Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Субнаносекундная кинетика рекомбинационного излучения высоковольтного арсенид-галлиевого диода при ударно-ионизационном переключении
Работа поддержана грантом РНФ , No. 23-22-00239
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: rozh@hv.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 5 октября 2023 г.
В окончательной редакции: 5 октября 2023 г.
Принята к печати: 5 декабря 2023 г.
Выставление онлайн: 21 февраля 2024 г.
С помощью метода коррелированного во времени счета одиночных фотонов исследована кинетика рекомбинационного излучения высоковольтного арсенид-галлиевого диода при субнаносекундном переключении, инициированном быстрым увеличением обратного напряжения. Переключение происходит по локальным токовым каналам. Показано, что интенсивность излучения достигает максимального значения за время менее 80 ps, что дает оценку сверху для времени переключения диода в проводящее состояние. Спад интенсивности излучения после переключения происходит за аномально малое время 250-700 ps. Субнаносекундный спад интенсивности излучения свидетельствует о высокой концентрации неравновесных носителей в проводящих каналах и достижении порога стимулированного излучения. Стимулированный характер излучения подтверждается сужением спектра рекомбинации. Ключевые слова: высоковольтные GaAs-диоды, рекомбинационное излучение.
- И.В. Грехов, А.Ф. Кардо-Сысоев, Письма в ЖТФ, 5 (15), 950 (1979). [I.V. Grekhov, A.F. Kardo-Sysoev, Sov. Tech. Phys. Lett., 5, 395 (1979).]
- Ж.И. Алфёров, И.В. Грехов, В.М. Ефанов, А.Ф. Кардо-Сысоев, В.И. Корольков, М.Н. Степанова, Письма в ЖТФ, 13 (18), 1089 (1987). [Zh.I. Alferov, I.V. Grekhov, V.M. Efanov, A.F. Kardo-Sysoev, V.I. Korol'kov, M.N. Stepanova, Sov. Tech. Phys. Lett., 13, 454 (1987).]
- D. Guo, X. Tang, Q. Song, Y. Zhou, L. Sun, H. Yuan, J. Guo, Y. Zhang, IEEE Trans. Electron Dev., 70 (8), 4075 (2023). DOI: 10.1109/TED.2023.3283368
- С.Н. Вайнштейн, Ю.В. Жиляев, М.Е. Левинштейн, Письма в ЖТФ, 14 (16), 1526 (1988)
- И.В. Грехов, В.М. Ефанов, Письма в ЖТФ, 16 (17), 9 (1990)
- А.В. Рожков, М.С. Иванов, П.Б. Родин, Письма в ЖТФ, 48 (16), 25 (2022). DOI: 10.21883/PJTF.2022.16.53203.19271 [A.V. Rozhkov, M.S. Ivanov, P.B. Rodin, Tech. Phys. Lett., 48, 61 (2022). DOI: 10.21883/TPL.2022.08.55065.19271]
- А.В. Рожков, ПТЭ, N 5, 46 (2021). DOI: 10.31857/S003281622104025X [A.V. Rozhkov, Instrum. Exp. Tech., 64, 680 (2021). DOI: 10.1134/S0020441221040230]
- М.С. Иванов, В.И. Брылевский, П.Б. Родин, Письма в ЖТФ, 47 (13), 32 (2021). DOI: 10.21883/PJTF.2021.13.51119.18794 [M.S. Ivanov, V.I. Brylevskiy, P.B. Rodin, Tech. Phys. Lett., 47, 661 (2021). DOI: 10.1134/S1063785021070087]
- W. Becker, Advanced time-correlated single-photon counting techniques (Springer, Berlin-Heidelberg-N.Y., 2005)
- М.S. Ivanov, V.I. Brylevskiy, I.V. Smirnova, P.B. Rodin, J. Appl. Phys., 131, 014502 (2022). DOI: 10.1063/5.0077092
- М.С. Шур, ФТП, 8 (5), 587 (1974)
- А.В. Рожков, М.С. Иванов, П.Б. Родин, Изв. РАН. Сер. физ., 87 (6), 873 (2023). DOI: 10.31857/S036767652370151X [A.V. Rozhkov, M.S. Ivanov, P.B. Rodin, Bull. Russ. Acad. Sci. Phys., 87, 765 (2023). DOI: 10.3103/S1062873823702222]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
