Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрохимическое осаждение контактных материалов к мощным фотоэлектрическим преобразователям на основе GaSb
Russian Science Foundation and St. Petersburg Science Foundation , 24-29-20018
Сорокина С.В.
1, Малевская А.В.
1, Нахимович М.В.
1, Хвостиков В.П.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: svsorokina@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 июня 2024 г.
В окончательной редакции: 25 июня 2024 г.
Принята к печати: 13 июля 2024 г.
Выставление онлайн: 5 ноября 2024 г.
Исследовано влияние материала, толщины и условий формирования проводящего слоя контакта на морфологию токосборных шин, фактор заполнения вольт-амперных характеристик и эффективность фотоэлектрического преобразователя на основе антимонида галлия. Ключевые слова: омический контакт, проводящий слой, электрохимическое осаждение, фотоэлектрический преобразователь.
- K. Ikossi, M. Goldenberg, J. Mittereder, Solid-State Electron., 46 (10), 1627 (2002). DOI: 10.1016/S0038-1101(02)00116-8
- N. Rahimi, A.A. Aragon, O.S. Romero, D.M. Shima, T.J. Rotter, S.D. Mukherjee, L.F. Lester, APL Mater., 1 (6), 062105 (2013). DOI: 10.1063/1.4842355
- J.A. Robinson, S.E. Mohney, J. Appl. Phys., 98 (3), 033703 (2005). DOI: 10.1063/1.1989429
- R.K. Huang, C.A. Wang, C.T. Harris, M.K. Connors, D.A. Shiau, J. Electron. Mater., 33 (11), 1406 (2004). DOI: 10.1007/s11664-004-0171-1
- T.-N. Tran, S.K. Patra, M. Breivik, B.-O. Fimland, J. Vac. Sci. Technol. B, 34 (6), 061207 (2016). DOI: 10.1116/1.4967300
- J.A. Robinson, S.E. Mohney, Solid-State Electron., 48 (9), 1667 (2004). DOI: 10.1016/j.sse.2004.02.022
- K.-L. Lin, S.-H. Chen, Appl. Phys. Lett., 105 (14), 141603 (2014). DOI: 10.1063/1.4896570
- Ф.Ю. Cолдатенков, С.В. Сорокина, Н.Х. Тимошина, В.П. Хвостиков, Ю.М. Задиранов, М.Г. Растегаева, А.А. Усикова, ФТП, 45 (9), 1266 (2011). [F.Y. Soldatenkov, S.V. Sorokina, N.Kh. Timoshina, V.P. Khvostikov, Y.M. Zadiranov, M.G. Rastegaeva, A.A. Usikova, Semiconductors, 45 (9), 1219 (2011). DOI: 10.1134/S1063782611090193]
- N.-T. Tran, S.K. Patra, M. Breivik, B.-O. Fimland, J. Vac. Sci. Technol. B, 33 (6), 061210 (2015). DOI: 10.1116/1.4935883
- N. Iqbal, D.J. Colvin, E.J. Schneller, T.S. Sakthivel, R. Ristau, B.D. Huey, B.X.J. Yu, J.-N. Jaubert, A.J. Curran, M. Wang, S. Seal, R.H. French, K.O. Davis, Solar Energy Mater. Solar Cells, 235, 111468 (2022). DOI: 10.1016/j.solmat.2021.111468
- N. Iqbal, M. Li, T.S. Sakthivel, K. Mikeska, K. Mikeska, M. Lu, N. Nandakumar, Sh. Duttagupta, M. Dhamrin, K. Tsuji, S. Bowden, A. Augusto, Y. Guan, S. Seal, K.O. Davis, Solar Energy Mater. Solar Cells, 250 (5), 112089 (2023). DOI: 10.1016/j.solmat.2022.112089
- М.И. Черных, Г.А. Велигура, В.А. Буслов, В.А. Кожевников, А.Н. Цоцорин, Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, вып. 3 (234), 35 (2014). https://www.niiet.ru/wp-content/uploads/pub13.pdf
- П. Жуковский, Ч. Карват, М. Колясик, М. Козак, Перспективные материалы, N 2, 81 (2007). http://j-pm.imet-db.ru/?archive\&a=833
- В.П. Хвостиков, С.В. Сорокина, Н.С. Потапович, Ф.Ю. Cолдатенков, Н.Х. Тимошина, ФТП, 48 (9), 1280 (2014). http://journals.ioffe.ru/articles/40822 [V.P. Khvostikov, S.V. Sorokina, N.S. Potapovich, F.Yu. Soldatenkov, N.Kh. Timoshina, Semiconductors, 48 (9), 1248 (2014). DOI: 10.1134/S1063782614090115]
- В.П. Хвостиков, С.В. Сорокина, О.А. Хвостикова, Н.Х. Тимошина, Н.С.Потапович, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, В.М. Андреев, ФТП, 47 (2), 273 (2013). [V.P. Khvostikov, S.V. Sorokina, O.A. Khvostikova, N.Kh. Timoshina, N.S. Potapovich, B.Ya. Ber, D.Yu. Kazantsev, V.M. Andreev, Semiconductors, 47 (2), 307 (2013). DOI: 10.1134/S1063782613020139]
- А.В. Малевская, Н.Д. Ильинская, Д.А. Малевский, П.В. Покровский, ФТП, 56 (3), 376 (2022). DOI: 10.21883/FTP.2022.03.52127.9774 [A.V. Malevskaya, N.D. Il'inskaya, D.A. Malevskii, P.V. Pokrovskii, Semiconductors, 56, 18 (2022). DOI: 10.1134/S1063782622020117].
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
