Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2023, выпуск 6 » Статья стр. 16
<<<>>>
Исследование квантовых ям InP/GaP, полученных методом газофазной эпитаксии
DOI: 10.21883/PJTF.2023.06.54810.19404
Переводная версия: 10.21883/TPL.2023.03.55686.19404
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Государственное задание, FSRM-2020-0004
Баранов А.И.1,2, Уваров А.В.1,2, Максимова А.А.1,2, Вячеславова Е.А.1,2, Калюжный Н.А.3, Минтаиров С.А.3, Салий Р.А.3, Яковлев Г.Е.2, Зубков В.И.2, Гудовских А.С.1,2
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: baranov_art@spbau.ru
Поступила в редакцию: 25 октября 2022 г.
В окончательной редакции: 10 января 2023 г.
Принята к печати: 10 января 2023 г.
Выставление онлайн: 15 февраля 2023 г.
PDF версия
Изучалась структура с одиночной квантовой ямой GaP/InP/GaP толщиной 5 nm, выращенная методом газофазной эпитаксии на подложке n-GaP. Методом вольт-фарадных характеристик на изготовленных диодах Шоттки и методом электрохимического вольт-фарадного профилирования зарегистрирована аккумуляция электронов в квантово-размерном слое InP. Данные, полученные с помощью спектроскопии полной проводимости и нестационарной спектроскопии глубоких уровней, показали, что формирование квантовой ямы приводит к повышенному образованию дефектов в верхних слоях GaP c энергиями 0.21, 0.30 и 0.93 eV ниже дна зоны проводимости. Ключевые слова: квантовая яма, вольт-фарадное профилирование, электрохимическое профилирование.
  1. L.N. Dvoretckaia, A.D. Bolshakov, A.M. Mozharov, M.S. Sobolev, D.A. Kirilenko, A.I. Baranov, V.Yu. Mikhailovskii, V.V. Neplokh, I.A. Morozov, V.V. Fedorov, I.S. Mukhin, Solar Energy Mater. Solar Cells, 206, 110282 (2019). DOI: 10.1016/j.solmat.2019.110282
  2. A.I. Baranov, J.-P. Kleider, A.S. Gudovskikh, A. Darga, E.V. Nikitina, A.Yu. Egorov, J. Phys. Conf. Ser., 741 (1), 012077 (2016). DOI: 10.1088/1742-6596/741/1/012077
  3. A.I. Baranov, A.S. Gudovskikh, A.Yu. Egorov, S. LeGall, D.A. Kudryashov, J.-P. Kleider, J. Appl. Phys., 128 (2), 023105 (2020). DOI: 10.1063/1.5134681
  4. A.I. Baranov, A.S. Gudovskikh, D.A. Kudryashov, A.A. Lazarenko, I.A. Morozov, E.V. Nikitina, E.V. Pirogov, M.S. Sobolev, K.S. Zelentsov, A.Yu. Egorov, A. Darga, S. LeGall, J.-P. Kleider, J. Appl. Phys., 123 (16), 161418 (2018). DOI: 10.1063/1.5011371
  5. J.D. Song, Y.-W. Ok, J.M. Kim, Y.T. Lee, T.-Y. Seong, J. Appl. Phys., 90 (10), 5086 (2001). DOI: 10.1063/1.1412267
  6. S.J. Kim, K. Asahi, K. Asami, M. Takemoto, M. Fudeta, S. Gonda, Appl. Surf. Sci., 130-132, 729 (1998). DOI: 10.1016/S0169-4332(98)00145-7
  7. R. Balasubramanian, V. Sichkovskyi, C. Corley-Wiciak, F. Schnabel, L. Popilevsky, G. Atiya, I. Khanoknkin, A.J. Willoger, O. Eyal, G. Eisenstein, J.P. Reithmaier, Semicond. Sci. Technol., 37 (5), 055005 (2022). DOI: 10.1088/1361-6641/ac5d10
  8. M.-S. Park, M. Rezaeei, I. Nia, R. Brown, S. Bianconi, C.L. Tan, H. Mohseni, Opt. Mater. Express, 8 (2), 413 (2018). DOI: 10.1364/OME.8.000413
  9. P. Dhingra, P. Su, B.D. Li, R.D. Hool, A.J. Muhowski, M. Kim, D. Wasserman, J. Dallesasse, M.L. Lee, Optica, 8 (11), 1495 (2021). DOI: 10.1364/OPTICA.443979
  10. D.S. Frolov, V.I. Zubkov, Semicond. Sci. Technol., 31 (12), 125013 (2016). DOI: 10.1088/0268-1242/31/12/125013
  11. Г.И. Кольцов, С.Ю. Юрчук, В.Д. Алешин, Ю.И. Кунакин, ФТП, 24 (5), 782 (1990)
  12. P. Kaminski, W. Strupinski, K. Roszkiewicz, J. Cryst. Growth., 108 (3-4), 699 (1991). DOI: 10.1016/0022-0248(91)90250-9
  13. A.V. Skazochkin, Yu.K. Krutogolov, Yu.I. Kunakin, Semicond. Sci. Technol., 10 (5), 634 (1995). DOI: 10.1088/0268-1242/10/5/011

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme