Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрофизические свойства многослойных пленок алмазоподобного углерода с различным содержанием sp3-фазы
Российский научный фонд, Президентская программа исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, 22-79-00021
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
Email: poa89@ipmras.ru, PESH@ipm.sci-nnov.ru, kraev@ipmras.ru, yunin@ipmras.ru, suroveginaka@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 9 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 14 мая 2024 г.
Принята к печати: 14 мая 2024 г.
Выставление онлайн: 31 июля 2024 г.
Исследованы удельное сопротивление, диэлектрическая проницаемость и поле пробоя многослойных пленок алмазоподобного углерода с различным содержанием sp3-фазы, полученных в индуктивно связанной плазме метана. Оказалось, что удельное сопротивление пленок сильно зависит от ростовых параметров, в то время как диэлектрическая проницаемость для всех образцов практически не меняется. В результате измерения зависимостей тока от напряжения и температуры установлен прыжковый тип проводимости, определены средняя длина и энергия активации прыжка. При напряжении выше 1 V происходит непрерывное увеличение тока вплоть до пробоя за счет модификации внутренней структуры пленок. Ключевые слова: алмазоподобный углерод, многослойные пленки, электрофизические свойства, прыжковыймеханизм проводимости.
- S.A. Smallwood, K.C. Eapen, S.T. Patton, J.S. Zabinski, Wear, 260 (11-12), 1179 (2006). DOI: 10.1016/j.wear.2005.07.019
- Y.-J. Chen, K.-C. Chang, T.-C. Chang, H.-L. Chen, T.-F. Young, T.-M. Tsai, R. Zhang, T.-J. Chu, J.-F. Ciou, J.-C. Lou, K.-H. Chen, J.-H. Chen, J.-C. Zheng, S.M. Sze, IEEE Electron Dev. Lett., 35 (10), 1016 (2014). DOI: 10.1109/LED.2014.2343331
- D. Nakajima, H. Kuwabara, S. Annaka, S. Fujii, Y. Tanaka, K. Hirakuri, Diam. Relat. Mater., 103, 107731 (2020). DOI: 10.1016/j.diamond.2020.107731
- Y. Lu, G. Huang, L. Xi, Diam. Relat. Mater., 94, 21 (2019). DOI: 10.1016/j.diamond.2019.02.019
- Y. Iijima, T. Harigai, R. Isono, S. Degai, T. Tanimoto, Y. Suda, H. Takikawa, H. Yasui, S. Kaneko, S. Kunitsugu, M. Kamiya, M. Taki, AIP Conf. Proc., 1929, 020024 (2018). DOI: 10.1063/1.5021937
- Y. Li, J. Enomoto, Y. Hirata, H. Akasaka, N. Ohtake, Materials, 14, 2300 (2021). DOI: 10.3390/ma14092300
- M. Massi, H.S. Maciel, C. Otani, R.D. Mansano, P. Verdonck, J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 12 (4-6), 343 (2001). DOI: 10.1023/A:1011252629646
- Md.K. Hassan, B.K. Pramanik, A. Hatta, New Diam. Front. Carbon Technol., 16 (4), 211 (2006). https://myukk.xsrv.jp/free_journal/download.php?fn= NDFCT518_full.pdf
- E. Staryga, G.W. Bak, M. D uniewski, Vacuum, 74 (2), 325 (2004). DOI: 10.1016/j.vacuum.2003.12.150
- S.H. Lee, J. Moon, Y.J. Jeong, J. Lee, X. Li, H. Wu, W.D. Lu, ACS Appl. Electron. Mater., 2 (3), 701 (2020). DOI: 10.1021/acsaelm.9b00792
- W. He, H. Sun, Y. Zhou, K. Lu, K. Xue, X. Miao, Sci. Rep., 7, 10070 (2017). DOI: 10.1038/s41598-017-09413-9
- А.И. Охапкин, М.Н. Дроздов, П.А. Юнин, С.А. Краев, Д.Б. Радищев, ФТП, 57 (5), 309 (2023). DOI: 10.21883/FTP.2023.05.56195.09k [A.I. Okhapkin, M.N. Drozdov, P.A. Yunin, S.A. Kraev, D.B. Radishev, Semiconductors, 57 (5), 303 (2023). https://journals.ioffe.ru/articles/57145]
- А.И. Охапкин, П.А. Юнин, Е.А. Архипова, С.А. Краев,С.А. Королев, М.Н. Дроздов, В.И. Шашкин, ФТП, 54 (9), 865 (2020). DOI: 10.21883/FTP.2020.09.49822.14 [A.I. Okhapkin, P.A. Yunin, E.A. Arkhipova, S.A. Kraev, S.A. Korolyov, M.N. Drozdov, V.I. Shashkin, Semiconductors, 54 (9), 1056 (2020). DOI: 10.1134/S1063782620090213]
- S. Chander, S. Gupta, Ajay, M. Gupta, Superlatt. Microstruct., 120, 217 (2018). DOI: 10.1016/j.spmi.2018.05.039
- S. Maikap, R. Panja, D. Jana, Nanoscale Res. Lett., 9 (1), 366 (2014). DOI: 10.1186/1556-276X-9-366
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
