Вышедшие номера
Особенности угловой зависимости коэффициента распыления германия фокусированным ионным пучком галлия
Ministry of Education and Science of the Russian Federation, FENZ-2024-0005
Смирнова М.А. 1,2, Лобзов К.Н. 1,2, Бачурин В.И. 2, Мазалецкий Л.А. 1,2, Пухов Д.Э. 2, Чурилов А.Б. 2
1Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия
2Ярославский филиал Физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН, Ярославль, Россия
Email: masha_19957@mail.ru, kostya.lobzov@mail.ru, vibachurin@mail.ru, boolvinkl@yandex.ru, puhov2005@yandex.ru, abchurilov@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 28 июня 2024 г.
Принята к печати: 18 июля 2024 г.
Выставление онлайн: 5 ноября 2024 г.

Представлены угловые зависимости коэффициентов распыления Ge и Si фокусированным ионным пучком Ga+ с энергией 30 keV. Сравнение экспериментальной угловой зависимости коэффициента распыления Ge с соответствующими данными моделирования в программе SDTrimSP выявило существенные различия. При углах падения ионов от 0 до 50o экспериментальные данные превышают расчетные, а при бoльших углах имеют более низкие значения, в то время как для Si эти зависимости хорошо согласуются. Особенности угловой зависимости коэффициента распыления Ge объясняются развитием и изменением топографии поверхности при наклонном падении ионов. Ключевые слова: германий, ионная бомбардировка, коэффициент распыления, топография поверхности.