Рост нитевидных нанокристаллов на поверхности окисленного Al и их влияние на прочность Al-матричного композита
Российский научный фонд, 22-29-01103
Нарзуллоев У.У.
1, Кутжанов М.К.
1, Щетинин И.В.
1, Логинов П.А.
1, Штанский Д.В.
1, Матвеев А.Т.
11Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: umedjon.20129798@gmail.com, kutzhanov.m@misis.ru, ingvar@misis.ru, loginov.pa@misis.ru, shtansky@shs.misis.ru, matveev.at@misis.ru
Поступила в редакцию: 18 декабря 2023 г.
В окончательной редакции: 5 февраля 2024 г.
Принята к печати: 5 февраля 2024 г.
Выставление онлайн: 4 апреля 2024 г.
Предложена новая концепция создания дисперсно-упрочненных композиционных материалов за счет роста оксидных наноструктур на поверхности частиц металла при взаимодействии поверхностного оксидного слоя с реакционным оксидом, нанесенным на окисленную поверхность частиц металла. Концепция продемонстрирована на примере нитевидных нанокристаллов, выращенных на поверхности частиц окисленного Al. Новый метод обеспечивает равномерное распределение наноструктур на поверхности частиц металла и, как следствие, их равномерное распределение в композиционных материалах, что существенно упрощает технологию их производства. Концепция охватывает металлы с высоким сродством к кислороду: Al, Mg, Ti, Ni, Zr. Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы, оксид алюминия, алюминий, композиты, дисперсное упрочнение.
- W. Abd-Elaziem, M. Khedr, A.H. Elsheikh, J. Liu, Y. Zeng, T.A. Sebae, M.A. Abd El-Baky, M.A. Darwish, W.M. Daoush, X. Li, Eng. Fail. Anal., 155, 107751 (2024). DOI: 10.1016/j.engfailanal.2023.107751
- S. Maiti, H. Sclar, R. Sharma, N. Vishkin, M. Fayena-Greenstein, J. Grinblat, M. Talianker, L. Burstein, N. Solomatin, O. Tiurin, Y. Ein-Eli, M. Noked, B. Markovsky, D. Aurbach, Adv. Funct. Mater., 31, 2008083 (2021). DOI: 10.1002/adfm.202008083
- Е.И. Гиваргизов, А.А. Чернов, Кристаллография, 18 (1), 147 (1973)
- В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, Г.Э. Цырлин, Письма в ЖТФ, 30 (16), 41 (2004). [V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, Tech. Phys. Lett., 30 (8), 682 (2004). DOI: 10.1134/1.1792313]
- V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, A.A. Tonkikh, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov, Phys. Rev. B, 71, 205325 (2005). DOI: 10.1103/PhysRevB.71.205325
- Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов, ФТП, 39 (5), 587 (2005). [G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, I.P. Soshnikov, Yu.B. Samsonenko, A.A. Tonkikh, V.M. Ustinov, Semiconductors, 39 (5), 557 (2005). DOI: 10.1134/1.1923565]
- Н.В. Сибирев, Ю.С. Бердников, И.В. Штром, Е.В. Убыйвовк, Р.Р. Резник, Г.Э. Цырлин, Письма в ЖТФ, 48 (3), 32 (2022). DOI: 10.21883/PJTF.2022.03.51980.18869 [N.V. Sibirev, Y.S. Berdnikov, I.V. Shtrom, E.V. Ubyivovk, R.R. Reznik, G.E. Cirlin, Tech. Phys. Lett., 48 (2), 26 (2022). DOI: 10.21883/TPL.2022.02.52841.18869]
- С.А. Аммер, В.С. Постников, Нитевидные кристаллы (Воронеж. политехн. ин-т, Воронеж, 1974)
- M.K. Kutzhanov, A.T. Matveev, A.V. Bondarev, I.V. Shchetinin, A.S. Konopatsky, D.V. Shtansky, Metals, 13, 1696 (2023). DOI: 10.3390/met13101696
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.