Письма в журнал технической физики

Исследованы электрические и низкочастотные шумовые характеристики одиночных фотодиодных гетероструктур p-InAsSbP/n-InAs, выращенных на подложках n⁺-InAs и помещенных в атмосферу, содержащую пары этанола. Выявлены взаимосвязи значения сопротивления гетероструктур и спектральной плотности токового шума с насыщенностью воздуха парами этанола и рассмотрены возможные причины такой взаимосвязи. Ключевые слова: InAs-фотодиоды, датчики углеводородов, низкочастотный шум, природный окисел на поверхности InAs, поверхностно-чувствительные структуры.

В.И. Николаев, А.В. Алмаев, Б.О. Кушнарев, А.И. Печников, С.И. Степанов, А.В. Чикиряка, Р.Б. Тимашов, М.П. Щеглов, П.Н. Бутенко, Е.В. Черников, Письма в ЖТФ, 48 (14), 37 (2022). DOI: 10.21883/PJTF.2022.14.52869.19211 [V.I. Nikolaev, A.V. Almaev, B.O. Kushnarev, A.I. Pechnikov, S.I. Stepanov, A.V. Chikiryaka, R.B. Timashov, M.P. Scheglov, P.N. Butenko, E.V. Chernikov, Tech. Phys. Lett., 48 (7), 76 (2022). DOI: 10.21883/TPL.2022.07.54046.19211]
Л.Ю. Федоров, А.В. Ушаков, И.В. Карпов, Письма в ЖТФ, 48 (14), 18 (2022). DOI: 10.21883/PJTF.2022.14.52864.19197 [L.Yu. Fedorov, A.V. Ushakov, I.V. Karpov, Tech. Phys. Lett., 48 (7), 58 (2022). DOI: 10.21883/TPL.2022.07.54041.19197]
G. Scandurra, J. Smulko, L.B. Kish, Appl. Sci., 10 (17), 5818 (2020). DOI: 10.3390/app10175818
Y.-C. Lee, P.-L. Yang, Ch.I. Chang, W. Fang, Proceedings, 2 (13), 772 (2018). DOI: 10.3390/proceedings2130772
М.В. Лебедев, ФТП, 54 (7), 589 (2020). DOI: 10.21883/FTP.2020.07.49502.9390 [M.V. Lebedev, Semiconductors, 54 (7), 699 (2020). DOI: 10.1134/S1063782620070064]
V. Demontis, M. Rocci, M. Donarelli, R. Maiti, V. Zannier, F. Beltram, L. Sorba, S. Roddaro, F. Rossella, C. Baratto, Sensors, 19 (13), 2994 (2019). DOI: 10.3390/s19132994
M.A. Kinch, State-of-the-art infrared detector technology (SPIE, Bellingham-Washington, 2014), p. 280
X. Du, B.T. Marozas, G.R. Savich, G.W. Wicks, J. Appl. Phys., 123 (21), 214504 (2018). DOI: 10.1063/1.5027637
А.В. Пенцов, С.В. Слободчиков, Н.М. Стусь, Г.М. Филаретова, Способ получения фотодиодов, авторское свидетельство 1840979, заявка N 3207490/28 (приоритет от 15.08.1988, опубл. 20.11.2014), бюл. N 32
N. Dyakonova, S.A. Karandashev, M.E. Levinshtein, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, Semicond. Sci. Technol., 33 (6), 065016 (2018). DOI: 10.1088/1361-6641/aac15d
G.P. Forcade, Ch.E. Valdivia, S. Molesky, S. Lu, A.W. Rodriguez, J.J. Krich, R. St-Gelais, K. Hinzer, Appl. Phys. Lett., 121 (19), 193903 (2022). DOI: 10.1063/5.0116806
H. Lin, Z. Zhou, H. Xie, Y. Sun, X. Chen, J. Hao, S. Hu, N. Dai, Phys. Status Solidi A, 218 (18), 2100281 (2021). DOI: 10.1002/pssa.202100281
A. Tkachuk, V. Tetyorkin, A. Sukach, in 2021 Int. Semiconductor Conf. (CAS) (Romania, 2021), p. 279--282. DOI: 10.1109/CAS52836.2021.9604182
Б.А. Матвеев, Г.Ю. Сотникова, Оптика и спектроскопия, 127 (2), 300 (2019). DOI: 10.21883/OS.2019.08.48046.357-18 [B.A. Matveev, G.Yu. Sotnikova, Opt. Spectrosc., 127 (2), 322 (2019). DOI: 10.1134/S0030400X19080198].
А.В. Загнитько, И.Д. Мацуков, В.В. Пименов, C.Е. Сальников, Д.Ю. Федин, В.И. Алексеев, С.М. Вельмакин, ЖТФ, 92 (6), 783 (2022). DOI: 10.21883/JTF.2022.06.52505.325-21 [A.V. Zagnit'ko, I.D. Matsukov, V.V. Pimenov, S.E. Sal'nikov, D.Yu. Fedin, V.I. Alekseev, S.M. Vel'makin, Tech. Phys., 92 (6), 664 (2022). DOI: 10.21883/TP.2022.06.54410.325-21]
A. Tseng, D. Lynall, I. Savelyev, M. Blumin, S. Wang, H.E. Ruda, Sensors, 17 (7), 1640 (2017). DOI: 10.3390/s17071640

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель