga, M.R. Scholz, A.A. Volykhov, A.P. Sirotina, V.S. Neudachina, M.E. Tamm, A. Varykhalov, D. Marchenko, G. Springholz, G. Bauer, A. Knop-Gericke, O. Rader, ACS Nano, 7 (6), 5181 (2013). DOI: 10.1021/nn400908b
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
