Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2023, выпуск 19 » Статья стр. 11
<<<>>>
Смена направления обхода петли на высокочастотных вольт-фарадных характеристиках при критическом значении смещающего напряжения, диэлектрические свойства и эффекты памяти в гетероструктуре Sr0.6Ba0.4Nb2O6/SrTiO3/Si(001)
DOI: 10.61011/PJTF.2023.19.56265.19652
Павленко А.В. 1
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
Email: Antvpr@mail.ru
Поступила в редакцию: 14 июня 2023 г.
В окончательной редакции: 28 июля 2023 г.
Принята к печати: 31 июля 2023 г.
Выставление онлайн: 18 сентября 2023 г.
PDF версия
Методом высокочастотного катодного распыления на подложке Si(001) с предварительно осажденным подслоем SrTiO3 (STO) выращена c-ориентированная пленка ниобата бария-стронция состава Sr0.6Ba0.4Nb2O6 (SBN60) толщиной 600 nm. Показано, что пленка относится к сегнетоэлектрикам-релаксорам. При анализе высокочастотных вольт-фарадных характеристик гетероструктуры SBN60/STO/Si(001) при U=0-24 V установлена критическая величина электрического напряжения (~ 10 V), в окрестности которой наблюдалось изменение направления обхода петли C(U). Показано, что это может быть связано с увеличением роли по мере роста амплитуды U встроенного заряда, образующегося на границе раздела пленки и подложки, на фоне переключения сегнетоэлектрической поляризации в пленке SBN60. Обсуждаются причины выявленных закономерностей и их роль при изучении эффектов памяти в гетероструктуре SBN60/STO/Si(001). Ключевые слова: ниобат бария-стронция (SBN), структуры металл-сегнетоэлектрик-полупроводник, тонкие пленки. DOI: 10.61011/PJTF.2023.19.56265.19652
  1. В.А. Гриценко, Д.Р. Исламов, Физика диэлектрических пленок: механизмы транспорта заряда и физические основы приборов памяти (Параллель, Новосибирск, 2017)
  2. M. Dawber, K.M. Rabe, J.F. Scott, Rev. Mod. Phys., 77, 1083 (2005). DOI: 10.1103/RevModPhys.77.1083
  3. T. Mikolajick, S. Slesazeck, H. Mulaosmanovic, M.H. Park, S. Fichtner, P.D. Lomenzo, M. Hoffmann, U. Schroeder, J. Appl. Phys., 129, 100901 (2021). DOI: 10.1063/5.0037617
  4. V. Krayzman, A. Bosak, H.Y. Playford, B. Ravel, I. Levin, Chem. Mater., 34, 9989 (2022). DOI: 10.1021/acs.chemmater.2c02367
  5. G.H. Olsen, U. Aschauer, N.A. Spaldin, S.M. Selbach, T. Grande, Phys. Rev. B, 93, 180101(R) (2016). DOI: 10.1103/PhysRevB.93.180101
  6. H. Liu, B. Dkhil, J. Alloys Compd., 929, 16731 (2022). DOI: 10.1016/j.jallcom.2022.167314
  7. S. Gupta, A. Kumar, V. Gupta, M. Tomar, Vacuum, 160, 434 (2019). DOI: 10.1016/j.vacuum.2018.11.057
  8. S. Ivanov, E.G. Kostsov, IEEE Sensors J., 20, 9011 (2020). DOI: 10.1109/JSEN.2020.2987633
  9. В.М. Мухортов, Ю.И. Головко, А.В. Павленко, Д.В. Стрюков, С.В. Бирюков, А.П. Ковтун, С.П. Зинченко, ФТТ, 60 (9), 1741 (2018). DOI: 10.21883/FTT.2018.09.46392.014 [V.M. Mukhortov, Yu.I. Golovko, A.V. Pavlenko, D.V. Stryukov, S.V. Biryukov, A.P. Kovtun, S.P. Zinchenko, Phys. Solid State, 60, 1786 (2018). DOI: 10.1134/S1063783418090202]
  10. M. Said, T.S. Velayutham, W.C. Gan, W.H.A. Majid, Ceram. Int., 41, 7119 (2015). DOI: 10.1016/j.ceramint.2015.02.023
  11. T. Lukasiewicz, M.A. Swirkowicz, J. Dec, W. Hofman, W. Szyrski, J. Cryst. Growth, 310, 1464 (2008). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.233
  12. J.J. Zhang, J. Sun, X.J. Zheng, Solid-State Electron., 53, 170 (2009). DOI: 10.1016/j.sse.2008.10.012
  13. В.А. Гуртов, Твердотельная электроника (ПетрГУ, Петрозаводск, 2004)
  14. А.В. Павленко, Д.А. Киселев, Я.Ю. Матяш, ФТТ, 63 (6), 776 (2021). DOI: 10.21883/FTT.2021.06.50939.035 [A.V. Pavlenko, D.A. Kiselev, Ya.Yu. Matyash, Phys. Solid State, 63, 881 (2021). DOI: 10.1134/S1063783421060160]
  15. Д.В. Исаков, Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева, ФТТ, 51 (11), 2199 (2009). https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/2468 [D.V. Isakov, T.R. Volk, L.I. Ivleva, Phys. Solid State, 51, 2334 (2009). DOI: 10.1134/S1063783409110237]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme