Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Гетероструктура с дополнительными цифровыми потенциальными барьерами для малошумящих полевых транзисторов
Богданов С.А.1, Карпов С.Н.1, Котекин Р.А.1, Пашковский А.Б.1
1АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия 
Email: solidstate10@mail.ru
Поступила в редакцию: 1 марта 2024 г.
В окончательной редакции: 5 апреля 2024 г.
Принята к печати: 9 апреля 2024 г.
Выставление онлайн: 24 июня 2024 г.
Представлены первые результаты теоретического исследования гетероструктур для малошумящих транзисторов с донорно-акцепторным легированием и системами чередующихся тонких слоев AlAs/GaAs, образующих дополнительные цифровые потенциальные барьеры. Введение цифровых барьеров практически полностью устраняет канал параллельной проводимости по широкозонному материалу, значительно повышает всплеск дрейфовой скорости электронов при влете их в область сильного поля. Всплеск дрейфовой скорости в соответствующих гетероструктурах приближается к теоретическому пределу для используемой модели - всплеску дрейфовой скорости электронов в нелегированном объемном материале канала. Ключевые слова: цифровые потенциальные барьеры, полевой транзистор, всплеск дрейфовой скорости электронов.
- T. Mimura, S. Hiyamizi, H. Hashimoto, M. Fukuta, IEEE Trans. Electron Dev., 27 (11), 2197 (1980). DOI: 10.1109/T-ED.1980.20234
- А.С. Тагер, А.А. Кальфа, Полевой транзистор, а.с. N 897062 (СССР) (приоритет от 03.09.1980)
- Д.С. Пономарев, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Р.А. Хабибуллин, В.А. Кульбачинский, Н.А. Юзеева, ФТП, 46 (4), 500 (2012). [D.S. Ponomarev, I.S. Vasil'evskii, G.B. Galiev, E.A. Klimov, R.A. Khabibullin, V.A. Kulbachinskii, N.A. Uzeeva, Semiconductors, 46 (4), 484 (2012). DOI: 10.1134/S1063782612040173]
- А.Н. Виниченко, Д.А. Сафонов, Н.И. Каргин, И.С. Васильевский, ФТП, 53 (3), 359 (2019). DOI: 10.21883/FTP.2019.03.47288.9001 [A.N. Vinichenko, D.A. Safonov, N.I. Kargin, I.S. Vasil'evskii, Semiconductors, 53 (3), 339 (2019). DOI: 10.1134/S1063782619030205]
- F. Heinz, F. Thome, A. Leuther, O. Ambacher, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 69 (8), 3896 (2021). DOI: 10.1109/TMTT.2021.3081710
- H.-B. Jo, J.-M. Baek, D.-Y. Yun, S.-W. Son, J.-H. Lee, T.-W. Kim, D.-H. Kim, T. Tsutsumi, H. Sugiyama, H. Matsuzaki, IEEE Electron Dev. Lett., 39 (11), 1640 (2018). DOI: 10.1109/LED.2018.2871221
- А.Н. Виниченко, В.П. Гладков, Н.И. Каргин, М.Н. Стриханов, И.С. Васильевский, ФТП, 48 (12), 1660 (2014). [A.N. Vinichenko, V.P. Gladkov, N.I. Kargin, M.N. Strikhanov, I.S. Vasil'evskii, Semiconductors, 48 (12), 1619 (2014). DOI: 10.1134/S1063782614120227]
- А.А. Кальфа, А.Б. Пашковский, А.С. Тагер, Микроэлектроника, 20 (4), 383 (1991)
- А.Б. Пашковский, Микроэлектроника, 22 (3), 58 (1993)
- F. Heinz, F. Thome, A. Leuther, O. Ambacher, in 2020 IEEE/MTT-S Int. Microwave Symp. (IMS) (IEEE, 2020), p. 293--296. DOI: 10.1109/IMS30576.2020.9223783
- I. Esho, A.Y. Choi, A.J. Minnicha, J. Appl. Phys., 131 (8), 085111 (2022). DOI: 10.1063/5.0069352
- A.B. Pashkovskii, S.A. Bogdanov, A.K. Bakarov, A.B. Grigorenko, K.S. Zhuravlev, V.G. Lapin, V.M. Lukashin, I.A. Rogachev, E.V. Tereshkin, S.V. Shcherbakov, IEEE Trans. Electron Dev., 68 (1), 53 (2021). DOI: 10.1109/TED.2020.3038373
- А.Б. Пашковский, С.А. Богданов, А.К. Бакаров, К.С. Журавлев, В.Г. Лапин, В.М. Лукашин, С.Н. Карпов, И.А. Рогачёв, Е.В. Терёшкин, ФТП, 57 (1), 21 (2023). DOI: 10.21883/FTP.2023.01.54926.3554 [A.B. Pashkovskii, S.A. Bogdanov, A.K. Bakarov, K.S. Zhuravlev, V.G. Lapin, V.M. Lukashin, S.N. Karpov, I.A. Rogachev, E.V. Tereshkin, Semiconductors, 57 (1), 20 (2023). DOI: 10.21883/SC.2023.01.55616.3554]
- С.А. Богданов, С.Н. Карпов, А.Б. Пашковский, Письма в ЖТФ, 49 (14), 28 (2023). DOI: 10.21883/PJTF.2023.14.55822.19591 [S.A. Bogdanov, S.N. Karpov, A.B. Pashkovskii, Tech. Phys. Lett., 49 (7), 65 (2023). DOI: 10.61011/TPL.2023.07.56449.19591]
- А.Б. Пашковский, А.С. Богданов, В.М. Лукашин, С.И. Новиков, Микроэлектроника, 49 (3), 210 (2020). DOI: 10.31857/S0544126920030059 [A.B. Pashkovskii, A.S. Bogdanov, V.M. Lukashin, S.I. Novikov, Russ. Microelectron., 49 (3), 195 (2020). DOI 10.1134/S1063739720030051]
- А.А. Кальфа, ФТП, 20 (3), 468 (1986)
- E. Kablukova, K.K. Sabelfeld, D. Protasov, K. Zhuravlev, Monte Carlo Meth. Appl., 29 (4), 307 (2023). DOI: 10.1515/mcma-2023-2019
- A. Cappy, B. Carnez, R. Fauquembergues, G. Salmer, E. Constant, IEEE Trans. Electron Dev., 27 (11), 2158 (1980). DOI: 10.1109/T-ED.1980.20166
- Е.В. Терешкин, Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника, В. 4 (555), 64 (2022)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
