Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование характеристик гибридных фотоэлектрических модулей в условиях локальной неравномерности облученности и частичного затенения
Российский научный фонд, 22-19-00158
Емельянов В.М.
1, Левина С.А.
1, Нахимович М.В.
1, Шварц М.З.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: vm.emelyanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 26 июля 2023 г.
Принята к печати: 30 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 10 декабря 2023 г.
Исследовано влияние затенения и локальной повышенной облученности планарного контура на основе c-Si солнечных элементов (СЭ) в составе гибридного фотоэлектрического модуля. Установлено, что величина и ориентация тени на поверхности c-Si СЭ приводят к изменению его КПД в пределах одного абсолютного процента, что объясняется изменением баланса резистивных потерь. Наличие областей высокой облученности на поверхности c-Si СЭ диаметром до 5 mm (соответствует размеру концентраторного A3B5 СЭ) не оказывает заметного влияния на выработку планарного контура, которая остается близкой к значениям, характерным для преобразования только диффузного излучения. Ключевые слова: гибридный концентраторно-планарный фотоэлектрический модуль, многопереходный солнечный элемент, планарный фотопреобразователь, диффузно рассеянное излучение, затенение. DOI: 10.61011/PJTF.2023.23.56850.108A
- High-efficient low-cost photovoltaics, ed. by V. Petrova-Koch, R. Hezel, A. Goetzberger. Springer Ser. in Optical Sciences (Springer, Cham, 2020), vol. 140. DOI: 10.1007/978-3-030-22864-4
- J.F. Marti nez, M. Steiner, M. Wiesenfarth, T. Fellmeth, T. Dorsam, M. Wiese, S.W. Glunz, F. Dimroth, Prog. Photovolt.: Res. Appl., 28 (5), 349 (2020). DOI: 10.1002/pip.3239
- М.З. Шварц, А.В. Андреева, Д.А. Андроников, К.В. Емцев, В.Р. Ларионов, М.В. Нахимович, П.В. Покровский, Н.А. Садчиков, С.А. Яковлев, Д.А. Малевский, Письма в ЖТФ, 49 (4), 15 (2023). DOI: 10.21883/PJTF.2023.04.54520.19438 [M.Z. Shvarts, A.V. Andreeva, D.A. Andronikov, K.V. Emtsev, V.R. Larionov, M.V. Nakhimovich, P.V. Pokrovskiy, N.A. Sadchikov, S.A. Yakovlev, D.A. Malevskiy, Tech. Phys. Lett., 49 (2), 50 (2023). DOI: 10.21883/TPL.2023.02.55371.19438]
- J.P.N. Torres, S.K. Nashih, C.A.F. Fernandes, J.C. Leite, Energy Syst., 9 (1), 195 (2018). DOI: 10.1007/s12667-016-0225-5
- S. Wendlandt, A. Drobisch, D. Tornow, M. Friedrichs, S. Krauter, P. Grunow, in Proc. ISES Solar World Congress 2011 (Kassel, Germany, 2011), p. 120. DOI: 10.18086/swc.2011.14.18
- A. Atia, F. Anayi, M. Gao, Energies, 15 (23), 9067 (2022). DOI: 10.3390/en15239067
- TSEC TSSB9 c-Si solar cell datasheet. https://www.tsecpv.com/upload/website/battery/download/ M69BB_B9.pdf
- В.М. Емельянов, С.А. Минтаиров, С.В. Сорокина, В.П. Хвостиков, М.З. Шварц, ФТП, 50 (1), 125 (2016). [V.M. Emelyanov, S.A. Mintairov, S.V. Sorokina, V.P. Khvostikov, M.Z. Shvarts, Semiconductors, 50 (1), 125 (2016). DOI: 10.1134/S1063782616010085]
- V.M. Emelyanov, N.A. Kalyuzhnyy, M.A. Mintairov, S.A. Mintairov, M.A. Shvarts, V.M. Lantratov, in Proc. of the 25th European Photovoltaic Solar Energy Conf. and Exhibition (EPSEC) (Valencia, Spain, 2010), p. 1DV.2.33. DOI: 10.4229/25THEUPVSEC2010-1DV.2.33
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
