Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2024, выпуск 14 » Статья стр. 48
<<<
Гетероструктура с дополнительными цифровыми потенциальными барьерами для малошумящих полевых транзисторов
Богданов С.А.1, Карпов С.Н.1, Котекин Р.А.1, Пашковский А.Б.1
1АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
Email: solidstate10@mail.ru
Поступила в редакцию: 1 марта 2024 г.
В окончательной редакции: 5 апреля 2024 г.
Принята к печати: 9 апреля 2024 г.
Выставление онлайн: 24 июня 2024 г.
PDF версия
Представлены первые результаты теоретического исследования гетероструктур для малошумящих транзисторов с донорно-акцепторным легированием и системами чередующихся тонких слоев AlAs/GaAs, образующих дополнительные цифровые потенциальные барьеры. Введение цифровых барьеров практически полностью устраняет канал параллельной проводимости по широкозонному материалу, значительно повышает всплеск дрейфовой скорости электронов при влете их в область сильного поля. Всплеск дрейфовой скорости в соответствующих гетероструктурах приближается к теоретическому пределу для используемой модели - всплеску дрейфовой скорости электронов в нелегированном объемном материале канала. Ключевые слова: цифровые потенциальные барьеры, полевой транзистор, всплеск дрейфовой скорости электронов.
  1. T. Mimura, S. Hiyamizi, H. Hashimoto, M. Fukuta, IEEE Trans. Electron Dev., 27 (11), 2197 (1980). DOI: 10.1109/T-ED.1980.20234
  2. А.С. Тагер, А.А. Кальфа, Полевой транзистор, а.с. N 897062 (СССР) (приоритет от 03.09.1980)
  3. Д.С. Пономарев, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Р.А. Хабибуллин, В.А. Кульбачинский, Н.А. Юзеева, ФТП, 46 (4), 500 (2012). [D.S. Ponomarev, I.S. Vasil'evskii, G.B. Galiev, E.A. Klimov, R.A. Khabibullin, V.A. Kulbachinskii, N.A. Uzeeva, Semiconductors, 46 (4), 484 (2012). DOI: 10.1134/S1063782612040173]
  4. А.Н. Виниченко, Д.А. Сафонов, Н.И. Каргин, И.С. Васильевский, ФТП, 53 (3), 359 (2019). DOI: 10.21883/FTP.2019.03.47288.9001 [A.N. Vinichenko, D.A. Safonov, N.I. Kargin, I.S. Vasil'evskii, Semiconductors, 53 (3), 339 (2019). DOI: 10.1134/S1063782619030205]
  5. F. Heinz, F. Thome, A. Leuther, O. Ambacher, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 69 (8), 3896 (2021). DOI: 10.1109/TMTT.2021.3081710
  6. H.-B. Jo, J.-M. Baek, D.-Y. Yun, S.-W. Son, J.-H. Lee, T.-W. Kim, D.-H. Kim, T. Tsutsumi, H. Sugiyama, H. Matsuzaki, IEEE Electron Dev. Lett., 39 (11), 1640 (2018). DOI: 10.1109/LED.2018.2871221
  7. А.Н. Виниченко, В.П. Гладков, Н.И. Каргин, М.Н. Стриханов, И.С. Васильевский, ФТП, 48 (12), 1660 (2014). [A.N. Vinichenko, V.P. Gladkov, N.I. Kargin, M.N. Strikhanov, I.S. Vasil'evskii, Semiconductors, 48 (12), 1619 (2014). DOI: 10.1134/S1063782614120227]
  8. А.А. Кальфа, А.Б. Пашковский, А.С. Тагер, Микроэлектроника, 20 (4), 383 (1991)
  9. А.Б. Пашковский, Микроэлектроника, 22 (3), 58 (1993)
  10. F. Heinz, F. Thome, A. Leuther, O. Ambacher, in 2020 IEEE/MTT-S Int. Microwave Symp. (IMS) (IEEE, 2020), p. 293--296. DOI: 10.1109/IMS30576.2020.9223783
  11. I. Esho, A.Y. Choi, A.J. Minnicha, J. Appl. Phys., 131 (8), 085111 (2022). DOI: 10.1063/5.0069352
  12. A.B. Pashkovskii, S.A. Bogdanov, A.K. Bakarov, A.B. Grigorenko, K.S. Zhuravlev, V.G. Lapin, V.M. Lukashin, I.A. Rogachev, E.V. Tereshkin, S.V. Shcherbakov, IEEE Trans. Electron Dev., 68 (1), 53 (2021). DOI: 10.1109/TED.2020.3038373
  13. А.Б. Пашковский, С.А. Богданов, А.К. Бакаров, К.С. Журавлев, В.Г. Лапин, В.М. Лукашин, С.Н. Карпов, И.А. Рогачёв, Е.В. Терёшкин, ФТП, 57 (1), 21 (2023). DOI: 10.21883/FTP.2023.01.54926.3554 [A.B. Pashkovskii, S.A. Bogdanov, A.K. Bakarov, K.S. Zhuravlev, V.G. Lapin, V.M. Lukashin, S.N. Karpov, I.A. Rogachev, E.V. Tereshkin, Semiconductors, 57 (1), 20 (2023). DOI: 10.21883/SC.2023.01.55616.3554]
  14. С.А. Богданов, С.Н. Карпов, А.Б. Пашковский, Письма в ЖТФ, 49 (14), 28 (2023). DOI: 10.21883/PJTF.2023.14.55822.19591 [S.A. Bogdanov, S.N. Karpov, A.B. Pashkovskii, Tech. Phys. Lett., 49 (7), 65 (2023). DOI: 10.61011/TPL.2023.07.56449.19591]
  15. А.Б. Пашковский, А.С. Богданов, В.М. Лукашин, С.И. Новиков, Микроэлектроника, 49 (3), 210 (2020). DOI: 10.31857/S0544126920030059 [A.B. Pashkovskii, A.S. Bogdanov, V.M. Lukashin, S.I. Novikov, Russ. Microelectron., 49 (3), 195 (2020). DOI 10.1134/S1063739720030051]
  16. А.А. Кальфа, ФТП, 20 (3), 468 (1986)
  17. E. Kablukova, K.K. Sabelfeld, D. Protasov, K. Zhuravlev, Monte Carlo Meth. Appl., 29 (4), 307 (2023). DOI: 10.1515/mcma-2023-2019
  18. A. Cappy, B. Carnez, R. Fauquembergues, G. Salmer, E. Constant, IEEE Trans. Electron Dev., 27 (11), 2158 (1980). DOI: 10.1109/T-ED.1980.20166
  19. Е.В. Терешкин, Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника, В. 4 (555), 64 (2022)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme