Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электротермооптические характеристики и предельные энергетические возможности мощных AlGaN-светодиодов глубокого ультрафиолетового диапазона (λ~ 270 nm)
Переводная версия: 10.21883/TPL.2023.05.56018.19519 
1НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: zakgeim@mail.ioffe.ru, a-e-ivano-v@yandex.ru, chernyakov.anton@yandex.ru
Поступила в редакцию: 1 февраля 2023 г.
В окончательной редакции: 22 февраля 2023 г.
Принята к печати: 28 февраля 2023 г.
Выставление онлайн: 4 апреля 2023 г.
Исследованы токовые и температурные зависимости электрических, энергетических и спектральных характеристик мощных светодиодов глубокого ультрафиолетового диапазона (λ~ 270 nm). С привлечением ABC-модели на основе экспериментальных зависимостей внешнего квантового выхода от тока рассчитаны основные параметры, определяющие энергетическую эффективность светодиода: внутренний квантовый выход и коэффициент экстракции излучения. Оценено влияние токорастекания, электрических потерь и теплового сопротивления как факторов, ограничивающих энергетические возможности. Ключевые слова: AlGaN, ультрафиолетовый светодиод, квантовый выход, коэффициент экстракции излучения, температурная зависимость, ABC-модель.
- V. Sharma, H. Demir, ACS Photon., 9 (5), 1513 (2022). DOI: 10.1021/acsphotonics.2c00041
- Q. Chen, J. Dai, X. Li, Y. Gao, H. Long, Z. Zhang, C. Chen, H. Kuo, IEEE Electron Dev. Lett., 40 (12), 1925 (2019). DOI: 10.1109/LED.2019.2948952
- А.Л. Закгейм, А.В. Аладов, А.Е. Иванов, Н.А. Тальнишних, А.Е. Черняков, Письма в ЖТФ, 48 (13), 33 (2022). DOI: 10.21883/PJTF.2022.13.52742.19182 [A.L. Zakgeim, A.V. Aladov, A.E. Ivanov, N.A. Talnishnikh, A.E. Chernyakov, Tech. Phys. Lett., 48 (7), 29 (2022). DOI: 10.21883/TPL.2022.07.54033.19182]
- Д.А. Закгейм, Г.В. Иткинсон, М.В. Кукушкин, Л.К. Марков, О.В. Осипов, А.С. Павлюченко, И.П. Смирнова, А.Е. Черняков, Д.А. Бауман, ФТП, 48 (9), 1287 (2014). [D.A. Zakheim, G.V. Itkinson, M.V. Kukushkin, L.K. Markov, O.V. Osipov, A.S. Pavlyuchenko, I.P. Smirnova, A.E. Chernyakov, D.A. Bauman, Semiconductors, 48 (9), 1254 (2014). DOI: 10.1134/S1063782614090267]
- А.Л. Закгейм, А.Е. Иванов, А.Е. Черняков, в сб. Радиоэлектронная техника (УлГТУ, Ульяновск, 2022), с. 86
- Ф.Е. Шуберт, Светодиоды, пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича (Физматлит, М., 2008). [F.E. Schubert, Light-emitting diodes, 2nd ed. (Cambridge University Press, Cambridge, 2006). DOI: 10.1017/CBO9780511790546]
- А.С. Павлюченко, И.В. Рожанский, Д.А. Закгейм, ФТП, 43 (10), 1391 (2009). [A.S. Pavluchenko, I.V. Rozhansky, D.A. Zakheim, Semiconductors, 43 (10), 1351 (2009). DOI: 10.1134/S1063782609100170]
- S.Yu. Karpov, Opt. Quant. Electron., 47 (6), 1293 (2015). DOI: 10.1007/s11082-014-0042-9
- I. Titkov, S. Karpov, A. Yadav, V. Zerova, M. Zulonas, B. Galler, M. Strab burg, I. Pietzonka, H. Lugauer, E.U. Rafailov, IEEE J. Quant. Electron., 50 (11), 911 (2014). DOI: 10.1109/JQE.2014.2359958
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
