Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Низковольтные гетеротиристоры InP для генерации импульсов тока длительностью 50-150 ns
Переводная версия: 10.61011/TPL.2023.08.56692.19602 
Российский научный фонд, 22-79-10159
Слипченко С.О.1, Подоскин А.А.
1, Гаврина П.С.1, Кириченко Ю.К.1, Шувалова Н.В.1, Рудова Н.А.1, Капитонов В.А.1, Лешко А.Ю.1, Шушканов И.В.1, Золотарев В.В.1, Крючков В.А.1, Пихтин Н.А.1, Багаев Т.А.1, Яроцкая И.В.1, Светогоров В.Н.2, Рябоштан Ю.Л.2, Ладугин М.А.2, Мармалюк А.А.2, Симаков В.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
2"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
Email: SergHPL@mail.ioffe.ru, podoskin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 апреля 2023 г.
В окончательной редакции: 8 июня 2023 г.
Принята к печати: 12 июня 2023 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2023 г.
Разработаны и исследованы токовые ключи на основе низковольтных InP-гетеротиристоров с максимальным блокирующим напряжением 20 V. В режиме генерации импульсов тока продемонстрирована эффективная работа InP-гетеротиристоров с низкоомной нагрузкой в виде конденсатора. Показано, что минимальное время задержки включения составляет 6 ns при амплитуде тока управления 60 mA. Продемонстрирована возможность генерации импульсов тока длительностью 53-154 ns и амплитуд 38-130 A при изменении номиналов конденсаторов в диапазоне 56-1000 nF. Ключевые слова: тиристор, токовый ключ.
- Т.А. Багаев, Н.В. Гультиков, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, Ю.В. Курнявко, В.В. Кричевский, А.М. Морозюк, В.П. Коняев, В.А. Симаков, С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, Н.А. Пихтин, А.Е. Казакова, Д.Н. Романович, В.А. Крючков, Квантовая электроника, 51 (10), 912 (2021). [T.A. Bagaev, N.V. Gul'tikov, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, Y.V. Kurnyavko, V.V. Krichevskii, A.A. Morozyuk, V.P. Konyaev, V.A. Simakov, S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, N.A. Pikhtin, A.E. Kazakova, D.N. Romanovich, V.A. Kryuchkov, Quantum Electron., 51 (10), 912 (2021). DOI: 10.1070/QEL17634]
- A. Klehr, A. Liero, H. Christopher, H. Wenzel, A. Maab dorf, P. Della Casa, J. Fricke, A. Ginolas, A. Knigge, Semicond. Sci. Technol., 35 (6), 065016 (2020). DOI: 10.1088/1361-6641/ab8397
- S. Aboujja, D. Chu, D. Bean, SPIE, 11983, 119830P (2022). DOI: 10.1117/12.2608223
- S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, D.A. Veselov, V.V. Zolotarev, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov, I.S. Tarasov, IEEE Trans. Electron Dev., 63 (8), 3154 (2016). DOI: 10.1109/TED.2016.2582700
- L.J. Mawst, H. Kim, G. Smith, W. Sun, N. Tansu, Prog. Quant. Electron., 75, 100303 (2021). DOI: 10.1016/j.pquantelec.2020.100303
- F. Bugge, U. Zeimer, S. Gramlich, I. Rechenberg, J. Sebastian, G. Erbert, M. Weyers, J. Cryst. Growth, 221 (1-4), 496 (2000). DOI: 10.1016/S0022-0248(00)00751-X
- D.G. Kim, J.J. Lee, Y.W. Choi, S. Lee, B.K. Kang, S.H. Kim, N. Futakuchi, Y. Nakano, IEEE Photon. Technol. Lett., 12 (9), 1219 (2000). DOI: 10.1109/68.874241
- В.Н. Светогоров, Ю.Л. Рябоштан, Н.А. Волков, М.А. Ладугин, А.А. Падалица, А.А. Мармалюк, К.В. Бахвалов, Д.А. Веселов, А.В. Лютецкий, В.А. Стрелец, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин, Квантовая электроника, 51 (10), 909 (2021). [V.N. Svetogorov, Yu.L. Ryaboshtan, N.A. Volkov, M.A. Ladugin, A.A. Padalitsa, A.A. Marmalyuk, K.V. Bakhvalov, D.A. Veselov, A.V. Lyutetskii, V.A. Strelets, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin, Quantum Electron., 51 (10), 909 (2021). DOI: 10.1070/QEL17635]
- Н.А. Волков, В.Н. Светогоров, Ю.Л. Рябоштан, А.Ю. Андреев, И.В. Яроцкая, М.А. Ладугин, А.А. Падалица, А.А. Мармалюк, С.О. Слипченко, А.В. Лютецкий, Д.А. Веселов, Н.А. Пихтин, Квантовая электроника, 51 (4), 283 (2021). [N.A. Volkov, V.N. Svetogorov, Yu.L. Ryaboshtan, A.Yu. Andreev, I.V. Yarotskaya, M.A. Ladugin, A.A. Padalitsa, A.A. Marmalyuk, S.O. Slipchenko, A.V. Lyutetskii, D.A. Veselov, N.A. Pikhtin, Quantum Electron., 51 (4), 283 (2021). DOI: 10.1070/QEL17540]
- С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, В.В. Васильева, Н.А. Пихтин, А.В. Рожков, А.В. Горбатюк, В.В. Золотарев, Д.А. Веселов, А.В. Жаботинский, А.А. Петухов, И.С. Тарасов, Т.А. Багаев, М.В. Зверков, В.П. Коняев, Ю.В. Курнявко, М.А. Ладугин, А.В. Лобинцов, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, В.А. Симаков, ФТП, 48 (5), 716 (2014). [S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, V.V. Vasil'eva, N.A. Pikhtin, A.V. Rozhkov, A.V. Gorbatyuk, V.V. Zolotarev, D.A. Veselov, A.V. Jabotinskii, A.A. Petukhov, I.S. Tarasov, T.A. Bagaev, M.V. Zverkov, V.P. Konyaev, Yu.V. Kurniavko, M.A. Ladugin, A.V. Lobintsov, A.A. Marmalyuk, A.A. Padalitsa, V.A. Simakov, Semiconductors, 48 (5), 697 (2014). DOI: 10.1134/S1063782614050224]
- Н.А. Волков, А.Ю. Андреев, И.В. Яроцкая, Ю.Л. Рябоштан, В.Н. Светогоров, М.А. Ладугин, А.А. Падалица, А.А. Мармалюк, С.О. Слипченко, А.В. Лютецкий, Д.А. Веселов, Н.А. Пихтин, Квантовая электроника, 51 (2), 133 (2021). [N.A. Volkov, A.Yu. Andreev, I.V. Yarotskaya, Yu.L. Ryaboshtan, V.N. Svetogorov, M.A. Ladugin, A.A. Padalitsa, A.A. Marmalyuk, S.O. Slipchenko, A.V. Lyutetskii, D.A. Veselov, N.A. Pikhtin, Quant. Electronics, 51 (2), 133 (2021). DOI: 10.1070/QEL17480]
- Ю.К. Бобрецова, Д.А. Веселов, Н.В. Воронкова, С.О. Слипченко, В.А. Стрелец, М.В. Богданович, П.В. Шпак, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, Н.А. Пихтин, Квантовая электроника, 49 (5), 488 (2019). [Yu.K. Bobretsova, D.A. Veselov, N.V. Voronkova, S.O. Slipchenko, V.A. Strelets, M.V. Bogdanovich, P.V. Shpak, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, N.A. Pikhtin, Quantum Electron., 49 (5), 488 (2019). DOI: 10.1070/QEL16956]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
