Использование микроскопии сопротивления растекания для определения параметров барьерного слоя в nBn-структурах на основе InSb
Российский научный фонд, 19-79-30086
Савин К.А.
1, Клековкин А.В.
1, Минаев И.И.
1, Ерошенко Г.Н.
1, Кривобок В.С.
1,2, Свиридов Д.Е.
1, Гончаров А.Е.
2, Николаев С.Н.
11Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2АО "НПО "Орион", Москва, Россия
Email: savinkonstantin93@gmail.com, klekovkinav@lebedev.ru, i.minaev@lebedev.ru, er-grig@mail.ru, krivobokvs@lebedev.ru, sviridovde@lebedev.ru, ag93.orion@gmail.com, nikolaev-s@yandex.ru
Поступила в редакцию: 8 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 8 мая 2024 г.
Принята к печати: 7 июня 2024 г.
Выставление онлайн: 23 августа 2024 г.
Продемонстрирован новый подход, позволяющий визуализировать электронную подсистему барьерно-диодных структур InSb/InAlSb, оценивать однородность слоя InAlSb, блокирующего основные носители в таких структурах, и определять высоту соответствующего потенциального барьера. Подход основан на измерении кремниевым зондом с алмазным покрытием сопротивления растекания на свежеприготовленном сколе (110) эпитаксиальной гетероструктуры. Ключевые слова: микроскопия сопротивления растекания, молекулярно-пучковая эпитаксия, ИК-фотодетектор, InSb, барьерно-диодные гетероструктуры.
- H. Heidarzaden, Phys. Status Solidi B, 260 (3), 2200358 (2022). DOI: 10.1002/pssb.202200358
- М.А. Суханов, А.К. Бакаров, Д.Ю. Протасов, К.С. Журавлев, Письма в ЖТФ, 46 (4), 3 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.04.49040.18055 [M.A. Sukhanov, A.K. Bakarov, D.Yu. Protasov, K.S. Zhuravlev, Tech. Phys. Lett., 46, 154 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020020285]
- F.M. Klaassen, J. Blok, F.J. De Hoog, Physica, 27 (2), 185 (1961). DOI: 10.1016/0031-8914(61)90041-6
- S. Maimon, G.W. Wicks, Appl. Phys. Lett., 89 (15), 151109 (2006). DOI: 10.1063/1.2360235
- A. Evirgen, J. Abautret, J.P. Perez, A. Cordat, A. Nedelcu, P. Christol, Electron. Lett., 50 (20), 1472 (2014). DOI: 10.1049/el.2014.2799
- R. Xiao, H. Yan, Y. Pei, B. Li, K. Yang, J. Liu, X. Liu, J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 30 (14), 13290 (2019). DOI: 10.1007/s10854-019-01692-4
- H. Liu, Y. Zhang, E.H. Steenbergen, S. Liu, Z. Lin, Y.-H. Zhang, J. Kim, M.-H. Ji, T. Detchprohm, R.D. Dupuis, J.K. Kim, S.D. Hawkins, J.F. Klem, Phys. Rev. Appl., 8 (3), 034028 (2017). DOI: 10.1103/PhysRevApplied.8.034028
- J. Singh, Semiconductor devices: basic principles (John Wiley \& Sons, 2000)
- Y. Sun, S.E. Thompson, T. Nishida, J. Appl. Phys., 101 (10), 104503 (2007). DOI: 10.1063/1.2730561
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
