Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2024, выпуск 17 » Статья стр. 7
<<<>>>
Формирование островков и нитевидных нанокристаллов на коротких затравках InAs при эпитаксиальном росте InAs1-xNx на кремнии
-
-
Кавеев А.К.1, Минив Д.В.2, Федоров В.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: kaveev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 4 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 26 апреля 2024 г.
Принята к печати: 7 мая 2024 г.
Выставление онлайн: 31 июля 2024 г.
PDF версия
Показана возможность формирования на поверхности Si(111), покрытой нарушенным оксидом кремния, нитевидных нанокристаллов InAs1-xNx на коротких затравках InAs. Также обнаружено формирование паразитного островкового слоя. Выявлено, что в первом случае формируется преимущественно структурная фаза вюрцита, а во втором случае - структурная фаза сфалерита. Ключевые слова: InAs1-xNx, разбавленный нитрид, нитевидные нанокристаллы, молекулярно-лучевая эпитаксия.
  1. A. Abrand, M.A. Baboli, A. Fedorenko, S.J. Polly, E. Manfreda-Schulz, S.M. Hubbard, P.K. Mohseni, ACS Appl. Nano Mater., 5, 840 (2022). DOI: 10.1021/acsanm.1c03557
  2. X. Zhang, H. Huang, X. Yao, Z. Li, C. Zhou, X. Zhang, P. Chen, L. Fu, X. Zhou, J. Wang, W. Hu, W. Lu, J. Zou, H.H. Tan, C. Jagadish, ACS Nano, 13, 3492 (2019). DOI: 10.1021/acsnano.8b09649
  3. W.G. Schmidt, Appl. Phys. A, 75, 89 (2002). DOI: 10.1007/s003390101058
  4. R.C. Jones, in Advances in electronics and electron physics, ed. by L. Marton (Academic Press, 1953), vol. 5, p. 1--96. DOI: 10.1016/S0065-2539(08)60683-6
  5. Z. Li, J. Allen, M. Allen, H.H. Tan, C. Jagadish, L. Fu, Materials, 13, 1400 (2020). DOI: 10.3390/ma13061400
  6. S. Pournia, S. Linser, G. Jnawali, H.E. Jackson, L.M. Smith, A. Ameruddin, P. Caroff, J. Wong-Leung, H.H. Tan, C. Jagadish, H.J. Joyce, Nano Res., 13, 1586 (2020). DOI: 10.1007/s12274-020-2774-0
  7. T. Xu, H. Wang, X. Chen, M. Luo, L. Zhang, Y. Wang, F. Chen, C. Shan, C. Yu, Nanotechnology, 31, 294004 (2020). DOI: 10.1088/1361-6528/ab8591
  8. A. Krier, M. de la Mare, P.J. Carrington, M. Thompson, Q. Zhuang, A. Patane, R. Kudrawiec, Semicond. Sci. Technol., 27, 094009 (2012). DOI: 10.1088/0268-1242/27/9/094009
  9. H. Naoi, Y. Naoi, S. Sakai, Solid-State Electron., 41, 319 (1997). DOI: S0038-1101(96)00236-5
  10. W. Walukiewicz, J.M.O. Zide, J. Appl. Phys., 127, 010401 (2020). DOI: 10.1063/1.5142248
  11. Q. Zhuang, A.M.R. Godenir, A. Krier, K.T. Lai, S.K. Haywood, J. Appl. Phys., 103, 063520 (2008). DOI: 10.1063/1.2896638
  12. J. Ibanez, R. Oliva, M. De la Mare, M. Schmidbauer, S. Hernandez, P. Pellegrino, D.J. Scurr, R. Cusco, L. Artus, M. Shafi, R.H. Mari, M. Henini, Q. Zhuang, A. Godenir, A.J. Krier, Appl. Phys., 108, 103504 (2010). DOI: 10.1063/1.3509149
  13. W.J. Kern, Electrochem. Soc., 137, 1887 (1990). DOI: 10.1149/1.2086825
  14. G. Koblmuller, S. Hertenberger, K. Vizbaras, M. Bichler, F. Bao, J.-P. Zhang, G. Abstreiter, Nanotechnology, 21, 365602 (2010). DOI: 10.1088/0957-4484/21/36/365602
  15. M. Gruart, G. Jacopin, B. Daudin, Nano Lett., 19, 4250 (2019). DOI: 10.1021/acs.nanolett.9b00023
  16. J. Jo, Y. Tchoe, G.-C. Yi, M. Kim, Sci. Rep., 8, 1694 (2018). DOI: 10.1038/s41598-018-19857-2

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme