Для квантово-размерных частиц полупроводников InSb, PbS, HgSe, CdSe предложена модель конкуренции процессов размерного квантового ограничения и блокировки одноэлектронным током и кулоновским ограничением, а также разогрева электронов электрическим полем световой волны. Это позволило объяснить наблюдаемую в условиях туннельной проводимости высокую кратность (до двух порядков) изменения фотопроводимости, а в условиях конфайнмента - отсутствие межзонной и межуровневой фотопроводимости. Наблюдаемые на вольт-амперных характеристиках резонансные токовые пики квантовой проводимости при облучении светом любой длины волны (в интервале 0.4-1.2 μm) обнуляются или сдвигаются в сторону меньших значений напряжения. Энергетический минимум регистрируемых при этом квантов оценен как 100 meV. Полученные результаты могут быть полезны при решении вопросов применения в неохлаждаемых ИК-детекторах, в том числе однофотонной регистрации. Ключевые слова: квантово-размерная частица, размерное квантование, одноэлектронный ток, однофотонный процесс, межзонные и внутризонные переходы, туннельная проводимость, кулоновское ограничение, квантовая проводимость.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.