Формирование слоев GaAs с наночастицами Ag методом ионной имплантации
Степанов А.Л.
1, Рогов А.М.1, Коновалов Д.А.1
1Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия
Email: aanstep@gmail.com
Поступила в редакцию: 12 февраля 2024 г.
В окончательной редакции: 9 марта 2024 г.
Принята к печати: 9 марта 2024 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2024 г.
Исследована возможность создания композиционного материала на основе GaAs, содержащего наночастицы Ag, с помощью технологии ионной имплантации. Для этого проведено облучение слоев GaAs ионами Ag+ c энергией E=30 keV при плотности тока в ионном пучке J=5 μA/cm2 и дозе D=6.2· 1016 ion/cm2. Для анализа полученного материала использованы методы электронной микроскопии и спектроскопии оптического отражения. Экспериментальные спектры сопоставлялись с расчетными зависимостями оптической экстинкции, полученными в рамках электромагнитной теории Ми. Установлено образование наночастиц Ag размером от 5 до 40 nm в слое GaAs, демонстрирующих эффекты плазмонного резонанса. Ключевые слова: арсенид галлия, ионная имплантация, наночастицы серебра, плазмоника.
- А.Л. Степанов, В.И. Нуждин, А.М. Рогов, В.В. Воробьев, Формирование слоев пористого кремния и германия с металлическими наночастиами (ФИЦПРЕСС, Казань, 2019)
- A. Jangjoy, H. Bahador, H. Heidarzadeh, Plasmonics, 16, 395 (2021). DOI: 10.1007/s11468-020-01297-2
- V.L. Berkovits, V.A. Kosobukin, V.P. Ulin, P.A. Alekseev, B.R. Borodin, F.Y. Soldatenkov, A.V. Nashchekin, S.A. Khakhulin, O.S. Komkov, Surf. Sci., 742, 122437 (2024). DOI: 10.1016/j.susc.2023.122437
- B. Wei, X. Mao, W. Liu, C. Ji, G. Yang, Y. Bao, X. Chen, F. Yang, X. Wang, Plasmonics, 18, 2009 (2023). DOI: 10.1007/s11468-023-01902-0
- Y. Xu, Y.-S. Qian, J.-L. Qiao, D.-Y. Huang, S.-B. Cui, Int. J. Electrochem. Sci., 17, 22024 (2022). DOI: 10.20964/2022.02.11
- A. Salehi, D.J. Kalantari, Sensors Actuators B, 122, 69 (2007). DOI: 10.1016/j.snb.2006.05.004
- H. Murakami, T. Takarada, M. Tonouchi, Photon. Res., 8, 1448 (2020). DOI: 10.1364/PRJ.395517
- A.M. Sharafutdinova, A.V. Pavlikov, A.M. Rogov, S.N. Bokova-Sirosh, E.D. Obraztsova, A.L. Stepanov, J. Raman Spectrosc., 53, 1055 (2022). DOI: 10.1002/jrs.6332
- I.M. Klimovich, A.L. Stepanov, Optoelectron. Adv. Mater. Rapid Commun., 17, 165 (2023). https://oam-rc.inoe.ro/articles/formation-of-thin-silicon-films-on-soda-lime-silica-glass- surface-by-magnetron-sputtering-deposition
- A.L. Stepanov, V.A. Zhikharev, D.E. Hole, P.D. Townsend, Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 166, 26 (2000). DOI: 10.1016/S0168-583X(99)00641-2
- A. Hernandez, Y. Kudriavtsev, C. Salinas-Fuentes, C. Hernandez-Gutierrez, R. Asomaza, Vacuum, 171, 108976 (2020). DOI: 10.1016/j.vacuum.2019.108976
- Я. Тауц, УФН, 94 (3), 501 (1968). DOI: 10.3367/UFNr.0094.196803e.0501 [J. Tauc, Prog. Semiconductors, 9, 89 (1965).]
- C.F. Bohren, D.R. Huffman, Absorption and scattering of ligth by small particles (Wiley, N.Y., 1983)
- E.D. Palik, Handbook of optical constants of solids (Acad. Press., N.Y., 1985)
- D.D. Nolte, J. Appl. Phys., 76, 3740 (1994). DOI: 10.1063/1.357445
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.