Вышедшие номера
Деградационные процессы в мемристоре на основе селенида германия с самоформирующимся токопроводящим каналом
Алёшин А.Н.1, Рубан О.А.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова РАН, Москва, Россия
Email: myx.05@mail.ru
Поступила в редакцию: 10 ноября 2022 г.
В окончательной редакции: 10 ноября 2022 г.
Принята к печати: 16 декабря 2022 г.
Выставление онлайн: 16 января 2023 г.

Изучено влияние температуры на деградационные процессы в мемристоре ионного типа Ag/SnSe/Ge2Se3/W с самоформирующимся токопроводящим каналом в интервале 22-65oC при частоте переключения 100 Hz на основе определения электропроводности мемристора в низкоомном и высокоомном режимах работы. Установлено, что при повышенных температурах деградационные процессы происходят быстрее и затрагивают как низкоомный, так и высокоомный режим работы мемристора. Определена энергия активации деградации, равная 1.16 eV. Ключевые слова: электропроводность, твердый электролит, деградация, токопроводящий канал.