Управляемый синтез текстурированной пленки CuSe(006) вакуумно-термической обработкой пленочной структуры Se/Cu
Когай В.Я.
1, Михеев Г.М.
11Удмуртский федеральный исследовательский центр Уральского отделения Российской академии наук, Ижевск, Россия
Email: vkogai@udman.ru, mikheev@udman.ru
Поступила в редакцию: 6 декабря 2022 г.
В окончательной редакции: 12 апреля 2023 г.
Принята к печати: 13 апреля 2023 г.
Выставление онлайн: 8 мая 2023 г.
Методом вакуумно-термического напыления получена нанокомпозитная пленка, состоящая из кристаллического CuSe и аморфного селена (a-Se). Впервые показано, что при термическом нагреве нанокомпозитной пленки CuSe/a-Se в вакууме возможно ее превращение в текстурированную пленку CuSe(006). Установлено, что при температуре 438 K происходит интенсивный рост кристаллитов CuSe в кристаллографической плоскости (006). С помощью метода рентгеновской дифрактометрии и методики измерения электрического сопротивления композитной пленки CuSe/a-Se определены температуры фазового превращения, при которых образуются моноклинный Se8, тригональный t-Se, орторомбический CuSe2 и гексагональный CuSe. Ключевые слова: селенид меди, нанокомпозитная пленка, термический нагрев, фазовые превращения, текстурированная пленка.
- Е.А. Федорова, Л.Н. Маскаева, В.Ф. Марков, В.И. Воронин, В.Г. Бамбуров, Неорган. материалы, 55 (2), 123 (2019). DOI: 10.1134/S0002337X19020040 [E.A. Fedorova, L.N. Maskaeva, V.F. Markov, V.I. Voronin, V.G. Bamburov, Inorg. Mater., 55 (2), 106 (2019). DOI: 10.1134/S0020168519020043]
- Y. Zhang, Z.P. Qiao, X.M. Chen, Mater. Chem., 12 (9), 2747 (2002). DOI: 10.1039/B205558A
- V. Milman, Acta Cryst. B, 58, Pt 3 (2), 437 (2002). DOI: 10.1107/S0108768102003269
- A. Mamun, A.B.M.O. Islam, A.H. Bhuiyan, Mater. Sci Mater. Electron., 16 (5), 263 (2005). DOI: 10.1007/s10854-005-0543-1
- W.S. Chen, J. Stewart, R. Mickelsen, Appl. Phys. Lett., 46 (11), 1095 (1985). DOI: 10.1063/1.95773
- H. Okimura, T. Matsumae, R. Makabe, Thin Solid Films, 71 (1), 53 (1980). DOI: 10.1016/0040-6090(80)90183-2
- M.-Z. Xue, Y.-N. Zhou, B. Zhang, L. Yu, H. Zhang, Z.-W. Fu, Electrochem. Soc., 153 (12), A2262 (2006). DOI: 10.1149/1.2358854
- F. Yakuphanoglu, C. Viswanathan, Non-Cryst. Solids, 353 (30-31), 2934 (2007). DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2007.06.055
- S.R. Gosavi, N.G. Deshpande, Y.G. Gudage, R. Sharma, Alloys Compd., 448 (1-2), 344 (2008). DOI: 10.1016/j.jallcom.2007.03.068
- R.H. Bari, V. Ganesan, S. Potadar, L.A. Patil, Bull. Mater. Sci., 32 (1), 37 (2009). DOI: 10.1007/s12034-009-0006-z
- S. Thanikaikarasan, T. Mahalingam, Alloys Compd., 511 (1), 115 (2012). DOI: 10.1016/j.jallcom.2011.09.003
- J.I. Montes-Monsalve, R.B. Correa, A.P. Mora, J. Phys.: Conf. Ser., 480, 012024 (2014). DOI 10.1088/1742-6596/480/1/012024
- G.M. Mikheev, V.Ya. Kogai, T.N. Mogileva, K.G. Mikheev, A.S. Saushin, Y.P. Svirko, Appl. Phys. Lett., 115 (6), 061101 (2019). DOI: 10.1063/1.5109069
- G.M. Mikheev, A.E. Fateev, V.Ya. Kogai, T.N. Mogileva, V.V. Vanyukov, Y.P. Svirko, Appl. Phys. Lett., 118 (20), 201105 (2021). DOI: 10.1063/5.0051082
- В.М. Стяпшин, Г.М. Михеев, ПТЭ, N 4, 84 (2022). DOI: 10.31857/S0032816222040267 [V.M. Styapshin, G.M. Mikheev, Instrum. Exp. Tech., 65 (4), 615 (2022). DOI: 10.1134/S0020441222040248]
- В.Я. Когай, Письма в ЖТФ, 40 (15), 14 (2014). [V.Ya. Kogai, Tech. Phys. Lett., 40 (8), 636 (2014). DOI: 10.1134/S1063785014080070]
- V.S. Minaev, S.P. Timoshenkov, V.V. Kalugin, Optoelectron. Adv. Mater., 7, 1717 (2005)
- V.S. Minaev, S.P. Timoshenkov, V.V. Kalugin, Optoelectron. Adv. Mater., 13, 1393 (2011)
- Е.В. Александрович, Е.В. Степанова, К.Г. Михеев, Г.М. Михеев, Письма в ЖТФ, 44 (17), 86 (2018). DOI: 10.21883/PJTF.2018.17.46575.17373 [E.V. Aleksandrovich, E.V. Stepanova, K.G. Mikheev, G.M. Mikheev, Tech. Phys. Lett., 44 (9), 797 (2018). DOI: 10.1134/S106378501809002X].
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.