Влияние свойств тыльного отражателя на характеристики инфракрасных светоизлучающих диодов на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктуры
Малевская А.В.
1, Калюжный Н.А.
1, Салий Р.А.
1, Солдатенков Ф.Ю.
1, Нахимович М.В.
1, Малевский Д.А.
11Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru, nickk@mail.ioffe.ru, r.saliy@mail.ioffe.ru, F.Soldatenkov@mail.ioffe.ru, NMar@mail.ioffe.ru, dmalevsky@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 9 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 23 мая 2024 г.
Принята к печати: 27 мая 2024 г.
Выставление онлайн: 13 августа 2024 г.
Выполнены исследования технологии формирования тыльных отражателей для инфракрасных (850 nm) светоизлучающих диодов на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктур с множественными квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Разработаны конструкции отражателей на основе многослойных систем, включающих слои диэлектрика (SiO2), адгезионного материала (NiCr), металла с высокими зеркальными свойствами (Ag) и барьерные стоп-слои (Ti, Pt). Проведен анализ влияния состава отражателя на характеристики светоизлучающих диодов. Достигнуты значения внешней квантовой эффективности > 45% при токе 100-350 mA и оптической мощности >450 mW при токе 800 mА. Ключевые слова: инфракрасный светоизлучающий диод, AlGaAs/GaAs-гетероструктура, многослойный отражатель.
- A.G. Entrop, A. Vasenev, Energy Proc., 132, 63 (2017). DOI: 10.1016/j.egypro.2017.09.636
- М. Kitamura, Т. Imada, S. Kako, Y. Arakawa, Jpn. J. Appl. Phys., 43, 2326 (2004). DOI: 10.1143/JJAP.43.2326
- W. Wild, Proc. Est. Acad. Sci. Eng., 13, 436 (2007). DOI: 10.3176/eng.2007.4.15
- A.C. Watts, V.G. Ambrosia, E.A. Hinkley, Remote Sens., 4, 1671 (2012). DOI: 10.3390/rs4061671
- S.-C. Ahn, B.-T. Lee, W.-C. An, D.-K. Kim, I.-K. Jang, J.-S. So, H.-J. Lee, J. Korean Phys. Soc., 69, 91 (2016). DOI: 10.3938/jkps.69.91
- А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Д.А. Малевский, С.А. Минтаиров, Р.А. Салий, А.Н. Паньчак, П.В. Покровский, Н.С. Потапович, В.М. Андреев, ФТП, 55 (7), 614 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.07.51028.9646
- А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Д.А. Малевский, С.А. Минтаиров, А.М. Надточий, М.В. Нахимович, Ф.Ю. Солдатенков, М.З. Шварц, В.М. Андреев, ФТП, 55 (8), 699 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.08.51143.9665 [A.V. Malevskaya, N.A. Kalyuzhnyy, D.A. Malevskii, S.A. Mintairov, A.M. Nadtochiy, M.V. Nakhimovich, F.Y. Soldatenkov, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev, Semiconductors, 55 (8), 686 (2021). DOI: 10.1134/S1063782621080121]
- А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Ф.Ю. Солдатенков, Р.В. Левин, Р.А. Салий, Д.А. Малевский, П.В. Покровский, В.Р. Ларионов, В.М. Андреев, ЖТФ, 93 (1), 170 (2023). DOI: 10.21883/JTF.2023.01.54078.166-22 [A.V. Malevskaya, N.A. Kalyuzhnyy, F.Y. Soldatenkov, R.V. Levin, R.A. Salii, D.A. Malevskii, P.V. Pokrovskii, V.R. Larionov, V.M. Andreev, Tech. Phys., 68 (1), 161 (2023). DOI: 10.21883/TP.2023.01.55451.166-22]
- H.-J. Lee, G.-H. Park, J.-S. So, C.-H. Lee, J.-H. Kim, L.-K. Kwac, Infrared Phys. Technol., 118, 103879 (2021). DOI: 10.1016/j.infrared.2021.103879
- H.-J. Lee, I.-K. Jang, D.-K. Kim, Y.-J. Cha, S.W. Cho, Micromachines, 13, 695 (2022). DOI: 10.3390/mi13050695
- H.-J. Lee, G.-H. Park, J.-S. So, J.-H. Kim, H.-G. Kim, L.-K. Kwac, Current Appl. Phys., 22, 36 (2021). DOI: 10.1016/j.cap.2020.12.002
- N.A. Kalyuzhnyy, A.V. Malevskaya, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, M.V. Nakhimovich, R.A. Salii, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev, Solar Energy Mater. Solar Cells, 262, 112551 (2023). DOI: 10.1016/j.solmat.2023.112551
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.