Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2023, выпуск 5 » Статья стр. 14
<<<>>>
Электрохимические характеристики анодов литий-ионных аккумуляторов на основе моноокиси кремния: влияние диспропорционирования и обработки в HF
DOI: 10.21883/PJTF.2023.05.54663.19392
Переводная версия: 10.21883/TPL.2023.03.55674.19392
Грушина А.А.1,2, Ложкина Д.А. 2, Красилин А.А. 2, Румянцев А.М. 2, Астрова Е.В. 2
1Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: gruschina@bk.ru, darina.lozhka94@gmail.com, ikrasilin@mail.ioffe.ru, rumyantsev.amr@gmail.com, east@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 октября 2022 г.
В окончательной редакции: 13 октября 2022 г.
Принята к печати: 22 декабря 2022 г.
Выставление онлайн: 1 февраля 2023 г.
PDF версия
Исследованы композитные аноды для литий-ионных аккумуляторов SiO/C, полученные карбонизацией моноокиси кремния с помощью фторуглерода. Предварительная модификация исходной моноокиси кремния осуществлялась путем диспропорционирования и последующей обработки в плавиковой кислоте. Изучение элементного состава модифицированного SiO и электрохимических характеристик изготовленных из него композитных анодов показало, что определяющую роль в изменении их поведения играет содержание кислорода в оксидной матрице. Обеднение ее кислородом в результате обработки в HF оказывает благоприятное воздействие, приводя к более высокой стабильности электродов при циклировании, возрастанию их емкости, кулоновской эффективности и быстродействия. Ключевые слова: композитные SiO/C-аноды, литий-ионные аккумуляторы, травление в HF.
  1. Zh. Liu, Q. Yu, Y. Zhao, R. He, M. Xu, S. Feng, S. Li, L. Zhou, L. Mai, Chem. Soc. Rev., 48 (1), 285 (2019). DOI: 10.1039/C8CS00441B
  2. M. Mamiya, M. Kikuchi, H. Takei, J. Cryst. Growth, 237 (3), 1909 (2002). DOI: 10.1016/S0022-0248(01)02244-8
  3. Д.А. Ложкина, Е.В. Астрова, Р.В. Соколов, Д.А. Кириленко, А.А. Левин, А.В. Парфеньева, В.П. Улин, ФТП, 55 (4), 373 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.04.50743.9575 [D.A. Lozhkina, E.V. Astrova, R.V. Sokolov, D.A. Kirilenko, A.A. Levin, A.V. Parfeneva, V.P. Ulin, Semiconductors, 55 (4), 423 (2021). DOI: 10.1134/S1063782621040096]
  4. Д.А. Ложкина, Е.В. Астрова, А.М. Румянцев, ЖТФ, 92 (3), 421 (2022). DOI: 10.21883/JTF.2022.03.52137.267-21 [D.A. Lozhkina, E.V. Astrova, A.M. Rumyantsev, Tech. Phys., 92 (3), 339 (2022). DOI: 10.21883/TP.2022.03.53264.267-21]
  5. Е.В. Астрова, В.П. Улин, А.В. Парфеньева, А.В. Нащекин, В.Н. Неведомский, М.В. Байдакова, ФТП, 54 (8), 753 (2020). DOI: 10.21883/FTP.2020.08.49647.9402 [E.V. Astrova, V.P. Ulin, A.V. Parfeneva, A.V. Nashchekin, V.N. Nevedomskiy, M.V. Baidakova, Semiconductors, 54 (8), 900 (2020). DOI: 10.1134/S1063782620080059]
  6. Д.А. Ложкина, Е.В. Астрова, А.И. Лихачев, А.В. Парфеньева, А.М. Румянцев, А.Н. Смирнов, В.П. Улин, ЖТФ, 91 (9), 1381 (2021). DOI: 10.21883/JTF.2021.09.51218.83-21 [D.A. Lozhkina, E.V. Astrova, A.I. Likhachev, A.V. Parfeneva, A.M. Rumyantsev, A.N. Smirnov, V.P. Ulin, Tech. Phys., 66, 1228 (2021). DOI: 10.1134/S1063784221090103]
  7. J. Yang, Y. Takeda, N. Imanishi, C. Capiglia, J.Y. Xie, O. Yamamoto, Solid State Ion., 152-153, 125 (2002). DOI: 10.1016/S0167-2738(02)00362-4

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme