Вышедшие номера
Обработка поверхности арсенида галлия после травления в плазме C2F5Cl
Министерство науки и высшего образования РФ , Cтипендия Президента Российской Федерации для молодых ученых и аспирантов, осуществляющих перспективные научные исследования и разработки по приоритетным направлениям модернизации российской экономики на 2021 - 2023 гг., СП-2056.2021.3
Охапкин А.И. 1, Краев С.А.1, Данильцев В.М.1, Дроздов М.Н.1, Королев С.А.1, Зорина М.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: poa89@ipmras.ru, kraev@ipmras.ru, danil@ipmras.ru, drm@ipm.sci-nnov.ru, PESH@ipm.sci-nnov.ru, mzor@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 14 апреля 2023 г.
В окончательной редакции: 20 июля 2023 г.
Принята к печати: 14 августа 2023 г.
Выставление онлайн: 18 сентября 2023 г.

Представлены четыре различных метода обработки поверхности арсенида галлия после травления в плазме хлорпентафторэтана (C2F5Cl). Исследованы стехиометрия верхнего слоя, шероховатость, наличие загрязнений. Наиболее оптимальным из представленных методов является комбинация ex situ травления в водородной плазме с последующим снятием верхнего слоя посредством жидкостного травления в NH4OH/H2O2/H2O. Данным способом возможно удалять загрязнения как с самой поверхности, так и с боковых стенок профиля травления с уровнем шероховатости, пригодным для дальнейшего проведения процессов эпитаксиального роста. Ключевые слова: хлорпентафторэтан, плазмохимическое травление, арсенид галлия, поверхность. DOI: 10.61011/PJTF.2023.19.56272.19593